《基於TSV的三維集成關鍵技術研究》是依託西安電子科技大學,由楊銀堂擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名:基於TSV的三維集成關鍵技術研究
- 項目類別:重點項目
- 項目負責人:楊銀堂
- 依託單位:西安電子科技大學
《基於TSV的三維集成關鍵技術研究》是依託西安電子科技大學,由楊銀堂擔任項目負責人的重點項目。
《基於TSV的三維集成關鍵技術研究》是依託西安電子科技大學,由楊銀堂擔任項目負責人的重點項目。中文摘要面向超高密度存儲器套用,重點研究基於多種材料TSV的三維積體電路TSV建模及信號完整性、互連功耗最佳化、熱管理和熱分布等...
《三維集成電路的TSV建模和信號完整性關鍵技術研究》是依託西安電子科技大學,由朱樟明擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目研究三維積體電路銅和碳納米管束TSV的解析模型、電磁模型、互連信號完整性方面的關鍵基礎科學問題。針對銅TSV...
《航天高可靠矽基微系統三維集成技術基礎研究》是依託北京大學,由陳兢擔任負責人的聯合基金項目。項目摘要 TSV三維封裝技術能將不同工藝、不同品種的各類晶片集成為一個高密度微系統,滿足以航天計算機為代表的航天電子系統高性能、小型化...
《基於三維光電混合集成電路的光TSV研究》是依託西安電子科技大學,由張軍琴擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目面向三維光電混合積體電路套用,重點解決基於多種材料光TSV的基本結構、基本原理、基本性能和實現方法等方面的系列科學問題...
《基於多電壓的三維集成電路布局規劃研究》是依託寧波大學,由儲著飛擔任負責人的國家自然科學基金資助青年科學基金項目。項目簡介 三維積體電路(3D-ICs)通過矽通孔(TSV)實現晶片層垂直方向上的堆疊,縮短了互連線長度、提升了晶片的集成度...
隨著TSV三維異質集成技術向大功率GaN器件等領域套用滲透,散熱問題成為制約套用發展的關鍵問題,三維集成擾流式散熱屬於主動式散熱、具有散熱效率高優點,被認為是具有競爭力的解決方法。針對三維集成擾流式散熱微流道與TSV力電耦合影響這一...
《面向三維集成的TSV填充缺陷檢測方法研究》是依託江蘇師範大學,由陸向寧擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 隨著半導體工藝和方法的改進和提高,TSV技術以其優良的性能而被廣泛套用於3D封裝。而TSV直徑的不斷減小,及深寬比(...
《三維集成電路的熱、應力分析及協同物理設計研究》是依託復旦大學,由曾璇擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 三維積體電路通過矽通孔(TSV)實現垂直方向的晶片堆疊,大幅提高晶片集成度,減少互連長度,提高晶片性能,並能實現不同工藝...
《TSV三維集成理論、技術與套用》是2022年科學出版社出版的圖書。內容簡介 後摩爾時代將矽通孔(through silicon via,TSV)技術等先進集成封裝技術作為重要發展方向。《TSV三維集成理論、技術與套用》系統介紹作者團隊在TSV三維集成方面的...
《三維集成電路的矽通孔串擾噪聲分析與最佳化技術研究》是錢利波為項目負責人,寧波大學為依託單位的青年科學基金項目。項目摘要 片上系統工作速度不斷增加與通孔分布密度急劇上升,導致矽通孔(TSV)串擾噪聲成為影響三維積體電路時序性能、...
《三維電子封裝關鍵結構-TSV的微觀與巨觀力學行為研究》是依託北京工業大學,由秦飛擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 針對下一代三維封裝技術的關鍵結構單元-矽通孔(TSV),採用實驗、理論分析和數值模擬方法,研究TSV結構的微觀-巨觀...
《面向三維晶片的互連參數提取與熱分析算法研究》是依託清華大學,由喻文健擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用矽通孔(TSV)技術的三維晶片是集成電路和SOC晶片發展的趨勢,它具有更高性能、更低功耗、更大集成度和更低成本的潛在優勢...
考慮碳納米管TSV的橫向和縱向熱導率,研究碳納米管熱通孔密度最佳化分配技術。本項目的研究成果將為碳納米管技術套用於未來三維積體電路設計提供必要的理論基礎。結題摘要 基於TSV的三維集成電路技術是解決縮短連線、多級集成、改善性能和降低...
7.4.2集成應力感測器 7.4.3拉曼散射光譜 7.4.4納米壓痕 7.4.5X射線衍射 7.4.6同步輻射X射線衍射 7.4.7TSV銅晶粒 參考文獻 第8章三維集成新技術 8.1同軸TSV 8.1.1同軸TSV的等效電路模型 8.1.2電學參數提取 8.1.3...
獲取一批相關發明專利,為我國下一代超大規模集成電路的發展提供基本的理論和和技術支撐。結題摘要 本課題研究了三維(3D)器件結構多核心處理器互連低功耗技術中的關鍵性技術,建立了3D器件結構中穿透矽通道(TSV)模型,分析其中的各種...
本書系統討論了用於電子、光電子和微機電系統(MEMS)器件的三維集成矽通孔(TSV)技術的最新進展和可能的演變趨勢,詳盡討論了三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和潛在解決方案。首先介紹了半導體工業中的納米技術和三維集成技術的起源和...
隨著CMOS大規模積體電路技術逼近尺寸縮小的極限,二維平面上的集成規模難以進一步提升,未來積體電路架構將朝著三維集成和系統集成的方向發展。不同於TSV三維集成技術,本項目提出採用同質三維集成的方法,將不同功能的矽納米線器件在第三維度...
本項目的研究有助於三維電子封裝製作工藝參數的最佳化和可靠性的改善,也有助於界面力學的理論體系和微尺度實驗力學技術的進一步發展。結題摘要 作為三維電子封裝關鍵部件的矽通孔(TSV)結構可以方便的實現層疊晶片垂直方向的電互連,由於減少...
.上述研究目標的實現,將大大提升我國在三維晶片領域的科技創新能力,為三維布局工具在實際工業設計上的套用,提供科學實驗依據。結題摘要 三維晶片的出現,有效地提高了晶片的集成度,成為延續摩爾定律的重要技術。在深亞微米階段,互連問題...