ZnO稀磁半導體薄膜的製備與相關器件研究

《ZnO稀磁半導體薄膜的製備與相關器件研究》是依託北京大學，由王漪擔任負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：ZnO稀磁半導體薄膜的製備與相關器件研究
• 項目負責人：王漪
• 項目類別：面上項目
• 依託單位：北京大學
• 支持經費：32（萬元）
• 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
• 負責人職稱：教授
• 申請代碼：F0401
• 批准號：60776012

項目摘要

本項目旨在寬禁帶半導體ZnO內摻入過渡族磁性離子（Co、Mn等），製備出ZnO稀磁半導體薄膜和相關器件。主要使用直流／RF磁控濺射（Sputter）、雷射脈衝沉積（PLD）設備，製備具有室溫磁性的ZnO稀磁半導體薄膜材料；研究二維層狀ZnO稀磁半導體薄膜和多層稀磁半導體三明治式薄膜的磁、電特性；開發出與當前半導體工藝兼容的ZnO稀磁半導體工藝流程；為研製適用於ZnO基的、具有高－K柵介質／金屬柵結構的自旋場效應電晶體奠定基礎。本研究將會提升我國在自旋電子器件相關的材料、結構、工藝等方面的研究水平，研究成果在積體電路方面有著廣泛的套用前景和極大的套用價值。