廣州市南沙新區是國內首個實現寬禁帶半導體全產業鏈布局的地區。
基本介紹
- 中文名：寬禁帶半導體全產業鏈
- 地理位置：廣州市南沙區
廣州市南沙新區是國內首個實現寬禁帶半導體全產業鏈布局的地區。
廣州市南沙新區是國內首個實現寬禁帶半導體全產業鏈布局的地區。...
汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟是2024年3月29日成立的產業鏈聯盟。成立背景 臨港寬禁帶半導體產業起步早、投資規模較大，為了從對接終端套用場景、推動科技創新等方面著手，針對產業鏈薄弱環節進一步補齊短板。“終端客戶對於國產新產品使用的驗證成本高、時間長，其生產過程中對設備和材料的要求也比較高。為此，新成立的...
2024年3月29日，寬禁帶半導體產業基地揭牌，由臨港新片區牽頭建設。歷史沿革 2024年3月29日，寬禁帶半導體產業基地揭牌。成立背景 在發展新質生產力的當下，新能源汽車、儲能、信息通訊等領域迅猛發展，寬禁帶半導體產業將為其轉型升級提供強有力的支撐，打造寬禁帶半導體產業基地將助力上海在前沿產業發展中取得先機。
《濟南市支持寬禁帶半導體產業加快發展的若干政策措施》是一份檔案。碳化矽、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導體材料，是世界各國競相發展的戰略性、先導性領域，廣泛套用於半導體照明、5G通訊、高端裝備和新能源等產業。為加快發展寬禁帶半導體產業，推動全市新舊動能轉換和產業轉型升級，現結合我市實際，制定若干政策...
所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料，典型的是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。半導體材料 隨著微波器件及光電子器件的...
結合廣州產業優勢和實際，以及強鏈補鏈需要，《行動計畫》主要從完善產業鏈，提升高端晶片設計能力、做強晶片製造、發展寬禁帶半導體、推動封裝測試業和材料裝備高端化發展等方面，提出9項具體工作任務。《行動計畫》指出，為推動產業特色集聚發展，廣州將打造“一核兩極多點”的產業格局。以黃埔區為核心，建設綜合性...
GaN、SiC等所謂寬禁帶半導體的禁頻寬度更要大得多，因為其價鍵的極性更強。Ge、Si、GaAs、GaN和金剛石的禁頻寬度在室溫下分別為0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。金剛石在一般情況下是絕緣體，因為碳（C）的原子序數很小，對價電子的束縛作用非常強，價電子在一般情況下都擺脫不了價鍵的...
第三代半導體材料 主要以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。在套用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要套用為半導體照明、電力電子器件、雷射器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發...
面向前沿新材料需求，在海淀、房山、順義、大興、經開區等區域，重點發展石墨烯材料、超導材料、超寬禁帶半導體材料、新一代生物醫用材料等細分產業。15.石墨烯材料。推進石墨烯柔性電子器件製造、光電子探測、射頻、電磁禁止等關鍵技術和石墨烯高性能製備、石墨烯複合材料製備套用等共性技術的突破。發展石墨烯醫療器械...
支持金山、奉賢聯動，推進化工園區一體化發展，進一步做強化工新材料產業鏈，加快合成生物等綠色材料和電子化學品重大項目布局推進；支持寶山先進金屬材料基地持續最佳化工藝和產品結構，以大國重器需求為導向，布局高強度、輕量化、極端條件用等特種金屬研發創新和產業化；支持嘉定、臨港加大半導體複合材料、超寬禁帶...
開展重點新材料套用示範。以碳纖維複合材料、高溫合金、航空鋁材、寬禁帶半導體材料、新型顯示材料、電池材料、特種分離及過濾材料、生物材料等市場潛力巨大、產業化條件完備的新材料品種，組織開展套用示範。（五）突破關鍵工藝與專用裝備制約。組織新材料裝備生產企業與材料生產企業開展聯合攻關，加快先進熔煉、增材製造、...
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》是2017年國防工業出版社出版的圖書。內容簡介 《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的新進展與實用製備技術。《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：第1章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達...
《寬禁帶半導體電子材料與器件》是2021年科學出版社出版的圖書，這本書講述了許多關於寬禁帶半導體電子材料的知識。內容簡介 本書以寬禁帶半導體為主線，扼要介紹當前幾種寬禁帶半導體電子材料與器件，包括氮化物寬禁帶半導體及其異質結構的物理性質、氮化物半導體材料的外延生長、氮化物半導體微波功率材料與器件、氮化物半導體...
積極引進高端積體電路製造企業，建設大規模積體電路晶圓生產線，填補製造環節短板，儘快形成較為完善的產業鏈。推動龍頭企業做大做強，進一步強化積體電路用金絲、矽鋁絲、封裝載帶等配套材料產業的國內優勢地位。支持濟南發展以碳化矽為代表的寬禁帶半導體產業，建設寬禁帶半導體小鎮，打造全球領先的寬禁帶半導體產業高地。2....
1.1 寬頻隙半導體概念 1.2 常見寬禁帶化合物半導體 參考文獻 第2章 化合物半導體材料基礎 2.1 半導體 2.2 半導體材料的分類 2.2.1 元素半導體 2.2.2 化合物半導體 2.2.3 半導體固溶體 2.3 化合物半導體的特性 2.3.1 化合物半導體的晶體結構和化合鍵 2.3.2 化合物半導體的能帶結構 參考文獻 第3章...
