微米/納米加工技術國家級重點實驗室（北京大學）

概況簡介

北京大學微米納米加工技術國家重點實驗室及其所依託的微電子學研究院的前身是1956年由著名物理學家黃昆院士領導在北大物理系創建的我國第一個半導體專門化，七十年代研製出我國第一塊矽柵N溝道1K MOS DRAM，是我國微電子科學技術史上的重要里程碑之一，獲全國科學大會獎。近年來，在微電子學家王陽元院士的領導下，該學科點有了重大的發展，目前已經成為我國微電子領域高層次人才培養和科學研究的的重要基地之一。

研究力量

實驗室有教授8人，教授級高工2人，副教授3人，研究員1人。

基礎條件

目前該實驗室包括微電子淨化工藝實驗室面積為900m，擁有各種先進的工藝加工及檢測設備130餘台套，可加工CMOS積體電路、超高速矽雙極積體電路、微電子機械系統、CMOS/SOI積體電路和化合物半導體器件等；系統晶片(SOC)軟硬體協同設計實驗室、多目標晶片設計實驗室和計算機輔助工程(CAE)實驗室的面積1000m，擁有進行邏輯綜合、電路模擬、電路設計、版圖設計以及器件和工藝模擬等方面研究的最新軟體。目前實驗室有價值200萬元以上的設備超過15台，是國內配套最全、最開放的微電子和微電子機械工藝實驗研究環境。

主要設備

雙面對準光刻設備（Suss MA6）；矽/矽和矽/玻璃鍵合對準設備（Suss BA6）；矽/矽和矽/玻璃鍵合設備（Suss SB6 VAC Substrate Bonder）；專用矽表面親水化清洗設備（CL6 Cleaner）；高深寬比的矽深槽刻蝕設備（STS Multiplex）；表面犧牲層工藝用LPCVD設備（LPCVD ASM LB35）；4英寸IC工藝設備。

研究方向

北京大學微電子學研究院的研究方向主要有三個，即ULSI新器件及集成技術、系統集成晶片(SOC)設計及其設計方法學、微電子機械系統(MEMS)技術。這三個研究方向均是當前國際微電子學學科發展的重點領域。

ULSI器件及其集成技術研究

在ULSI器件及其集成技術研究方面，作為首席科學家單位主持了“系統晶片中新器件新工藝的基礎研究”的973課題，另外還承擔了30餘項國家重大科技攻關、863、國家自然科學基金、國際合作等科研項目，已經形成了自己的特色。研究的重點領域包括ULSI器件模型模擬、亞100納米ULSI新結構器件、微小尺度MOS器件可靠性等。

系統集成晶片(SOC)設計及其設計方法學研究

在系統集成晶片(SOC)設計及其設計方法學研究方面，具有軟體、硬體和體系結構緊密結合，器件物理和電路理論緊密結合的學術優勢，並且已經在軟硬體協同設計、IP設計方面形成了自己的特色。主要的研究領域包括：面向微處理器的IP設計技術、多目標圓片服務體系、系列專用積體電路設計及其開發等。

微電子機械系統(MEMS)技術研

在微電子機械系統(MEMS)技術研究方面，同時開展了MEMS工藝、器件以及MEMS EDA等方面的研究，具體的包括：體矽/表面犧牲層工藝等多種MEMS製造技術和成套工藝、微加速度計/微陀螺/可集成的光開關陣列/RF MEMS器件/生物MEMS器件等MEMS器件、MEMS EDA技術等。