表面犧牲層技術

表面犧牲層技術是指在形成微機械結構的空腔或可活動的微結構過程中，先在下層薄膜上用結構材料澱積所需的各種特殊結構件，再用化學刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結構件，然後得到上層薄膜結構（空腔或微結構件）的技術。

基本介紹

• 中文名：表面犧牲層技術
• 定義：工藝名

由於被去掉的下層薄膜只起分離層作用，故稱其為犧牲層（sacrificial layer，厚度約1-2μm）。常用的結構材料有多晶矽、單晶矽、氮化矽、氧化矽和金屬等，常用犧牲層材料主要有氧化矽、多晶矽、光刻膠。利用犧牲層可製造出多種活動的微結構，如微型橋、懸臂樑及懸臂塊等，此外常被用來製作敏感元件和執行元件，如諧振式微型壓力感測器、諧振式微型陀螺、微型加速度計及微型馬達、各種制動器等。