《原子層澱積高介電納米層狀薄膜的生長與性能研究》是依託南京大學，由李愛東擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：原子層澱積高介電納米層狀薄膜的生長與性能研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李愛東
- 依託單位：南京大學
- 批准號：50672036
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
積體電路的迅猛發展使傳統的二氧化矽柵介電材料趨近了它的使用極限，尋找新的新的高介電常數的替代材料，成為半導體工業迫在眉睫的問題。原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition, ALD)是一種可對膜厚進行近似原子層的精確控制的新型製備技術，由於其獨特的生長機理，特別是其在界面調控方面表現出的優勢，在深亞微米積體電路和納米結構的製備上顯示出巨大的套用前景。本項目擬採用ALD方法和新型的無碳、無氯前體，研究不同前驅體、襯底對ALD生長特性的影響，建立ALD生長的表面物理化學機制及其與前驅體的關係。在設計和製備若干納米層狀（Nanolaminate）雙元金屬氧化物高介電薄膜的實驗基礎上，提出改進界面穩定性的對策。發現一種在半導體工業上有望實用化的高介電薄膜。發展出一套使用新型前驅體，適合製備高介電常數柵介電膜、並與MOSFETs製備工藝相兼容的ALD技術。
