矽通孔三維封裝技術

內容簡介

矽通孔（TSV）技術是當前先進性的封裝互連技術之一，基於TSV技術的三維（3D）封裝能夠實現晶片之間的高密度封裝，能有效滿足高功能晶片超薄、超小、多功能、高性能、低功耗及低成本的封裝需求。本書針對TSV技術本身，介紹了TSV結構、性能與集成流程、TSV單元工藝、圓片級鍵合技術與套用、圓片減薄與拿持技術、再布線與微凸點技術；基於TSV的封裝技術，介紹了2.5D TSV中介層封裝技術、3D WLCSP技術與套用、3D積體電路集成工藝與套用、3D積體電路的散熱與可靠性。

作者簡介

於大全博士，廈門大學微電子與積體電路系主任、閩江學者特聘教授、博導，中科院百人計畫，國家02重大專項總體組特聘專家、中國半導體行業協會MEMS分會副理事長、全國半導體器件標準化技術委員會委員。國家自然科學基金項目、國家科技重大專項02專項、中科院百人計畫項目主持人。

圖書目錄

第1章三維封裝發展概述

1.1 封裝技術發展

1.2 拓展摩爾定律——3D封裝

1.2.1 3D封裝驅動力

1.2.2 3D TSV封裝優勢

1.3 3D封裝技術發展趨勢

1.4 本書章節概覽

第2章 TSV結構、性能與集成流程

2.1 TSV定義和基本結構

2.2 TSV工藝流程概述

2.3 Via-middle技術

2.4 Via-last技術

2.5 其他TSV技術路線

2.6 本章小結

第3章 TSV單元工藝

3.1 TSV刻蝕技術

3.2 TSV側壁絕緣技術

3.3 TSV黏附層、擴散阻擋層及種子層沉積技術

3.4 TSV電鍍填充技術

3.5 TSV平坦化技術

3.6 TSV背面露銅技術

3.7 本章小結

第4章圓片級鍵合技術與套用

4.1 圓片級鍵合與3D封裝概述

4.1.1 圓片-圓片鍵合與晶片-圓片鍵合

4.1.2 直接鍵合與間接鍵合

4.1.3 正面-正面鍵合與正面-背面鍵合

4.1.4 圓片級鍵合與多片/單片3D集成

4.2 介質鍵合技術

4.2.1 介質鍵合技術簡介

4.2.2 氧化矽親水性鍵合

4.2.3 聚合物膠熱壓鍵合

4.3 金屬圓片鍵合技術

4.3.1 金屬直接鍵合技術簡介

4.3.2 銅-銅熱壓鍵合

4.3.3 表面活化鍵合

4.4 金屬/介質混合鍵合技術

4.4.1 混合鍵合技術簡介

4.4.2 銅/氧化矽混合鍵合

4.4.3 銅/聚合物膠混合鍵合

4.4.4 微凸點/聚合物膠混合鍵合

4.5 本章小結

第5章圓片減薄與拿持技術

5.1 圓片減薄技術

矽通孔三維封裝技術

基本介紹

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