等離子增強型原子層澱積系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子增強型原子層澱積系統
- 產地:英國
- 學科領域:信息科學與系統科學
- 啟用日期:2013年12月20日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
等離子增強型原子層澱積系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月20日啟用。
等離子增強型原子層澱積系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月20日啟用。技術指標Al2O3: 均勻性<3% ,擊穿電場>8MV/cm, 介電常數>8.5 HfO: 均勻性<...
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等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級,誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
電漿增強型原子層澱積系統 電漿增強型原子層澱積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2015年12月11日啟用。技術指標 反應腔:24cm/8/加熱溫度:25-400℃。主要功能 等離子態分析。
等離子加強原子層沉積 等離子加強原子層沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的科學儀器,於2017年10月17日啟用。技術指標 FIJI F200。主要功能 等離子加強原子層沉積系統。
等離子體增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
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