《核分析技術研究ZnO基稀磁半導體的微結構和磁特性》是依託復旦大學，由張斌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：核分析技術研究ZnO基稀磁半導體的微結構和磁特性
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張斌
- 批准號：10775033
- 申請代碼：A30
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
稀磁半導體是電子的電荷自由度與自旋自由度相結合而形成的一種新型材料，它把半導體與磁性材料的優點集於一身，有不可估量的套用前景。理論研究表明，ZnO基稀磁半導體與GaAs基稀磁半導體相比，它的居里溫度可以高於室溫。如何實現替位攙雜是形成ZnO基稀磁半導體的關鍵和難點，生長過程攙雜並快速退火是生成稀磁半導體的有效途徑，其優點是能有效避免晶格損傷和缺陷；快速退火能有效促進替位。鐵磁性離子的摻雜濃度、相結構、替位率及與近鄰原子的配位情況等有關微結構方面的信息直接影響ZnO基稀磁半導體的磁性。本課題用質子激發X射線螢光、溝道技術、穆斯堡爾譜和核磁共振綜合研究鐵磁性離子的摻雜濃度、替位率、相結構及與近鄰原子的配位情況，探討鐵磁性來源並給出微結構與磁性的關係，揭示ZnO基稀磁半導體的成磁機理，為它的研製提供可靠的科學理論依據，並拓展核分析技術與新材料科學的交叉研究。本課題將推進稀磁半導體的研究進程。
