《三維連續集成積體電路關鍵工藝技術和機理研究》是依託復旦大學，由吳東平擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：三維連續集成積體電路關鍵工藝技術和機理研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：吳東平
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
由於遲早會碰到物理規則或製造成本的限制，積體電路可能在7-8納米技術代或最小到5納米技術代時將會停止前進。三維連續集成技術由於能在單片上進行兩層及以上高密度、高溝道遷移率的器件集成，因此有望在單個器件尺寸不能繼續縮小時還能繼續延續摩爾定律的有效性。本項目研究適用於三維連續集成的新型超低溫微波退火雜質激活和晶格缺陷修復技術以及創新的高一致性HiPIMS薄膜形成技術，深入探索微波退火加熱半導體結構的微觀機理以及HiPIMS技術工藝原理，建立完善的工藝仿真模型，開發創新的超低溫微波退火雜質激活技術和HiPIMS高深寬比接觸孔內金屬矽化物形成工藝相結合的工藝模組，為攻克三維連續集成面臨的關鍵技術障礙取得核心的理論和技術突破。
結題摘要
由於遲早會碰到物理規則或製造成本的限制，積體電路可能在7-8 納米技術代或最小到5 納米技術代時將會停止前進。三維連續集成技術由於能在單片上進行兩層及以上高密度、高溝道遷移率的器件集成，因此有望在單個器件尺寸不能繼續縮小時還能繼續延續摩爾定律的有效性。本項目研究適用於三維連續集成的新型超低溫微波退火雜質激活和晶格缺陷修復技術以及創新的高一致性三維金屬矽化物HiPIMS薄膜形成技術，深入探索微波退火加熱半導體結構的微觀機理以及三維金屬矽化 技術工藝原理，建立完善的工藝仿真模型，開發創新的超低溫微波退火雜質激活技術和三維金屬矽化物高深寬比形成工藝相結合的工藝模組，為攻克三維連續集成面臨的關鍵技術障礙取得核心的理論和技術突破。
