《矽通孔3D集成技術》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是(美)John H. Lau。
基本介紹
- 中文名:矽通孔3D集成技術
- 作者:John H. Lau
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2014年1月
- ISBN:9787030393302
《矽通孔3D集成技術》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是(美)John H. Lau。
《矽通孔3D集成技術》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是(美)John H. Lau。內容簡介本書系統討論用於電子、光電子和MEMS器件的三維集成矽通孔(TSV)技術的最新進展和未來可能的演變趨勢,同時詳盡討論三維...
矽穿孔(英語:Through Silicon Via, 常簡寫為TSV,也稱做矽通孔)是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)的互連技術,TSV可堆疊多片晶片,其設計概念來自於印刷電路板(PCB), 在...
《矽通孔三維集成的高頻電磁分析與最佳化設計》是依託浙江大學,由魏興昌擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目針對先進矽通孔三維集成中元器件排布高密度、體積小型化、功能多元化的發展趨勢,發展電磁-微電子多尺度、一體化建模技術,...
穿透矽通孔技術,一般簡稱矽通孔技術,英文縮寫為TSV(through silicon via)。簡介 它是三維積體電路中堆疊晶片實現互連的一種新的技術解決方案。由於矽通孔技術能夠使晶片在三維方向堆疊的密度最大、晶片之間的互連線最短、外形尺寸最小...
《矽通孔三維封裝技術》是2021年電子工業出版社出版的圖書,作者是於大全。內容簡介 矽通孔(TSV)技術是當前先進性的封裝互連技術之一,基於TSV技術的三維(3D)封裝能夠實現晶片之間的高密度封裝,能有效滿足高功能晶片超薄、超小、多...
矽通孔三維集成電路實現了晶圓在豎直方向的堆疊集成,具有集成度高、互連延遲小、速度快等優點;因而得到了廣泛關注,本書系統化介紹了矽通孔三維積體電路測試中的各項關鍵技術,為讀者進行更深層次的三維積體電路設計、模擬、測試和可測性...
本書所提出的矽通孔結構、矽通孔解析模型、矽通孔電磁模型、三維集成電路熱管理、三維集成互連線建模和設計等關鍵技術,已經在 IEEE TED、IEEE MWCL 等國外著名期刊上發表,可以直接供讀者參考。圖書目錄 前言 第1章三維積體電路概述 第...
《三維電子封裝的矽通孔技術》是2014年7月化學工業出版社出版的圖書,作者是【美】John HLau(劉漢誠),譯者是秦飛、曹立強。內容簡介 本書系統討論了用於電子、光電子和微機電系統(MEMS)器件的三維集成矽通孔(TSV)技術的最新進展...
《三維集成電路的矽通孔串擾噪聲分析與最佳化技術研究》是錢利波為項目負責人,寧波大學為依託單位的青年科學基金項目。項目摘要 片上系統工作速度不斷增加與通孔分布密度急劇上升,導致矽通孔(TSV)串擾噪聲成為影響三維積體電路時序性能、...
本課題對推動我國開展國際前沿的三維集成電路設計方法研究和EDA技術開發具有重要理論價值和套用前景。結題摘要 三維積體電路通過矽通孔和倒焊晶片封裝將多個矽晶片在垂直方向集成,是延續積體電路摩爾定律的重要方向之一。本項目圍繞三維集成...
三維集成電路技術,已成為國際公認的微電子業中可持續發展的關鍵性前沿技術,而矽通孔結構作為三維積體電路核心技術,更是成為國際研究的熱點。本項目針三維積體電路封裝存在的關鍵電磁科學問題進行研究,該項目的主要研究內容及重要成果為: ...
《TSV三維集成理論、技術與套用》是2022年科學出版社出版的圖書。內容簡介 後摩爾時代將矽通孔(through silicon via,TSV)技術等先進集成封裝技術作為重要發展方向。《TSV三維集成理論、技術與套用》系統介紹作者團隊在TSV三維集成方面的...
課題的開展將會為3D-ICs設計提供科學指導和技術支撐,具有重要的理論價值和套用前景。結題摘要 基於多電壓的低功耗技術能有效緩解集成電路熱效應,但其帶來的設計複雜性給自動化設計工具帶來新的挑戰,本項目從物理級布局規劃和邏輯級綜合...
