汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟是2024年3月29日成立的產業鏈聯盟。
基本介紹
- 中文名:汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟
- 成立時間:2024年3月29日
汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟是2024年3月29日成立的產業鏈聯盟。
汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟是2024年3月29日成立的產業鏈聯盟。成立背景臨港寬禁帶半導體產業起步早、投資規模較大,為了從對接終端套用場景、推動科技創新等方面著手,針對產業鏈薄弱環節進一步補齊短板。“終端客戶對於國產新...
寬禁帶半導體全產業鏈 廣州市南沙新區是國內首個實現寬禁帶半導體全產業鏈布局的地區。
沈波,中國國籍,1963年7月出生於江蘇省揚州市,教授、博士生導師、國家傑出青年基金獲得者。現任北京大學物理學院副院長、寬禁帶半導體研究中心副主任、北京大學理學部副主任。人物經歷 1963年7月出生於江蘇省揚州市;1985年7月畢業於南京大學物理系半導體專業,獲學士學位;1988年7月畢業於中國科技大學物理系半導體專業...
GaN、SiC等所謂寬禁帶半導體的禁頻寬度更要大得多,因為其價鍵的極性更強。Ge、Si、GaAs、GaN和金剛石的禁頻寬度在室溫下分別為0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。金剛石在一般情況下是絕緣體,因為碳(C)的原子序數很小,對價電子的束縛作用非常強,價電子在一般情況下都擺脫不了價鍵的...
工程技術研究中心把突破大功率白光LED晶片、封裝和系統集成技術的現有水平作為研究目標,從事寬禁帶化合物半導體材料外延生長、LED晶片加工工藝、白光LED封裝及光源製備新原理探索及新技術開拓研究,並通過產學研合作,套用於若干重大戰略高技術產品與示範工程,實現產業化。主要成果 工程技術研究中心自成立以來,與工業界、...
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》是2013年科學出版社出版的圖書,作者是郝躍、張金風、張進成。內容簡介 《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和最佳化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和最佳化、製備工藝和...
公司擁有實力雄厚的技術團隊,將致力於不斷提高碳化矽晶體的質量和成品率,以及大尺寸碳化矽晶體的研發,將最先進的碳化矽晶體生長和加工技術產業化,大規模生產和銷售具有自主智慧財產權的碳化矽晶片,促進中國寬禁帶半導體產業和固體照明產業的發展,成為全球碳化矽半導體的主要生產商之一。組織結構 公司目前擁有兩家子公司:新...
固體中電子的能量具有不連續的量值,電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體材料...
基本半導體是國家5G中高頻器件創新中心理事單位之一 ,獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心 等。深圳基本半導體有限公司分別與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和深圳清華大學研究院,共建“深圳第三代半導體研究院”和“第三代半導體材料與器件研發中心”。發展歷程 2023年 2023年 基本半導體車...
本書可為從事寬禁帶半導體紫外光電材料和器件研發、生產的科技工作者、企業工程技術人員和研究生提供有價值的參考,也可供從事該領域科研和高技術產業管理的政府官員和企業人員學習參考。目錄 第1章 半導體紫外光電探測器概述 1 1.1 引言 2 1.2 寬禁帶半導體紫外光電探測器的技術優勢 8 1...
寬禁帶半導體與微納電子學創新引智基地是西安電子科技大學建設的5個111計畫學科創新引智基地之一(智慧型信息處理科學與技術學科創新引智基地、現代無線信息網路基礎理論與技術學科創新引智基地、寬禁帶半導體與微納電子學創新引智基地、電子裝備機電耦合理論與關鍵技術學科創新引智基地,移動網際網路安全創新引智基地),依託微電子...
培育發展戰略性新興產業和未來產 業,集聚人工智慧和生命健康企業800多家;南砂晶圓、芯聚能、聯晶智慧型等半導體項目投產,芯粵能項目進入設備調試階段,實現國內首個寬禁帶半導體全產業鏈布局;新增5G基站781座(累計建成4905座),廣州數據交易所掛牌運行;中科空天飛行科技產業化基地建成投產,廣東空天科技研究院參與研製...
