《矽通孔與三維積體電路》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是朱樟明、楊銀堂。
基本介紹
- 中文名:矽通孔與三維積體電路
- 作者:朱樟明,楊銀堂
- ISBN:9787030471642
- 類別:電子與通信技術
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2016-01
《矽通孔與三維積體電路》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是朱樟明、楊銀堂。
《矽通孔與三維積體電路》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是朱樟明、楊銀堂。內容簡介本書系統討論了基於矽通孔的三維積體電路設計所涉及的一些關鍵科學問題,包括矽通孔寄生參數提取、矽通孔電磁模型、新型矽通孔結構、三維集成...
首先將重點研究三維積體電路系統封裝中的電磁波與半導體器件中的載流子、電磁與熱耦合機理及建模方法,並開展基於矽通孔的系統級封裝電磁特性試驗研究。在此基礎之上,進而研發多層、多模垂直互連結構實現高頻信號的低損耗傳輸,同時設計新型的...
到目前為止,晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限,僅有CMOS(CIS)影像感測器、MEMS等少數幾種。晶圓 晶圓(英語:Wafer)是指製作矽半導體集成電路所用的矽晶片,由於其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓是生產積體電路所用的載體,一般...
穿透矽通孔技術,一般簡稱矽通孔技術,英文縮寫為TSV(through silicon via)。簡介 它是三維積體電路中堆疊晶片實現互連的一種新的技術解決方案。由於矽通孔技術能夠使晶片在三維方向堆疊的密度最大、晶片之間的互連線最短、外形尺寸最小...
《三維積體電路的熱、應力分析及協同物理設計研究》是依託復旦大學,由曾璇擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 三維積體電路通過矽通孔(TSV)實現垂直方向的晶片堆疊,大幅提高晶片集成度,減少互連長度,提高晶片性能,並能實現不同工藝...
《矽通孔三維積體電路測試與可測性設計》是2021年哈爾濱工業大學出版社出版的圖書。內容簡介 矽通孔三維積體電路實現了晶圓在豎直方向的堆疊集成,具有集成度高、互連延遲小、速度快等優點;因而得到了廣泛關注,本書系統化介紹了矽通孔...
三維晶片 三維晶片是將不同電路單元製作在多個平面晶片上,並通過矽通孔(ThroughSiliconVias,TSVs)層間垂直互連技術將多個晶片(Die)在垂直方向進行堆疊互連而形成的一種全新的晶片結構,具有集成度高、功耗低、頻寬高、面積小、互連線...
《三維積體電路的矽通孔串擾噪聲分析與最佳化技術研究》是錢利波為項目負責人,寧波大學為依託單位的青年科學基金項目。項目摘要 片上系統工作速度不斷增加與通孔分布密度急劇上升,導致矽通孔(TSV)串擾噪聲成為影響三維積體電路時序性能、...
《基於多電壓的三維積體電路布局規劃研究》是依託寧波大學,由儲著飛擔任負責人的國家自然科學基金資助青年科學基金項目。項目簡介 三維積體電路(3D-ICs)通過矽通孔(TSV)實現晶片層垂直方向上的堆疊,縮短了互連線長度、提升了晶片的集成度...
《矽通孔三維集成的高頻電磁分析與最佳化設計》是依託浙江大學,由魏興昌擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目針對先進矽通孔三維集成中元器件排布高密度、體積小型化、功能多元化的發展趨勢,發展電磁-微電子多尺度、一體化建模技術,...
第1章 三維積體電路的矽通孔布局 1.1 引言 1.2 研究現狀 1.3 基礎知識 1.3.1 三維積體電路設計 1.3.2 允許矽通孔數 1.3.3 小矽通孔數 1.3.4 線長和矽通孔數的折衷 1.4 三維積體電路物理設計流程 1.4...
《考慮矽通孔熱應力的靜態時序分析》是依託西安電子科技大學,由董剛擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目研究考慮矽通孔熱應力的三維積體電路靜態時序分析方法。從準3D Kane-Mindlin理論出發構建TSV熱機械應力模型,利用修正因子來...
《TSV三維集成理論、技術與套用》是2022年科學出版社出版的圖書。內容簡介 後摩爾時代將矽通孔(through silicon via,TSV)技術等先進集成封裝技術作為重要發展方向。《TSV三維集成理論、技術與套用》系統介紹作者團隊在TSV三維集成方面的...