寬禁帶半導體國家工程研究中心 寬禁帶半導體國家工程研究中心，位於陝西省。所獲榮譽 2022年5月，被評選為2022年科學家精神教育基地，序號第124。
合肥光電半導體研究院寬禁帶半導體技術實驗室 合肥光電半導體研究院寬禁帶半導體技術實驗室是合肥光電半導體研究院設立的實驗室。發展歷史 2023年4月，合肥光電半導體研究院寬禁帶半導體技術實驗室正式成立。
研發氮化鎵、碳化矽等寬禁帶半導體材料，推動功率半導體生產企業開發大功率碳化矽金屬氧化物半導體場效應電晶體、高速高功率氮化鎵射頻器件等產品。開展碳基納米材料、銻化鎵、銦化砷等超寬禁帶半導體材料研究。擴大先進封測產能。引進專業化龍頭封測企業，提升龍頭企業封測能力，發展晶圓級封裝、系統級封裝、高密度...
工程技術研究中心把突破大功率白光LED晶片、封裝和系統集成技術的現有水平作為研究目標，從事寬禁帶化合物半導體材料外延生長、LED晶片加工工藝、白光LED封裝及光源製備新原理探索及新技術開拓研究，並通過產學研合作，套用於若干重大戰略高技術產品與示範工程，實現產業化。主要成果 工程技術研究中心自成立以來，與工業界、...
《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》是2009年機械工業出版社出版的圖書，作者是陳治明。內容簡介 《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》介紹碳化矽、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導體電力電子器件的原理、特性、設計製造方法及套用，概括了這一新領域十餘年來的主要成就。內容包括：半導體物理基礎，電力電子器件的基本原理、...
《寬禁帶半導體氧化鎵——結構、製備與性能》是西安電子科技大學出版社出版的科技專著，作者是陶緒堂、穆文祥、賈志泰、葉建東。內容簡介 氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的套用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料製備原理與技術及電學性質...
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》是2013年科學出版社出版的圖書，作者是郝躍、張金風、張進成。內容簡介 《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和最佳化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和最佳化、製備工藝和...
的產業格局，支持黃埔區圍繞積體電路製造優勢環節，建設綜合性半導體與積體電路產業集聚區；增城區聚焦智慧型感測器和晶片製造等領域發力攻堅，南沙區重點打造寬禁帶半導體設計、製造、封裝測試全產業鏈基地；海珠、天河等相關區結合自身產業基礎和區域特色，發展積體電路研發設計及總部經濟，構建協同發展的半導體和積體電路產業...
重點突破半導體雷射智慧型感知系統、全彩色超高清顯示器、高速安全雷射通信、光量子集成晶片、高速垂直腔面發射雷射器、類腦智慧型晶片、極紫外光刻、大型射電望遠鏡、量子關聯成像系統、寬禁帶半導體光電子與電子器件等關鍵技術。發展高端晶片製造、新一代通信技術，推動建立“北方光谷”。碳纖維產業。突出吉林化纖大絲束低成本...
人造金剛石作為功能性材料，在聲、光、電、磁、熱等多個領域：如寬禁帶半導體功能器件、熱沉材料、光學視窗、污水處理、生物醫學等方面都有廣闊的套用前景，若金剛石粉末塗在音響紙盆上，音箱音質會大為改善。但就目前來說，人造金剛石結構性材料套用占比超過90%，功能化套用占比不足10%。產業分布 從全國產業分布...
培育發展精密儀器與裝備產業集群。加強對電氣設備、農機裝備、礦山冶煉、石化裝備、冰雪裝備等產業的技術支撐能力。電子信息產業。重點突破半導體雷射智慧型感知系統、全彩色超高清顯示器、高速安全雷射通信、光量子集成晶片、高速垂直腔面發射雷射器、類腦智慧型晶片、極紫外光刻、大型射電望遠鏡、量子關聯成像系統、寬禁帶半導體...
研究組已和深圳市捷佳偉創新能源裝備有限公司成立MOCVD 技術聯合實驗室，聯合對MOCVD 裝備進行產業推廣。該裝備對於大規模製備LED 套用的ZnO 透明導電薄膜以及研究ZnO 寬禁帶半導體材料的物理特性、新功能、新套用、解決p 型摻雜等重大科學問題提供了強有力的支撐。☆ 利用特殊晶片補償低顯色性白光所缺乏的光譜的原理，...
鞏固濟南、淄博、威海等市在IC卡、半導體器件等封裝測試領域優勢。支持煙臺、濟南等市積體電路用金絲、矽鋁絲、封裝載帶等配套產業發展。鼓勵發展中小型專用積體電路，加快專用積體電路優質企業引進和培育。建設濟南寬禁帶半導體產業高地，加快打造百億產業集群。依託青島等市突破晶圓製造產業環節，引進大規模積體電路晶圓生產...
支持企業加快推進氮化鎵外延片及微波/毫米波功率器件產業化項目，建設寬禁帶半導體產業基地。支持發光二極體藍寶石襯底基片生產及研發。大力引進國內外半導體材料及產業鏈上下游優勢企業，補鏈強鏈延鏈，全面提升產業韌性。高水平建設雲南貴金屬實驗室，聚焦稀貴金屬新材料領域突破關鍵核心技術瓶頸，打造引領性技術及產業。新...
長期從事功能晶體材料研究工作，發展了寬禁帶半導體碳化矽晶體生長新方法，實現了我國碳化矽晶體生長和加工技術從零到一、產品從無到有、產業自主可控，帶動了我國寬禁帶半導體產業的快速發展；發現了金屬插層鐵硒基系列高溫超導體，開闢了國際超導研究新方向，被《自然-材料》社論列為本世紀超導研究的主要進展之一；提出...