《脈衝雷射澱積法製備KTP晶體薄膜及其結構、性能研究》是王忠烈為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：脈衝雷射澱積法製備KTP晶體薄膜及其結構、性能研究
- 項目類別 ：面上項目
- 項目負責人：王忠烈
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號 ：19574003
- 申請代碼 ：A2001
- 負責人職稱 ：教授
- 研究期限 ：1996-01-01至1998-12-31
- 支持經費 ：8(萬元)
項目摘要
利用脈衝雷射法製備了幾種典型的氧化物功能薄膜。首次在MgO襯底上處延生長了鉀鈉鈮酸鍶鋇鐵電薄膜；在LaAlO3襯底上實現了該膜的異質結取向生長，並首次觀測到了其典型的電滯回線和鐵電參數，表明這一薄膜具有用作薄膜光波導和鐵電存儲器的潛力。系統地研究了性能優良的La0.5Sr0.5CoO3導電薄膜在多種襯底和沉積溫度條件下的外延生長和電輸運特性，獲得了襯底及沉積溫度等對這一薄膜性能的影響及機理的深入認識。在Si（100）基片上製備了（100）取向的CeO2薄膜，首次發現了CeO2的取向對氧壓的獨特依賴關係，提出了新的界面生長模型。在LaAlO3襯底上處延生長了幾種稀土摻雜錳氧化物薄膜。觀測到了低磁場下顯著的鐵磁轉變及巨磁電阻效應。