三維集成技術被認為是實現小型化、高密度、多功能的首先方案。相對於二維集成,三維集成有許多優點:集成度高、可實現多種晶片的集成、提高速度、改善性能以及減小體積和重量,受到了研究人員的廣泛關注。而矽通孔(Through Silicon Via,...
基於矽通孔的三維集成電路互連技術,將具有不同功能的異質晶片垂直堆疊在一起以實現三維互連,能夠大幅度的降低全局互連線的長度、互連延遲、各種寄生效應以及功耗等。考慮到TSV對3D IC的重要性,新型TSV結構及特性研究變得非常重要。 ...
近年來,鍵合技術作為一種行之有效的方法,在3D集成封裝領域得到了前所未有的關注。雖然現階段鍵合技術結合矽通孔技術作為實現晶片之間互聯的最新技術,正在3D集成封裝技術中被廣泛的研究,但其高昂的價格以及其複雜的製造工藝也制約它被大...
《先進電子封裝技術與關鍵材料叢書--TSV 3D RF Integration:HR-Si Int》是2021年化學工業出版社出版的圖書。內容簡介 三維射頻集成套用是矽通孔(TSV)三維集成技術的重要套用發展方向。隨著5G與毫米波套用的興起,基於高阻矽TSV晶圓級...
《高性能,低功耗,高可靠三維集成電路設計》可作為高等院校微電子技術、電路與系統等專業高年級本科生和研究生的教材或參考書,也可作為從事三維積體電路設計的相關技術人員的參考資料。圖書目錄 第一部分 高性能低功耗三維積體電路設計 第...
考慮層間通孔和互連焦耳熱,獲得三維積體電路的熱解析模型和頂層互連線的熱解析模型,考慮三維積體電路的面積、通信頻寬和溫度的約束,套用多級路由技術實現三維積體電路熱通孔最最佳化分配技術,為三維集成技術套用於未來積體電路設計提供必要...
圖書目錄 前言 第1章引言 第2章傳統片上互連 第3章碳納米材料 第4章碳納米互連特性分析 第5章片上互連的高頻特性 第6章三維集成與矽通孔技術 第7章矽通孔的特性分析 第8章基於碳納米管的矽通孔 ...
公司研究領域包括2.5D/3D 矽通孔(TSV)互連及集成關鍵技術、晶圓級高密度封裝技術、SiP產品套用以及與封裝技術相關的材料和設備的驗證、改進與研發,為產業界提供系統解決方案。公司的研發平台包括先進封裝設計仿真平台、2200平方米的淨化間...
在尺寸和重量方面,3D設計替代單晶片封裝縮小了器件尺寸、減輕了重量。與傳統封裝相比,使用3D技術可縮短尺寸、減輕重量達40-50倍;在速度方面,3D技術節約的功率可使3D元件以每秒更快的轉換速度運轉而不增加能耗,寄生性和方法;矽片後處理...
基於矽通孔(TSV)的三維集成電路(3D ICs)是未來積體電路發展的主流技術。項目重點面向超高密度集成套用,解決基於多種材料TSV的三維積體電路TSV建模及信號完整性、互連功耗最佳化、熱管理、微波無源器件集成等方面的系列科學問題,並探索光...
第1章半導體積體電路封裝3D集成 第2章矽通孔的建模和測試 第3章應力感測器用於薄晶圓拿持和應力測量 第4章封裝基板技術 第5章微凸點製造、裝配和可靠性 第6章三維矽集成 第7章2.5D/3DIC集成 第8章基於轉接板的3DIC集成 第9章...
243D集成系統的成本問題22 25小結24 第3章3D積體電路製造技術25 31單片3D IC26 311堆疊3D IC26 3123D鰭形場效應電晶體31 32帶矽通孔(TSV)或平面間過孔的3D IC32 33非接觸3D ...
三維晶片是將不同電路單元製作在多個平面晶片上,並通過矽通孔(ThroughSiliconVias,TSVs)層間垂直互連技術將多個晶片(Die)在垂直方向進行堆疊互連而形成的一種全新的晶片結構,具有集成度高、功耗低、頻寬高、面積小、互連線短、支持...