深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體企業，專業從事碳化矽功率器件的研發與產業化。公司總部位於深圳，在北京、上海、無錫、中國香港以及日本名古屋設有研發中心和製造基地。
基本半導體掌握碳化矽核心技術，研發覆蓋碳化矽功率半導體的材料製備、晶片設計、晶圓製造、封裝測試、驅動套用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化矽二極體和MOSFET晶片、汽車級碳化矽功率模組、功率器件驅動晶片等，服務於光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業控制、智慧型電網等領域的客戶。
基本介紹
- 公司名稱：深圳基本半導體有限公司
- 外文名：BASiC Semiconductor Ltd
- 成立時間：2016年6月7日
- 總部地點：中國深圳
- 經營範圍：碳化矽功率器件的研發與產業化
- 公司類型：責任有限公司
核心團隊,核心產品,股東情況,協同創新,發展歷程,2023年,2022年,2021年,2020年,2019年,2018年,2017年,2016年,公司榮譽,媒體報導,
核心團隊
汪之涵博士，深圳基本半導體有限公司創始人、董事長。獲清華大學電氣工程專業學士學位，劍橋大學電力電子專業碩士、博士學位。與清華大學、劍橋大學校友團隊在2009年創辦青銅劍科技，2016年創辦基本半導體，致力於我國第三代半導體碳化矽功率器件的研發及產業化。
和巍巍博士，深圳基本半導體有限公司聯合創始人、總裁。獲清華大學電氣工程專業學士學位、劍橋大學電力電子專業博士學位。
基本半導體組建了淋熱婆一支國際化的研發團隊，核心成員包括二十餘位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。
核心產品
碳化矽作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統的矽基器件相比，具有更優越的性能。碳化矽的寬禁帶(3.26eV)、高店凳勸膠臨界場(3×10V/cm)和高導熱係數(4.9W/cm·K)等特點使得功率半導體器件效率更高，設備的成本、體積、重量等方面都得到降低。
碳化矽肖特基二極頁罪危管
基本半導體自主研發各種電元影協乃流電壓等級的碳化矽肖特基二極體，具有反向漏電流低、正嚮導通壓降低、抗浪涌電流能力高、無反向恢復現象等特點，廣泛套用於光伏儲能、軌道交通、工業控制、智慧型電網等領域。
碳化矽微淚充 MOSFET
碳化矽MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中套用碳化矽MOSFET器件替代傳統矽IGBT器件，可提高功率迴路開蒸妹關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
基本半導體第二代碳化矽MOSFET系列新品基於6英寸晶圓平台開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。
汽車級全碳化矽功率模組
基本半導體針對新能源汽車主逆變器套用需求，自主研發半橋模組Pcore™2、三相全橋模組Pcore™6系列汽車級碳化矽功率模組產品，通過提升動力系統逆變器的轉換效率，同時縮小體積、降低重量，進而提高新能源汽車的能源效率和續航里程。該系列產品採用全銀燒結的工藝，具有高功率密度、高可靠性、低模組內部寄生電感、低熱阻的特性。
碳化矽驅動晶片
基本半導體子公司——深圳青銅劍技術有限公司多年來致力於功率器件門極驅動晶片的開發，針對不同的套用場景，為各類功率器件提供適配的門極驅動晶片。核心產品包括隔離驅動晶片、自舉橋式驅動晶片和低邊驅動晶片，絕緣耐壓最高可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求，能夠滿足各類套用需求。
股東情況
基本半導體已獲得聞泰科技、博世創投、中國中車、深投控、力合科創、安芯投資、涌鏵投資、松禾資本、民和資本、仁智資本、屹唐長厚、中美綠色基金、佳銀投資、厚土資本、四海新材料等眾多知名機構的多輪投資。
2022年9月20日，完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。
2022年7月1日，完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯合投資。
2022年6月7日，完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯合投資。
2021年9月17日，完成C1輪融資，由博世創投、力合金控、松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機構聯合投資。
2020年12月31日，完成B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投，原股東力合資本追加投資。
協同創新
基本半導體是國家5G中高頻器件創新中心理事單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心等。
深圳基本半導體有限公司分別與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和深圳清華大學研究院，共建“深圳第三代半導體研究院”和“第三代半導體材料與器件研發中心”。
發展歷程
2023年
2023年 基本半導體車規級碳化矽晶片產線正式通線
2022年
2022年7月 與廣汽埃安簽訂《戰略合作協定》和《長期採購合作協定》
2021年
2021年12月 位於無錫的汽車級碳化矽功率模組製造基地正式通線運行，是國內第一條汽車級碳化矽功率模組專用產線
2021年11月 舉辦首屆“基本創新日”活動，成功發布汽車級全碳化矽模組、第三代碳化矽肖特基二極體、混合碳化矽分立器件三大系列碳化矽新品
2021年8月 碳化矽功率模組裝車測試發車儀式在深圳舉行，搭載自主研發碳化矽模組的測試車輛正式啟程
2021年立院連2月 基本半導體株式會社在日本名古屋註冊成立
2021年1月 第三代半導體產業基地在深圳坪山開工建設
2020年
2020年11月 基本半導體總部碳化矽功率器件工程實驗室正式啟用
2020年8月 推出DFN8*8碳化矽肖特基二極體產品，可滿足行業對超薄器件的需求
2020年6月 第二代碳化矽肖特基二極體系列產品實現批量出貨，對標進口品牌最新一代產品
