《氧化鋅基稀磁半導體薄膜和超晶格材料的製備與性能》是依託南京大學，由顧正彬擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氧化鋅基稀磁半導體薄膜和超晶格材料的製備與性能
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：顧正彬
- 依託單位：南京大學
- 批准號：10674057
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
稀磁半導體材料（DMS）由於其在自旋電子器件中的潛在套用而備受關注。本項目擬利用磁控濺射和脈衝雷射沉積技術在合適的襯底上製備基於ZnO 基的外延稀磁半導體薄膜，利用X 射線衍射、X 射線光電子能譜、Raman 光譜、橢偏光譜、電子顯微術和SQUID、PPMS 等來表征和分析它們的結構與性能。最佳化工藝條件，精確控制不同過渡金屬離子摻雜和共摻雜，調節薄膜的磁性、輸運和光學帶隙，在充分的結構表征和性能測試的基礎上，揭示此類薄膜中磁性起源和與自旋相關的輸運特性，並在此基礎上開展基於DMS 的超晶格材料的研究工作。本項目不僅能夠製備得到性能良好的DMS 材料，也能夠在探索DMS 中自旋相關的輸運性質的物理機制方面做出創新性成果，為新型器件的設計和製備打下基礎。
