基本介紹
- 書名：氧化鋅半導體材料摻雜技術與套用
- 作者：葉志鎮
- ISBN：9787308066242
- 定價：25.00元
- 出版社：浙江大學出版社
- 出版時間： 2009-1-1
- 開本：16開
內容簡介,圖書目錄,作者簡介,
內容簡介
本書可供從事半導體材料、薄膜材料、納米材料、功能材料及其相關器件研究等領域的科研人員、工程技術人員參考，也可作為高等院校材料、物理、化學、電子等相關專業師生的參考書籍。
本書介紹了氧化鋅(ZnO)的摻雜技術、性能及其套用。全書共分七章，第一章概述了ZnO的結構、基本性質與製備方法，第二章介紹了ZnO的本徵缺陷和非故意摻雜，第三至第六章分別介紹了ZnO的n型摻雜、p型摻雜、合金摻雜、稀磁摻雜等各種摻雜技術及其套用，第七章闡述了ZnO半導體器件的相關研究。
本書在內容上寬度和深度相結合，系統介紹了ZnO的基本知識，同時對ZnO研究的熱點領域進行了詳細而深入的探討。本書理論和實踐相結合，以作者多年的研究成果為基礎，重點介紹了ZnO半導體薄膜材料的摻雜技術、物理基礎及其套用，對ZnO納米材料的相關內容也有所涉及，敘述了ZnO研究和開發套用領域的新概念、新進展、新成果和新技術。
本書可供從事半導體材料、薄膜材料、納米材料、功能材料及其相關器件研究等領域的科研人員、工程技術人員參考，也可作為高等院校材料、物理、化學、電子等相關專業師生的參考書籍。
圖書目錄
第1章 ZnO概述
§1.1 引言
§1.2 ZnO的基本性質
§1.3 ZnO的能帶結構
§1.4 ZnO的形態及製備技術
1.4.1 ZnO體單晶
1.4.2 ZnO薄膜
1.4.3 ZnO納米結構
§1.5 ZnO的發光特性
§1.6 ZnO的缺陷與摻雜
§1.7 ZnO的套用
參考文獻
第2章 ZnO中的缺陷和非故意摻雜
§2.1 ZnO薄膜中的層錯、位錯和晶界
2.1.1 ZnO薄膜的原生層錯和擴展位錯
2.1.2 ZnO薄膜中退火誘生層錯
2.1.3 退火誘生缺陷的顯微結構與形成機理
2.1.4 ZnO中的晶界
§2.2 ZnO中的本徵點缺陷
§2.3 ZnO中綠色發光起源
§2.4 ZnO中的氫雜質
2.4.1 氫在ZnO中作為施主
2.4.2 氫對ZnOp型摻雜的影響
參考文獻
第3章 ZnO透明導電薄膜
§3.1 Ⅲ族元素摻雜
3.1.1 B元素摻雜
3.1.2 A1元素摻雜
3.1.3 Ga元素摻雜
3.1.4 元素摻雜
3.1.5 ⅢB族元素摻雜
§3.2 其他族元素摻雜
3.2.1 Ⅳ族元素摻雜
3.2.2 Ⅴ族元素摻雜
3.2.3 Ⅵ族元素摻雜
3.2.4 Ⅶ族元素摻雜
3.2.5 La系元素摻雜
§3.3.6 ZnO透明導電薄膜的套用
參考文獻
第4章 ZnO的p型摻雜
§4.1 本徵p型ZnO
§4.2 Ⅰ族元素摻雜p型ZnO
4.2.1 IA族元素摻雜
4.2.2 IB族元素摻雜
§4.3 Ⅴ族元素摻雜p型ZnO
4.3.1 N元素摻雜
4.3.2 P元素摻雜
4.3.3 As元素摻雜
4.3.4 Sb元素摻雜
§4.4 H輔助摻雜技術
§4.5 施主—受主共摻雜p型ZnO
4.4.1 AI-N共摻雜技術
4.4.2 Ga-N共摻雜技術
4.4.3 In-N共摻雜技術
……
第5章 ZnO基合金半導體
第6章 ZnO稀磁半導體
第7章 ZnO半導體器件
參考文獻
作者簡介
葉志鎮，男，1955年5月生於浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位；畢業後留校工作，1990～1992年留學美國麻省理工學院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導。現為浙江大學材料與化學工程學院副院長、浙江大學納米中心主任。 1988年進入浙江大學材料系，在矽材料國家重點實驗室一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方向：ZnO薄膜材料製備、物性調控及光電套用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及套用。現兼任國家自然科學基金委信息科學部評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等。 圍繞國家光電信息和節能技術目標，完成20餘項國家與省部級科研項目。負責完成“十五”國家“973”課題和國家自然基金重點項目各1項；目前在研包括“973”課題、國家自然基金重點項目、面上基金及省部級科研項目10餘項。 高真空CVD薄膜技術及套用研究取得重要成果。合作創建了國內第一台超高真空CVD設備，自主研發了超高真空CVD和高真空MOCVD兩大類創新薄膜系統，發展了低溫CVD工藝；研製了優質Si、SiGe和GaN等晶體薄膜材料與器件；整套技術在全國50多家大學和科研單位推廣套用；3項成果先後獲省部級科技二等獎，其中浙江省科技發明二等獎1項，教育部二等獎2項。 在國際上較早開展ZnO研究。1989年ZnO研究結果發表在國際期刊Appl．Opt．上；1990年“ZnO摻In透明導電薄膜”獲浙江省科技三等獎。在ZnO薄膜製備、p型摻雜與LED室溫電致發射紫藍光，ZnO透明導電薄膜與低微材料可控制備及高真空CVD技術方面取得了創新成果。其中“ZnO基材料生長、p型摻雜與室溫電致發光研究”獲2006年浙江省科技一等獎、2007年國家自然科學二等獎；“基於納米管、納米線的低維結構材料可控生長與套用基礎研究”獲2007年浙江省科技一等獎。負責的ZnO研究工作被國家自然科學基金委評為“光電功能材料重大計畫”5個亮點成果之一。 獲得9項成果獎勵，其中國家自然科學二等獎1項，浙江省科技一等獎2項，省部級科技二等獎3項；浙江省鑑定成果5項；授權國家發明專利36項；發表論文300多篇，被SCI收錄200餘篇，其中國際重要期刊．Adv．ater．、Phys．Rev．Lett．、Appl．Phys．Lett．等30餘篇；論文被他引1800餘次，其中SCI他引1100餘次；國際大會報告40多次，其中邀請報告15次，包括美國MRS秋季大會邀請報告。 1994年被評為國家重點實驗室全國先進工作者並獲“金牛獎”；1995年選為浙江省“中青年學術帶頭人”；1996年入選教育部“跨世紀優秀人才培養計畫”；1997年入選國家“百千萬人才工程”；1997年享受國務院特殊津貼。2006年被聘為浙江大學求是特聘教授；2007年評為浙江省突出貢獻中青年專家；2008年選為浙江省特級專家，評為浙江省優秀留學回國人員。
