《超大規模積體電路先進光刻理論與套用》是2016年5月科學出版社出版的圖書，作者韋亞一。
基本介紹
- 中文名：超大規模積體電路先進光刻理論與套用
- 作者：韋亞一
- 類別：電子電路
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2016年06月
- 頁數：558 頁
- 定價：260 元
- 開本：720×1000 1/16
- 裝幀：平裝-膠訂
- ISBN：9787030482686
內容簡介,圖書目錄,作者簡介,
內容簡介
光刻技術是所有微納器件製造的核心技術。在積體電路製造中，正是由於光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續。本書覆蓋現代光刻技術的重要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝。在設備部分，對業界使用的主流設備進行剖析，介紹其原理結構、使用方法、和工藝參數的設定。在材料部分，介紹了包括光刻膠、抗反射塗層、抗水塗層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結構、使用方法，以及必須達到的性能參數。本書按照仿真技術發展的順序，系統介紹基於經驗的光學鄰近效應修正、基於模型的光學鄰近效應修正、亞曝光解析度的輔助圖形、光源-掩模版共最佳化技術和反演光刻技術。如何控制套刻精度是光刻中公認的技術難點，本書有一章專門討論曝光對準系統和控制套刻精度的方法。另外，本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責，以及如何協調各方資源保證研發進度。
圖書目錄
前言
第1章光刻技術概述
第2章勻膠顯影機及其套用
第3章光刻機及其套用
第4章光刻材料
第5章掩模版及其管理
第6章對準和套刻誤差控制
第7章光學鄰近效應修正與計算光刻
第8章光刻工藝的設定與監控
第9章晶圓返工與光刻膠的清除
第10章雙重和多重光刻技術
第11章極紫外（EUV）光刻技術
中英文光刻術語對照
彩圖
作者簡介
2013年 – 至今： 中國科學院微電子研究所研究員、博士生導師；國家科技重大專項“300mm晶圓勻膠顯影設備”首席科學家（瀋陽芯源微電子設備公司）。
2009年 – 2013年： 美國格羅方德紐約研發中心光刻經理。
2007年 – 2008年： 美國安智公司新澤西研發中心，高級科學家(Senior Staff Scientist)。
2001年 – 2007年： 德國英飛凌公司美國紐約研發中心，高級工程師(Senior/Staff Engineer)。
1998年 – 2001年： 美國能源部橡樹嶺國家實驗室，博士後
