符斯列，男，博士，華南師範大學物理與電信工程學院副教授。
基本介紹
- 中文名：符斯列
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：半導體低維結構與器件等
- 職稱：副教授
- 任職院校：華南師範大學
個人經歷,研究方向,承擔課程,學術成果,
個人經歷
1995年長春光學精密機械學院本科畢業，2004年華南師範大學微電子專業碩士研究生畢業，2007年博士畢業，目前在華師大物電學院任職。
研究方向
半導體低維結構與器件；
低溫電漿技術及套用；
稀磁半導體材料模擬與分析。
承擔課程
本科生：
《固體物理》，《近代物理實驗》（低溫與固體表征部分）
研究生:
微電子專業《電漿化學工藝》及《半導體光電子學與光電子器件》
學術成果
在PSST，PST，Vacuum，JCG，JAP,IJMP B等發表論文科技論文30多篇，其中SCI收錄10多篇，其中TOP論文（Plasma Sources Science and Technology）一篇，3區和4區論文多篇。主要成果概括為：
1.Langmuir單、雙探針測量ECR電漿的方法；
2.首次說明受磁場位形影響的ECR電漿分布特點；
3.首次ECR-PECVD法成功低溫製備GaN薄膜；
4.分析點缺陷對GaN稀磁薄膜特性的影響，及探索獲得穩定p型ZnO稀磁薄膜的方法，
5.半導體器件的結構特性表征。
目前主持省自然基金一項，參與國家自然基金1項，目前的研究方向為GaN/ZnO稀磁半導體薄膜第一性原理研究。
論文, 2020年, C A Wang，J X Li, S L Fu*. The Effect of Native Vacancy Defects on Electronic and Magnetic Properties of ZnO: Mn System. International journal of modern physics B, 2020
論文, 2020年, 鄭曉思，符斯列*. C-V法研究GaN基藍光發光二極體的多量子阱結構, 物理實驗 ，2020.
論文, 2019年, 丁羅城 ,符斯列（通訊作者） 等. C-Cu共摻雜ZnO的p型導電性研究, 原子與分子物理學報，2019，36（2）：325-330
論文, 2019年, 李俊賢，符斯列* 等。本徵空位缺陷對ZnO: Mn體系電子特性及磁性的影響 原子與分子物理學報（2019 accepted）
論文, 2019年, 王春安,符斯列.緊束縛近似下的立方晶格等能面. 大學物理，2019 （accepted）
論文, 2019年, Chun-An Wanga, Si-Lie Fu*. Theoretical study of the effects of Mn: N ratios on electronic structure and magnetic properties of (Mn, N)-codoped ZnO, International journal of modern physics B，2019，33（12）1950116
論文, 2018年, Chun An Wang,Silie Fu*, et al. Temperature-dependent Power-law Analysis for Capacitance -Voltage of GaN-based pn junction. Journal of Applied Physics 123, 134502 (2018)
論文, 2018年, WANG Chun-an, FU Si-lie*, et al.Study of the Effect of Temperature on the pn Structure of GaN-based LED by C-V Measurement, Chin. J. Lumin. 2018,39(10):1417-1424 （EI收錄）
論文, 2018年, S L Fu, C A Wang et.al. Hydrogen dissociation in the deposition of GaN films with ECR-PECVD process.Ind.J.Phys. 92(5):655-660 （2018）
論文, 2017年, 符斯列，王春安，蔣聯嬌，秦盈星，吳先球. C-V法測量GaN基藍光LED的pn結特性. 物理實驗，2017
論文, 2017年, 符斯列, 王春安, 丁羅城, 秦盈星.電子迴旋共振電漿中TMG的離解氫對氣相沉積氮化鎵薄膜的影響. 真空科學與技術學報，2017
論文, 2017年, 秦盈星，符斯列（通訊作者），丁羅城. Mn摻雜濃度對Mn-N共摻ZnO電子結構及磁性的影響，功能材料，2017
論文, 2017年, 蘇秀崖,湛高超,符斯列(通信作者) 獲得巨磁阻效應對稱曲線的實驗方法 物理實驗 2017
論文, 2016年, 蔣聯嬌，符斯列（通訊作者），秦盈星，李健翔. 空位型點缺陷對Mn摻雜GaN體系電子結構及光學性質影響的研究. 功能材料, 2016，47: 1001-9731(2016)-001-04
論文, 2015年, 李健翔，符斯列（通訊作者），蔣聯嬌，馬娟娟，唐吉玉. 高壓強下GaN的結構相變及電子結構的第一性原理研究, 材料導報， 2015，29（11）：141－149
論文, 2013年, Fu Silie, Wang Chun-ann, Chen Junfang. Optical Emission Analyses of N2/TMG ECR Plasma for Deposition of GaN Film, Spectroscopy and Spectral Analysis. 2013, 33 (4)：1108－1111
論文, 2012年, Fu Silie, Chen Junfang，Wang Chun-ann, Gao peng, et al. Stress Analyses of GaN Film Manufactured by ECR Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Vacuum, 2012, 86:1517
論文, 2010年, 符斯列, 王春安, 陳俊芳. 變溫霍爾效應測量n型鍺半導體薄膜材料禁頻寬度研究. 實驗科學與技術. 2010, 8(2):15-17
論文, 2010年, 符斯列，陳俊芳. Langmuir探針測量低溫電漿參數特性實驗, 實驗室研究與探索. 2010，29（3）：4-7
論文, 2009年, Fu Silie, Chen Junfang，Zhang Hongbin, Guo Chaofen, Li Wei, Zhao Wenfen. Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth, 2009, 311(12): 3325–3331
論文, 2008年, Fu Silie, Chen Junfang, Li Yun, Li Wei,Zhang Maoping，Hu Shejun.Optical Emission Spectroscopy of Electron Cyclotron Resonance-Plasma Enchanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process for Deposition of GaN Film. Plasma Science & Technology. 2008,10(1): 70-73
論文, 2006年, Fu Silie, Chen Junfang, Wu XianQiu, Wang Ningxing, Zhang Maoping, Hu Shejun. Spatial Distribution of ECR Plasma Density in the ECR-PECVD Reaction Chamber Plasma Science & Technology. 2006, 8(3): 300-302.
論文, 2006年, Fu Silie, Chen Junfang, Hu SheJun, Wu Xian-Qiu, Lee Yun, Fan Shuan-Li. Study on the characteristics of ECR plasma spatial distribution. Plasma Sources Science and Technology, 2006, 15: 187–192
