ZnO基稀磁半導體異質結構的製備與性質研究

《ZnO基稀磁半導體異質結構的製備與性質研究》是依託南京大學，由顧書林擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：ZnO基稀磁半導體異質結構的製備與性質研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：顧書林
• 依託單位：南京大學
• 批准號：60576017
• 申請代碼：F0401
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
• 支持經費：21（萬元）

項目摘要

利用低壓MOCVD技術，通過V族和III族元素的摻雜，並結合共摻技術和ZnMgO合金製備技術，研製出組分與摻雜可控的高質量ZnO基單晶薄膜。開展不同摻雜類型ZnO基薄膜中Mn的摻雜研究，掌握載流子濃度和類型以及合金組分與材料磁性的關係，研究材料鐵磁轉變的居里溫度和飽和磁化強度與製備工藝之間的關係，研製出居里溫度高於300K的均勻單相的ZnO基稀磁半導體單晶材料。最佳化調節ZnO基材料中的Mg、Mn離子濃度和載流子濃度，研究ZnO基薄膜中的結構、應變、能帶及光電性質與Mg、Mn組分及摻雜濃度之間的關係，製備出與ZnO基稀磁半導體材料晶格較匹配的非磁半導體合金材料。研製失配較小、界面較好的ZnO基DMS/NMS異質結構，研究材料電導率及異質界面對自旋注入的影響，開展ZnO基稀磁半導體的巨磁阻和新型的正磁阻效應的研究。本項研究對發展全新的短波長光電磁信息功能集成型的自旋電子器件具有重要意義。