男，1973年生，博士，副研究員，碩士生導師。1996年於哈爾濱師範大學物理系獲物理教育專業理學學士學位。1999年于吉林大學材料科學與工程系獲凝聚態物理專業理學碩士學位， 2006年於中國科學院半導體研究所獲材料物理與化學專業工學博士學位。
基本介紹
- 中文名：楊少延
- 國籍：中國
- 出生日期：1973年
- 畢業院校：哈爾濱師範大學
- 職稱：副研究員
人物簡介,所獲獎勵,研究領域,完成項目,代表論文,
人物簡介
楊少延，男，1973年生，博士，副研究員，碩士生導師。1996年於哈爾濱師範大學物理系獲物理教育專業理學學士學位。1999年于吉林大學材料科學與工程系獲凝聚態物理專業理學碩士學位， 2006年於中國科學院半導體研究所獲材料物理與化學專業工學博士學位。1999年7月於中國科學院半導體研究所參加工作，1999-2005年從事低能離子束外延材料製備技術與大失配異質結構材料柔性襯底研究工作。2006年至今主要從事：1）ZnO材料的MOCVD生長研究；2）寬禁帶半導體材料襯底製備技術研究；3）稀土摻雜寬禁帶半導體材料生長研究。先後負責和參與各類科研項目10餘項，申請國家發明專利20餘項（已授權15項），發表學術論文40餘篇（第1作者10篇）。
所獲獎勵
自參加工作以來，先後承擔各類國家和地方科研項目10多項（包括863課題3項，973課題2項，國家自然科學基金課題4項，中科院設備研製項目1項，合作研究課題2項），發展了多項襯底材料製備技術和半導體材料製備新技術。近年來，在寬禁帶和超寬禁帶半導體材料的大失配外延襯底製備技術，如GaN和AlN厚膜襯底材料的應力調控和材料製備技術，及新型半導體光電器件設計製備技術，如垂直結構Si襯底GaN-LED器件和玻璃襯底InGaN量子點全光譜太陽電池器件，又已取得許多新研究進展。所從事的相關研究工作已發表論文90多篇,申請國家發明專利30多項，培養碩士研究生6名，協助培養博士研究生15名
研究領域
（1）寬禁帶和超寬禁帶半導體低材料、器件及物理研究；
（2）大失配異質外延襯底製備技術研究。目前重點開展GaN和AlN厚膜襯底材料的應力調控和材料製備技術研究；
（3）新型半導體光電器件設計製備技術研究。目前重點開展垂直結構Si襯底GaN-LED器件和玻璃襯底InGaN量子點全光譜太陽電池器件研究。
完成項目
（1）國家自然科學基金重大研究計畫“面向能源的光電轉換材料”培育項目：利用玻璃襯底製備新型InGaN 基量子點全光譜太陽電池材料研究，項目負責人，經費80萬。
（2）國家863重大專項“高效半導體照明關鍵材料技術研發”課題1“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、晶片製備及封裝技術”子課題。子課題負責人，經費417萬。
（3）國家863軍口預研項目，項目負責人,經費40萬。
（4）國家自然科學基金面上項目:矽基氮化鎵厚膜製備中的大失配應力調控方法與機制研究，項目負責人，經費46萬。
（5）國家自然科學基金面上項目: 生長溫度周期調製的MOCVD法製備p型ZnO薄膜研究，項目負責人，經費32萬。
（6）國家863項目：生長溫度周期調製MOCVD法製備ZnO材料及發光器件研究，項目負責人，經費98萬。
（7）國家自然基金面上項目:GaN與ZnO異質外延中的Si基協變超薄中間層研究，項目負責人，經費23萬。
（8）國家973項目“半導體光電信息功能材料的基礎研究”子課題:大失配異質體系材料襯底研究，子課題負責人，經費129萬。
（9）國家973項目“信息功能材料基礎研究”子課題：大失配異質結構材料柔性襯底研究，子課題負責人，經費97萬。
（10）中國科學院設備改造項目：能離子束外延實驗機真空泵購置項目，項目負責人，經費117萬。
（11）中科院半導體所與香港城市大學合作研究項目：“金剛石成核機制研究”，項目負責人：經費10萬。
（12）院地合作技術諮詢項目：協助杭州錢宏光電科技有限公司組建半導體材料生產線技術諮詢項目，項目負責人，經費30萬
代表論文
1.楊少延等，中國發明專利：氮化鋁單晶材料製備方法
2.王建霞，楊少延等, 中國發明專利：一種在藍寶石襯底上生長自剝離氮化鎵薄膜的方法
3.趙桂娟，楊少延等, 中國發明專利：製備非極性A面GaN薄膜的方法
4.張志成，楊少延等，中國發明專利：一種氫致解耦合的異質外延用柔性襯底
5.楊少延等，中國發明專利：低能氧離子束輔助脈衝雷射沉積氧化物薄膜的方法
6.楊少延等，中國發明專利：一種製備二元稀土化合物薄膜材料的方法
7.楊少延等，中國發明專利:利用可協變襯底製備生長氧化鋅薄膜材料的方法
8.楊少延等，中國發明專利：一種用於氧化鋅外延薄膜生長的矽基可協變襯底材料
9.楊少延等，中國發明專利: 一種生長氧化鋅薄膜的裝置及方法
10.郭嚴等，發明專利：一種生長高質量富In組分InGaN薄膜材料的方法
11.楊少延，邀請報告：矽襯底氮化鎵材料發展節能新技術的機遇與挑戰，2013年第十二屆國際真空展覽會真空學術論壇，2013年5月15-16日，地點：國家會議中心，主辦單位：中國真空學會，北京真空學會。
12.Xiaoqing Xu, Yang Li, Jianming Liu, Hongyuan Wei, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Zhanguo Wang, Huanhua Wang , X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, Appl
13.Changbo Liu, Guijuan Zhao, Guipeng Liu, Yafeng Song, Heng Zhang, Dongdong Jin, Zhiwei Li, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Appl
14.Changbo Liu, Shaoyan Yang*, Kai Shi, Guipeng Liu, Heng Zhang, Dongdong Jin, Chengyan Gu, Guijuan Zhao, Ling Sang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E
15.Guipeng Liu, Ju Wu, Guijuan Zhao, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Changbo Liu, Shaoyan Yang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, and Zhanguo Wang, Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures,Appl
16.Li, Huijie; Liu, Xianglin; Wang, Jianxia; Jin, Dongdong; Zhang, Heng; Yang, Shaoyan; Liu, Shuman; Mao, Wei; Hao, Yue; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhanguo，Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities
17.Liu, G. Wu, J. Lu, Y. Zhang, B. Li, C. Sang, L. Song, Y. Shi, K. Liu, X. Yang, S*. Zhu, Q. Wang, Z.，A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure
18.Xiaoqing Xu,Yan Guo,Xianglin Liu,Jianmin Liu,Huaping Song,Biao Zhang,JunWang,Shaoyan Yang,Hongyuan Wei,Qinsheng Zhu,Zhanguo Wang,’ GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
