薄膜澱積(thin film deposition)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:薄膜澱積
- 外文名:thin film deposition
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
薄膜澱積(thin film deposition)是1993年公布的電子學名詞。
薄膜澱積(thin film deposition)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
化學氣相澱積指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。化學氣相沉積CVD (Chemical Vapor Deposition)化學...
《雷射掃描原位澱積大面積超導薄膜》是依託華中科技大學,由宋文棟擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 大面積均勻的超導薄膜在微波器件領域有著廣闊的套用前景。雖然雷射沉積技術是製備高Tc超導薄膜最有效的方法之一,但如何提高薄膜...
《原子層澱積高介電納米層狀薄膜的生長與性能研究》是依託南京大學,由李愛東擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 積體電路的迅猛發展使傳統的二氧化矽柵介電材料趨近了它的使用極限,尋找新的新的高介電常數的替代材料,成為半導體工業迫...
《脈衝雷射澱積製備光學薄膜多層膜及其新效應的研究》是依託南京大學,由劉俊明擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 系統研究了幾種具有實用化前景的光學薄膜脈衝雷射澱積法製備,特別是ZnO、LN和BNN薄膜的製備。對不同取向KTP襯底上...
《脈衝雷射澱積法製備KTP晶體薄膜及其結構、性能研究》是王忠烈為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。項目摘要 利用脈衝雷射法製備了幾種典型的氧化物功能薄膜。首次在MgO襯底上處延生長了鉀鈉鈮酸鍶鋇鐵電薄膜;在LaAlO3襯底上...
《離化原子團束澱積薄膜結構的計算機模擬研究》是依託清華大學,由宮聲凱擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 套用免疫印漬、PCR、RT-PCR、體外細胞毒性試驗和序列測定等方法分析Hp感染患者血清抗體類型、cagA,cagM,cagI,cagⅡ和IS...
在理論上,不但薄膜的生長機理需要搞清,而且薄膜的光學理論,特別是套用於極短波段的光學理論也有待進一步完善和改進。在工藝上,人們還缺乏有效的手段實現對薄膜澱積參量的精確控制,這樣,薄膜的生長就具有一定程度的隨機性,薄膜的光學...
superconducting thin film,利用蒸發、噴塗等方法澱積的厚度小於1微米的超導材料。簡介 超導薄膜除幾何尺寸與塊狀超導體不同外,其結構和超導性質也有較大差別。對於塊狀超導體,磁場穿透層很薄,可以忽略不計,具有完全的抗磁性。但是超導...
銦鎵鋅氧 (IGZO)薄膜具有可低溫澱積、透明性好、導電率高及均勻度佳等特點,是透明電子學領域新興的寬禁帶半導體材料。但多元IGZO薄膜在組分精確控制及電晶體(TFT)套用等方面,仍存在諸多問題。本項目(1)利用原子層澱積(ALD)方法精確的...
本書重點闡述多晶矽薄膜的基本性質及工藝機理,還包括多晶矽薄膜在MOS積體電路和雙極積體電路中的套用等內容。圖書目錄 目錄 緒論 第一章 多晶矽薄膜的澱積 第二章 多晶矽薄膜的電學性質 第三章 雜質在多晶矽薄膜中的擴散和多晶矽薄膜的離子...
採用直流二級反應濺射的方法,在矽烷和氬氣中用高純鉭靶,直接在微晶玻璃基片上澱積鉭矽薄膜,背景氣壓一般為(6~8)×10托,濺射電壓4.5kV,電流密度為0.2~0.4mAcm²,濺射氣壓為1x10托,極間距離為6.5cm。澱積速率為80~120A/...
脈衝雷射製備薄膜的優點是:1、薄膜成分容易實現與靶材一致;2、澱積速率快,一般比射頻濺射法快6-10倍;3、薄膜質量高,膜層和基底之間互擴散小;4、容易引入新的單元技術,如引入高能電子衍射(RHEED)原位實時監測薄膜生長,引入活性...
