《新型ZnO基稀磁半導體薄膜的製備及性能研究》是依託浙江大學，由邱東江擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型ZnO基稀磁半導體薄膜的製備及性能研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：邱東江
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50472058
- 申請代碼：E0209
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：25（萬元）
項目摘要
理論上建立起ZnO材料的Mn摻雜和Co摻雜從而實現其鐵磁特性的各自的物理模型，明確Zn1-xTMxO（TM=Mn、Co）稀磁半導體薄膜生長的各種動力學過程，包括TM元素在ZnO中的固溶、TM2+離子與其周圍局域載流子（電子或空穴）之間的自旋磁矩相互作用的sp-d交換耦合等過程，闡明這些因素對Zn1-xTMxO薄膜磁特性的影響。實驗上採用電子束反應蒸發技術在白寶石襯底上生長Zn1-xTMxO薄膜，對比研究用不同的TM元素摻雜（包括共摻雜）的Zn1-xTMxO薄膜各自的生長條件與薄膜磁特性間的關係，進而選擇各自最佳的共摻雜元素組合、摻雜劑量和生長參數，分別獲得居里溫度高於77K的Zn1-xTMxO稀磁半導體薄膜。由於稀磁半導體與非磁性半導體相比具有可調節的自旋自由度，因此，無論在探索新型氧化物稀磁電子學材料及其生長機制方面，還是在潛在的自旋電子學器件套用方面，都具有重大的科學意義和研究價值。