2020年5月 推出Pcore™6 1200V/200A汽車級碳化矽模組新品
2020年5年 推出單晶片電流超過100A的1200V碳化矽MOSFET，其額定導通電阻為18mΩ
2020年4月 推出內絕緣型碳化矽肖特基二極體產品
2019年
獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心
2018年
2018年12月 推出國內首款擁有自主智慧財產權的工業級碳化矽MOSFET
2018年3月 發布自主研發的650V、1200V 、1700V碳化矽肖特基二極體
2017年
2017年3月 完成第一批1200V/20A 碳化矽肖特基二極體器件樣品的關鍵特性評估
2017年3月，與深圳清華大學研究院共建“第三代半導體材料與器件研發中心”。
2017年1月 完成1200V/20A SiC MOSFET仿真與版圖
2016年
2016年6月 基本半導體成立
公司榮譽
2022年
榮獲南都灣財社“灣區新實業先鋒獎”
入選36氪“2022年最受投資人關注的硬核科技企業”
2021年
入選2020“科創中國”新銳企業榜單
2020年
2020中國IC領袖峰會最佳產品獎
創業邦2020年度中國創新成長企業100強
2019年
德勤中國2019深圳明日之星
2018年
2018年度深圳市人才伯樂獎
媒體報導
2022年1月央視財經頻道：基本半導體作為深圳半導體企業代表，接受《經濟信息聯播》欄目採訪
2021年8月中國汽車報：與國際大廠一較高下 這家第三代半導體產業新星底氣何來？
2021年7月深圳商報：深圳第三代半導體搶占技術高地 產業鏈實力趨強
2021年4月基本半導體作為科技創新代表企業，登上《廣東新聞聯播》
2021年4月半導體行業觀察：走進慕尼黑電子展，這些廠商怎么看待新能源車？
2021年4月電子工程專輯：汽車電子市場2021現狀如何？慕展上的幾家企業這么說……
2021年1月中央電視台：基本半導體碳化矽產品亮相央視新聞
股東情況
基本半導體已獲得聞泰科技、博世創投、中國中車、深投控、力合科創、安芯投資、涌鏵投資、松禾資本、民和資本、仁智資本、屹唐長厚、中美綠色基金、佳銀投資、厚土資本、四海新材料等眾多知名機構的多輪投資。
2022年9月20日，完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。
2022年7月1日，完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯合投資。
2022年6月7日，完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯合投資。
2021年9月17日，完成C1輪融資，由博世創投、力合金控、松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機構聯合投資。
2020年12月31日，完成B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投，原股東力合資本追加投資。
協同創新
基本半導體是國家5G中高頻器件創新中心理事單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心等。
深圳基本半導體有限公司分別與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和深圳清華大學研究院，共建“深圳第三代半導體研究院”和“第三代半導體材料與器件研發中心”。
發展歷程
2023年
2023年 基本半導體車規級碳化矽晶片產線正式通線
2022年
2022年7月 與廣汽埃安簽訂《戰略合作協定》和《長期採購合作協定》
2021年
2021年12月 位於無錫的汽車級碳化矽功率模組製造基地正式通線運行，是國內第一條汽車級碳化矽功率模組專用產線
2021年11月 舉辦首屆“基本創新日”活動，成功發布汽車級全碳化矽模組、第三代碳化矽肖特基二極體、混合碳化矽分立器件三大系列碳化矽新品
2021年8月 碳化矽功率模組裝車測試發車儀式在深圳舉行，搭載自主研發碳化矽模組的測試車輛正式啟程
2021年2月 基本半導體株式會社在日本名古屋註冊成立
2021年1月 第三代半導體產業基地在深圳坪山開工建設
2020年
2020年11月 基本半導體總部碳化矽功率器件工程實驗室正式啟用
2020年8月 推出DFN8*8碳化矽肖特基二極體產品，可滿足行業對超薄器件的需求
2020年6月 第二代碳化矽肖特基二極體系列產品實現批量出貨，對標進口品牌最新一代產品
2020年5月 推出Pcore™6 1200V/200A汽車級碳化矽模組新品
2020年5年 推出單晶片電流超過100A的1200V碳化矽MOSFET，其額定導通電阻為18mΩ
2020年4月 推出內絕緣型碳化矽肖特基二極體產品
2019年
獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心
2018年
2018年12月 推出國內首款擁有自主智慧財產權的工業級碳化矽MOSFET
2018年3月 發布自主研發的650V、1200V 、1700V碳化矽肖特基二極體
2017年
2017年3月 完成第一批1200V/20A 碳化矽肖特基二極體器件樣品的關鍵特性評估
2017年3月，與深圳清華大學研究院共建“第三代半導體材料與器件研發中心”。
2017年1月 完成1200V/20A SiC MOSFET仿真與版圖
2016年
2016年6月 基本半導體成立
公司榮譽
2022年
榮獲南都灣財社“灣區新實業先鋒獎”
入選36氪“2022年最受投資人關注的硬核科技企業”
2021年
入選2020“科創中國”新銳企業榜單
2020年
2020中國IC領袖峰會最佳產品獎
創業邦2020年度中國創新成長企業100強
2019年
德勤中國2019深圳明日之星
2018年
2018年度深圳市人才伯樂獎
媒體報導
2022年1月央視財經頻道：基本半導體作為深圳半導體企業代表，接受《經濟信息聯播》欄目採訪
2021年8月中國汽車報：與國際大廠一較高下 這家第三代半導體產業新星底氣何來？
2021年7月深圳商報：深圳第三代半導體搶占技術高地 產業鏈實力趨強
2021年4月基本半導體作為科技創新代表企業，登上《廣東新聞聯播》
2021年4月半導體行業觀察：走進慕尼黑電子展，這些廠商怎么看待新能源車？
2021年4月電子工程專輯：汽車電子市場2021現狀如何？慕展上的幾家企業這么說……
2021年1月中央電視台：基本半導體碳化矽產品亮相央視新聞