243D集成系統的成本問題22 25小結24 第3章3D積體電路製造技術25 31單片3D IC26 311堆疊3D IC26 3123D鰭形場效應電晶體31 32帶矽通孔(TSV)或平面間過孔的3D IC32 33非接觸3D ...
基於矽通孔的三維積體電路互連技術,將具有不同功能的異質晶片垂直堆疊在一起以實現三維互連,能夠大幅度的降低全局互連線的長度、互連延遲、各種寄生效應以及功耗等。考慮到TSV對3D IC的重要性,新型TSV結構及特性研究變得非常重要。 ...
8.2 基於Via-last型TSV的埋入矽基3D扇出型封裝技術 8.2.1 封裝工藝流程 8.2.2 封裝工藝研究 8.2.3 背面製造工藝流程 8.3 3D圓片級扇出型封裝技術 8.4 本章小結 第9章 3D積體電路集成工藝與套用 9.1 3D積體電路集成方法 ...
《後摩爾時代積體電路新型互連技術》是2017年9月科學出版社出版的圖書,作者是趙文生,王高峰,尹文言 。內容簡介 本書針對後摩爾時代積體電路中的互連難題,集中討論基於碳納米材料的片上互連技術和三維積體電路的矽通孔技術。書中簡單...
《面向三維晶片的互連參數提取與熱分析算法研究》是依託清華大學,由喻文健擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用矽通孔(TSV)技術的三維晶片是積體電路和SOC晶片發展的趨勢,它具有更高性能、更低功耗、更大集成度和更低成本的潛在優勢...
第1章半導體積體電路封裝3D集成 第2章矽通孔的建模和測試 第3章應力感測器用於薄晶圓拿持和應力測量 第4章封裝基板技術 第5章微凸點製造、裝配和可靠性 第6章三維矽集成 第7章2.5D/3DIC集成 第8章基於轉接板的3DIC集成 第9章...
本項目針對傳統平面微波無源器件占用面積大、性能差、難以三維集成等科學問題,研究基於矽通孔(TSV)技術的微波電容、電感、濾波器和耦合器等無源器件的三維結構、寬頻帶建模和微波特性。提出了Cu-CNT異質同軸TSV和同軸-環形TSV兩種新型TSV...
2.3.4 矽通孔維度:設計點選擇 19 2.3.5 通孔工藝集成和通孔類型的重新分類 21 2.4 總結 23 參考文獻 24 第3章 三維 (3D) 晶片的熱和電源傳輸挑戰 26 3.1 介紹 26 3.2 三維積體電路中的熱問題 27 3.2.1 熱PDE ...
積體電路封裝材料是積體電路封裝測試產業的基礎,而積體電路先進封裝中的關鍵材料是實現先進封裝工藝的保障。本書系統介紹了積體電路先進封裝材料及其套用,主要內容包括緒論、光敏材料、晶片黏接材料、包封保護材料、熱界面材料、矽通孔相關...
本項目針對銅TSV和碳納米管TSV技術,考慮不同TSV材料、長度、直徑、介電厚度和間距等因素,建立三維積體電路TSV通孔的電阻、電感、電容的解析模型及熱模型;考慮層間通孔和互連焦耳熱,獲得三維積體電路的熱解析模型和頂層互連線的熱解析...
邢孟江 邢孟江,男,浙江紹興人,昆明理工大學電工電子中心副教授。人物經歷 教育背景 2012年3月,畢業於西安電子科技大學微電子學院,獲工學博士學位。研究方向 基於矽通孔技術的三維積體電路設計與分析 ...
在小時延缺陷檢測實驗中,通過ITC99基準電路中內部結點的最長通路被選擇用於進行超速時延測試。實驗結果表明,該方法可以實現強用力的小時延缺陷檢測; (3) 項目實現了一種三維積體電路矽通孔時延缺陷檢測方法,該方法的實現是通過構建環形...
1、積體電路快速建模 隨著二維積體電路加工工藝逐漸達到物理極限,積體電路逐漸向三維空間集成方向發展,通過轉接板(interposer)、穿透矽通孔(TSV)等技術使得積體電路繼續按照(甚至超越)摩爾定律發展。隨著三維集成技術的不斷發展,金屬互連...