[5] 2017國家重點研發計畫項目重點專項子課題—軌道交通寬禁帶器件及變流裝置關鍵技術研究與套用子課題 - 高壓大容量SiC MOSFET及SBD晶片物理模型,50萬元,2017.7 - 2020.6,項目負責人,在研;[6] 2017科技部重點研發計畫項目重點專項子課題—第三代半導體的襯底製備與同質外延子課題 - 4英寸GaN單晶襯底產業化...
的產業格局,支持黃埔區圍繞積體電路製造優勢環節,建設綜合性半導體與積體電路產業集聚區;增城區聚焦智慧型感測器和晶片製造等領域發力攻堅,南沙區重點打造寬禁帶半導體設計、製造、封裝測試全產業鏈基地;海珠、天河等相關區結合自身產業基礎和區域特色,發展積體電路研發設計及總部經濟,構建協同發展的半導體和積體電路產業...
6. 中國寬禁帶功率半導體產業聯盟專家委員會GaN器件組成員 7. 中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會委員 8.《電力電子技術》雜誌編輯委會委員 9. 2017年《電力電子技術》“寬禁帶半導體電力電子器件”專輯特邀主編 10. 2019年《電源學報》“GaN功率電子器件及套用”專輯特邀主編 教育經歷 博士(2000年),吉林大學...
臨沂市作家協會名譽主席高明評)張榮作為一名學術頂尖人才,同時也是一位“物理神童”,從南大的好學生,一步步成長。他還在南京大學110周年校慶和院系改革中都扮演了重要角色。(《齊魯晚報》評)張榮是中國寬禁帶半導體材料器件領域的重要領軍人物,在相關領域產生了重要國際影響。(台海網評)
劉勝主要研究方向為工藝力學在微電子、光電子、發光二極體(LED)、微機電系統(MEMS)、電力電子等領域套用,寬禁帶半導體生長線上實時監測科學裝置,增材製造集成線上監測科學裝置,微機電系統(MEMS)/NEMS納機電系統,發光二極體(LED),系統封裝與集成,可靠性等;主要學術貢獻包括:1、率先提出了電子製造損傷容限協同...
支持橫琴專精特新產業園和澳門品牌工業園建設。(省工業和信息化廳牽頭,省發展改革委、科技廳、商務廳,廣東自貿試驗區廣州南沙新區片區管委會、廣東自貿試驗區深圳前海蛇口片區管委會,橫琴粵澳深度合作區執委會按職責分工負責)13. 培育壯大戰略性新興產業。支持南沙補強寬禁帶半導體全產業鏈,加快前海電子元器件和集成...
寬緊帶半導體、低維與納米材料、狄拉克材料。研究組:計算材料理論中心。長期從事凝聚態物理及表面物理的實驗和理論方面的研究工作。主要貢獻 近年來,對發藍光的寬禁帶半導體材料、石墨烯和拓撲絕緣體等狄拉克新材料領域的一些前沿又具套用前景的課題進行了深入的理論研究,這些研究已取得了一系列很有價值的科研成果。...
2006年,作為首席科學家負責重點創新項目“X波段寬禁帶半導體功率器件和材料研究”。2008年,作為負責人之一負責自然基金重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎與關鍵問題研究”。2009年,作為首席科學家帶領團隊獲973項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”滾動支持。事跡簡介 他師從著名科學家吳德馨...
研究方向包括電力電子變換器設計與控制、航空太空飛行器供電系統、飛機電源變換技術、寬禁帶半導體套用等。學術成果 主持科研項目經費累計超過300萬,3項為國家級項目,包括:國家自然科學基金青年科學基金項目、空裝預研項目、民機專項子課題以及中央高校基本科研業務費專項資金資助項目等。參與科研項目經費累計超過1000萬元, 1...