真空蒸發工藝在微電子技術中主要用於製作有源元件、器件的接觸及其金屬互連、高精度低溫度係數的薄膜電阻器,以及薄膜電容器的絕緣介質和電極等。簡介 將固體材料置於高真空環境中加熱,使之升華或蒸發並澱積在特定的襯底上,以獲得薄膜的...
濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜澱積兩個方面。濺射刻蝕時,被刻蝕的材料置於靶極位置,受氬離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材料的濺射產額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關。濺射刻蝕時,應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極...
MEMS製造工藝(Microelectromechanical systems,MEMS )是下至納米尺度,上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS製造工藝,方式十分豐富,幾乎涉及了各種現代加工技術。起源於半導體和微電子工藝,以光刻、外延、薄膜澱積、氧化、擴散...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新...
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。原理 金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)又稱有機金屬化合物氣相澱積...
第7章 化學氣相澱積 7.1 CVD概述 7.2 CVD工藝原理 7.2.1 薄膜澱積過程 7.2.2 薄膜澱積速率及影響因素 7.2.3 薄膜質量控制 7.3 CVD工藝方法 7.3.1 常壓化學氣相澱積 7.3.2 低壓化學氣相澱積 7.3.3 電漿的產生 7...
主要內容包括:光子、電子、離子和電漿及其作用,常用的襯底與薄膜材料,微細圖形技術,薄膜澱積、蝕刻、外延生長、氧化、擴散和離子注入的過程和方法,以及微細結構的光學、電子顯微、聲學、掃描探針顯微等微觀分析和表征手段。作品目錄 ...
在積體電路片上澱積金屬薄膜,並通過光刻技術形成布線,把互相隔離的元件按一定要求互連成所需電路的工藝。對用於積體電路互連的金屬材料的要求是:電阻率低,能與元件的電極形成良好的低歐姆接觸;與二氧化矽層的粘附性要好;便於澱積和...
5.1 薄膜生長技術 5.2 薄膜澱積技術 5.3 薄膜的表征 5.4 積體電路常用薄膜 第6章 積體電路工藝的“減法”:薄膜的刻蝕 6.1 薄膜刻蝕概述 6.2 濕法刻蝕 6.3 乾法刻蝕 6.4 剝離技術(Lift-off)6.5 CMP技術 第7章...
通用的澱積技術是化學汽相澱積(CVD) 、蒸發和濺射。圖4.6列出了常見的薄膜材料和增層工藝。其中每項的具體情況在本書的工藝章節各有闡述。各種薄膜在器件結構內的功用在第16章進行解釋。層別(Layers) 熱氧化工藝(Thermal Oxidation)...
此外,當晶片配置於澱積機台上,且防護環配置於晶片周圍時,防護環與晶片之間的間距小於0.7毫米。本發明的防護環可使得薄膜在晶片側壁不會形成側邊澱積的現象,因此可提高薄膜澱積工藝的平坦度與良率。
《半導造工藝基礎》是2020年安徽大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書主要介紹從晶體生長到集成器件和電路的完整的半導體製造技術,具體包括晶體生長、矽的氧化、光刻、刻蝕、擴散、離子注入、薄膜澱積、工藝集成、積體電路製造、半導體製造的...
在澱積室內(25℃),單體聚集到所有裸露面上,以約5μm/h的速率聚合成C型聚對二甲苯。最近研製出一種通過在澱積室改進樣品添加裝置來直接澱積聚對二甲苯為納米結構薄膜的工藝。材料特性 聚對二甲苯化學性質不活潑,表面塗層保形,而且是一...
所以一般用於厚的介質澱積。除了常壓化學氣相澱積(APCVD)之外,還有低壓化學氣相澱積(LPCVD),電漿增強型澱積(PECVD)。在晶片製造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導體、半導體,或是介電材料,都可以用化學氣相澱積來製備。
表面犧牲層技術是指在形成微機械結構的空腔或可活動的微結構過程中,先在下層薄膜上用結構材料澱積所需的各種特殊結構件,再用化學刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉,但不損傷微結構件,然後得到上層薄膜結構(空腔或微結構件)的技術。由於被去掉...