《化學氣相沉積爐》是2015年10月1日實施的行業標準。
基本介紹
- 中文名:化學氣相沉積爐
- 標準號:YS/T 1031-2015
- 技術歸口:全國有色金屬標準化技術委員會
- 發布日期:2015-04-30
- 批准發布部門:工業和信息化部
- 實施日期:2015-10-01
《化學氣相沉積爐》是2015年10月1日實施的行業標準。
化學氣相沉積爐 《化學氣相沉積爐》是2015年10月1日實施的行業標準。適用範圍 本標準適用於化學氣相沉積。起草單位 湖南頂立科技有限公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所等。起草人 戴煜、 胡祥龍、 胡高健等。
低壓化學氣相沉積爐是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年6月1日啟用。技術指標 適用於4英寸矽片,25片每批 結構型式:三管臥式熱壁型 澱積薄膜及澱積膜均勻性優於(1500埃情況下): 澱積膜厚度: 600~20000埃 主要工藝氣體:SiH4、SiH2Cl2、NH3、PH3 其中LTO採用TEOS熱分解製備 工作溫度範圍:550~...
真空化學氣相沉積爐 真空化學氣相沉積爐是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年01月01日啟用。技術指標 2100℃ 真空度5pa。主要功能 化學氣相沉積工藝的專用設備,主要用於大尺寸複合材料試件的製備。
氯化物高溫化學氣相沉積爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年11月12日啟用。技術指標 圓筒樣品加熱: 1. 加熱方式:採用輻射電阻加熱方式(圓柱石墨筒),實現樣品的加熱。圓柱石墨筒安裝在圓筒樣品內部; 2. 樣品加熱:樣品可加熱1000 oC,控溫精度±1 oC。主要功能 氯化物高溫化學氣相沉積系統主要用於...
矽烷氣相沉積爐 矽烷氣相沉積爐是一種用於化學工程領域的科學儀器,於2010年11月15日啟用。技術指標 0.2Mpa。主要功能 多晶矽沉積。
《化學氣相沉積反應爐中的排氣歧管》是艾克斯特朗歐洲公司於2017.04.05申請的專利,該專利的公布號為:CN109072429B,專利公布日:2021.06.15,發明人是:C.加勒夫斯基; S.E.薩瓦斯; M.穆基諾維克。 對比檔案 CN 1628368 A,2005.06.15; CN 102016118 A,2011.04.13; CN 102514214 A,2012.06...
化學氣相滲爐 化學氣相滲爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年6月17日啟用。技術指標 100 mN 載荷解析度:6Nn。主要功能 化學氣相沉積。
電漿化學氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,利用低溫電漿作為能量源,通入適量的反應氣體,利用電漿放電,...
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。簡介 有機金屬化合物化學氣相沉積法簡稱MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有機金屬化合物氣相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)簡稱MOVPE或OMVPE法。它是把反應物質全部以...
熱壁式反應器一般採用電阻加熱爐加熱,沉積室室壁和基體都被加熱,因此,這種加熱方式的缺點是管壁上也會發生沉積。冷壁式反應器只有基體本身被加熱,故只有熱的基體才發生沉積。實現冷壁式加熱的常用方法有感應加熱,通電加熱和紅外加熱等。技術特點 由 化學氣相沉積(CVD)技術所形成的膜層緻密且均勻, 膜層與基體的...
低溫化學氣相沉積技術工藝過程是: 經清洗後的待處理物件,按要求擺放在不鏽鋼製造的盛物框上,放人沉積室並接好電源,罩上沉積室。系統經檢漏密封合格後,通人H恢復常壓。再罩上加熱爐對沉積室進行加熱。當工件溫度升至規定沉積溫度後,啟動真空泵對系統排氣抽空,並通人Ar或N₂,通過直流脈衝電源對物件表面進行...
基於管式爐PECVD的化學氣相沉積薄膜製備虛擬仿真實驗是貴州師範學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 薄膜製備工藝在超大規模積體電路技術中有著非常廣泛的套用,按照其成膜方法河分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積( CVD)。等離子增強型化學氣相澱積( PECVD )是化學氣相澱積的一-種,其澱積溫度低是...
在熱壁式反應器中,整個反應器需要達到發生化學反應所需的溫度,基片處於由均勻加熱爐所產生的等溫環境下;而在冷壁式反應器中,只有基片需要達到化學反應所需的溫度,換句話說,加熱區只局限於基片或基片架。下面是在化學氣相沉積過程中所經常遇到的一些典型的化學反應。1.分解反應 早期製備Si膜的方法是在一定的...
1984年,美國橡樹嶺國家實驗室的Lackey教授發展了強制對流化學氣相滲透法(F-CVI)。美國杜邦和法國SEP公司最先實現I-CVI技術套用的產業化。模型步驟 CVI法是將先驅體通入反應爐內在多孔預製體內部連續、多次沉積某種物質而形成緻密的複合材料。Fitzer等提出了CVI過程模型步驟:(1)反應氣體擴散到纖維預製體孔隙表面;(2)...
採用管式爐化學氣相沉積裝置製備石墨烯,針對銅襯底表面二維平面石墨烯的生長過程,考察了甲烷在襯底表面的高溫吸附規律;澄清了銅襯底對石墨烯生長發揮的作用;獲得了沉積過程中氣相反應對石墨烯生長的影響;確定了氣相反應產物與襯底表面石墨烯生長的先後順序;探索了高溫下石墨烯的反應活性;揭示了不同沉積條件對石墨烯...
化學淨化爐(chemical purification furnace)是指在石墨化過程中,以化學方法除去製品內雜質元素及化合物,獲得高純度產品的大爐型。較多的化學淨化爐是建立在艾奇遜爐的基礎上,除保留該爐型的基本特徵外,為適應通純化氣體的需要,結構上作必要的改動。簡介 化學淨化爐(chemical purification furnace)是指在石墨化...