《高亮度、大尺寸LED背光源技術開發》,廣東省產業財政扶持資金項目,2010-2011,子課題負責人。《寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心》,廣東省教育廳-平台建設項目,2009-2011,主持。《新型超高速、低噪音雪崩光電二極體(APD)器件的研究》,國家自然科學基金-面上項目,2007-2009,主持。代表論文 (1) ...
(4)國家重點實驗室開放基金項目:新能源汽車寬增益雙向直流變換器及其運行控制研究,項目負責人 (5)省部級重點實驗室開放基金項目:多電飛機電源系統雙向直流變換器及其運行控制,項目負責人 (6)天津市工程發展戰略項目:新能源併網發電及直流配用電裝備產業技術創新戰略,子課題負責人 (7)天津市自然科學基金項目:航空...
(1) 高頻寬禁帶半導體器件建模與驅動/保護技術 (2) 高頻磁性元件平面化及磁集成技術 高頻軟開關電力電子變換器拓撲及其數字控制技術 交直流微電網及分散式可再生能源發電中的現代電能變換與控制技術 特種電源 學術成果 主要科研項目:(1) 國家重點研發計畫項目“中低壓直流配用電系統關鍵技術及套用”,用電部分負責人...
1.用慢正電子技術研究半導體表面界面缺陷 湖北省自然科學基金 2.0萬元 主持 順利結題 2.用正電子湮沒研究重摻雜半導體載流子飽和的微觀機制 武漢大學自強基金 3.0萬元 主持 順利結題 3.寬禁帶半導體ZnO電子輻照引入缺陷及其回復研究 湖北省傑出青年基金 10萬元 主持 順利結題 4.半導體缺陷的正電子譜學研究 教育...
主要研究方向為:寬禁帶半導體薄膜材料的生長、表征和機理研究;不同摻雜材料對氧化鋅的結構、電學和光學性質的效應研究;原子層沉積法(ALD)製備超薄高k值介電材料,其性能研究和退火效應研究;低維納米半導體材料的合成和表征性能研究。主要貢獻 近5年發表SCI文章35篇,其中第一作者28篇,被引用200餘次,單篇他引...
16. 湖北省光電子產業優秀創新人才資助項目“GaN光電器件研製”,湖北省科技廳2006-2007;17. 武漢市發展與改革委員會“高效節能環保型半導體白光源產業化前期關鍵技術研發”,2006-2008;18. 國家自然科學基金“離子注入寬禁帶半導體(GaN和ZnO)非晶化研究”,批准號:10475063,2005-2007;19. 教育部新世紀人才基金...
國家教委科技進步二等獎等獎勵。先後在美國,日本,澳大利亞,比利時開展合作研究。“九五”期間,作為國家“863”計畫信息光電子主題專家組成員,“十五”期間,作為國家半導體照明工程專家組成員,中國LED行業協會顧問專家,國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事,努力為我國的LED照明光源的革命做出貢獻。
主要研究方向為寬禁帶半導體材料及其光子/電子器件,近年來在ZnO材料的生長/摻雜及其紫外光發射器件、氧化物憶阻器件及其套用於信息存儲和突觸仿生等方面開展了有特色的研究工作。相關結果發表在ADV MATER、ADV FUNCT MATER、APPL PHYS LETT、IEEE EDL等雜誌上;主持來自國家基金委、教育部、吉林省等重要課題10餘項;作為...
系統研究了(等)離子束輔助生長參數對輕元素化合物薄膜生長過程和性質的影響,在寬禁帶半導體材料如SiCN,AlCN,BCN的設計方面獲得一批成果。率先實現了納米矽複合薄膜體系的可見光全譜發光,已把納米矽顆粒的尺寸和密度都推至物理極限,最小波長為428nm,外量子效率超過3%,衰減時間小於納秒。自行設計研製了多功能UH...