無論何種化學熱處理工藝,若按其滲劑在化學熱處理爐內的物理狀態分類,則可分為固體滲、氣體滲、液體滲、膏糊體滲、液體電解滲、電漿滲和氣相沉積等工藝。固體滲 所用的滲劑是具有一定粒度的固態物質。它由供滲劑(如滲碳時的木炭)、催滲劑(如滲碳時的碳酸鹽)及填料(如滲鋁時的氧化鋁粉)按一定配比...
PACVD 離子加強化學氣相沉積是在高度真空環境,溫度低於 200 ℃的情況下,沉積極度光滑,粘著性能好的無定形金剛石硬質合金塗層。相對 PVD 工藝, PaCVD 工藝套用深鍍電源,無需陰極靶材,同時工件在爐膛中無需旋轉,該工藝為乾淨無污染,可靠,和多性能的塗層工藝。 PACVD 又叫 PECVD 。加工溫度 PACVD 塗層的加工...
採用HT-CVD 技術生產的硬質塗層材料主要有:TiC、TiN、TiCN、Cr₇C₃、TiBN、Al₂O等單塗層和它們的複合塗層材料。高溫化學氣相沉積工藝過程包括工件沉積前處理(工件清洗、強化處理等)、裝爐、檢漏、加熱升溫、沉積、冷卻、檢查和包裝等。在整個沉積工藝過程中,要嚴格控制各加熱溫度和各種氣體流量。特別對CH₄...
LPCVD LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低壓力化學氣相沉積法廣泛用於氧化矽、氮化物、多晶矽沉積,過程在管爐中執行,要求也相當高的溫度。
半導體製程設備 《半導體製程設備》是五南出版的一本圖書,作者張勁燕。作品目錄 第1章 晶體成長和晶圓製作 第2章 磊晶沉積設備 第3章 微影照相設備 第4章 化學氣相沉積爐 第5章 氧化擴散高溫爐 第6章 離子植入機 第7章 乾蝕刻機 第8章 蒸鍍機 第9章 濺鍍機 第10章 化學機械研磨 ...
湖南頂立科技股份有限公司於2006年05月25日成立。法定代表人戴煜。主營產品 一、複合材料熱工裝備:化學氣相沉積爐、真空碳化爐、真空裂解爐、真空壓力浸漬爐、中頻感應爐、碳碳/碳陶剎車盤製備系列設備、連續式碳化爐、連續式石墨化爐、連續式活化爐、連續式預氧化爐、真空石墨化爐。二、陶瓷基複合材料熱工裝備:炭...
一、複合材料熱工裝備:化學氣相沉積爐、真空碳化爐、真空裂解爐、真空壓力浸漬爐、真空石墨化爐。二、高性能陶瓷熱工裝備:真空燒結爐(碳化矽/氮化矽/氮化鋁)、氣壓燒結爐、連續式燒結爐。三、石墨提純熱工裝備:間歇式提純爐、連續式高溫提純爐、推舟式高溫提純爐。四、碳纖維及製品熱工裝備:連續式預氧化爐、...
擁有十多個設備先進、功能完備的實驗室,配備有島津紫外分光光度計、雷射粒度分析儀、化學氣相沉積爐、電化學工作站、高速冷凍離心機以及二等標準測力計等一系列高端儀器設備。近年來,確立了“以納米材料為基礎的氣敏感測器的研究”、“以固定化技術為支撐的生物感測技術研究”及“以嵌入式技術為核心的智慧型感測器及感測...
1、化學氣相沉積(CVD)將需製備SiC塗層的試樣放入反應管中,以MTS為先驅體原料,在950-1300℃、負壓條件下沉積SiC塗層在試樣表面。2、先驅體轉化法(PIP)將試樣進行預處理後,放入浸漬罐中,對浸漬罐抽真空,再注入浸漬溶液,加壓浸漬,減壓取出試樣。在爐中進行裂解,爐冷至室溫取出,即可在試樣表面實現SiC塗層。
如果要在半導體基材上沉積氮化矽,有兩種方法可供使用:利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。電漿增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。氮化矽的晶胞參數與單質矽不同。因此根據沉積方法的不同,生成的氮化矽薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用電漿增強化學...
測試設備 FSM薄膜應力測量儀 Ocean Optics紫外干涉膜厚儀 測試區 測試設備 Zeiss Ultra Plus場發射掃描電子顯微鏡 Bruker ICON原子力顯微鏡 Agilent BA1500半導體參數測試儀與MM探針台 氧化擴散區 氧化擴散設備 SVCS臥式低壓化學氣相沉積爐管 SVCS臥式氧化擴散爐管 測試設備 CDResMap四探針電阻率/方塊電阻測試儀 ...
80年代是等離子加熱的工業套用研究和技術開發最活躍的時期,等離子熔煉、等離子中間包鋼水加熱、等離子鋼包烘烤、等離子鋼包精煉、等離子化學氣相沉積、等離子噴鍍、等離子沖天爐複合加熱熔煉等新技術、新工藝相繼開發並獲得推廣、套用。美國、奧地利、德國、日本等國的等離子加熱技術的發展頗引人注目。80年代初,奧地利奧鋼聯...
包覆燃料顆粒的燃料核芯一般是用濕化學方法(如溶膠一凝膠法)製成的直徑為零點幾毫米的微球,其組分可以是鈾的氧化物或碳化物,也可以是混合鈾和釷的氧化物或碳化物,或是混合鈾和鈽的氧化物。幾層包覆層是在高溫下通過化學氣相沉積法製得的。包覆層厚度一般為幾十微米。整個包覆燃料顆粒的直徑約為1mm。結構類型 ...