《過渡金屬摻雜ZnO稀磁半導體的製備及性能研究》是吉林大學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：過渡金屬摻雜ZnO稀磁半導體的製備及性能研究
- 作者：劉惠蓮
- 出版社：吉林大學出版社
- 定價：28.50 元
- ISBN：9787567753952
內容簡介： | 本書主要研究過渡金屬單摻雜與雙摻雜ZnO稀磁半導體材料的結構、磁性及光學特性，分析性質產生的原因。同時還研究了不同製備條件對樣品的磁性及光學性能的影響。對過渡金屬單摻雜與雙摻雜研究有深入的見解，可以作為相關人士的學習研究參考用書。 |
《過渡金屬摻雜ZnO稀磁半導體的製備及性能研究》是吉林大學出版社出版的圖書。
內容簡介： | 本書主要研究過渡金屬單摻雜與雙摻雜ZnO稀磁半導體材料的結構、磁性及光學特性，分析性質產生的原因。同時還研究了不同製備條件對樣品的磁性及光學性能的影響。對過渡金屬單摻雜與雙摻雜研究有深入的見解，可以作為相關人士的學習研究參考用書。 |
《3d過渡金屬摻雜ZnO磁性納米線製備及磁光電性質研究》是依託西北大學，由張志勇擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 項目採用水熱法製備具有不同磁性的ZnO磁性納米線，通過對ZnO磁性納米線EELS、ELNES、XANES和介電函式、吸收光譜等光學性質和微結構的理論計算和實驗測量，分析過渡金屬摻雜對ZnO磁性納米線結構的調製，...
過渡金屬摻雜氧化鋅和氧化錫體系已實現了室溫鐵磁性，有望成為製備自選電子學器件的材料。以Zn的配合物為主體，通過摻雜過渡金屬離子，獲得了混合離子的Zn1-xMx Ln配合物，經過煅燒氧化或還原得到均勻摻雜的ZnO稀磁半導體，研究其結構和磁性質的關係，確定磁性質的來源，獲得了具有室溫稀磁半導體。（a）我們得到了以...
ZnO基稀磁性半導體研究 對於n型ZnO摻雜大多數過渡金屬離子如Co和Cr都具有鐵磁性，而Mn摻雜的ZnO則沒有鐵磁性。實驗上，在n型ZnO中觀察到鐵磁性，隘摻雜ZnO居里溫度高於300 K。採用雷射脈衝沉積技術在不同的襯底溫度(400～700℃)下在藍寶石(0001)上製備了ZnCoO薄膜，如下圖1所示。結構和磁學性質的研究結果顯示，...
磁控濺射法由於工藝簡便，性能穩定等特點，可用來製備ZnO:(Co, Fe)，ZnO:(Co, Al)，TiO2:Co等DMS 材料。實驗表明，該法製備的樣品也在室溫下發現具有鐵磁性。前景 稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開闢半導體技術新領域以及製備新型電子器件提供了條件。盡...
磁控濺射法由於工藝簡便，性能穩定等特點，可用來製備ZnO:(Co, Fe)，ZnO:(Co, Al)，:Co等DMS 材料。實驗表明，該法製備的樣品也在室溫下發現具有鐵磁性。研究進展 從根本上說主要是由於自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用於解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換...
磁控濺射法由於工藝簡便，性能穩定等特點，可用來製備ZnO:(Co, Fe)，ZnO:(Co, Al)，TiO2:Co等DMS 材料。實驗表明，該法製備的樣品也在室溫下發現具有鐵磁性。發展前景 稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開闢半導體技術新領域以及製備新型電子器件提供了條件...
實驗2.5微波外場合成納米ZnO粉末 實驗2.6熔融淬冷法製備氧化物玻璃 實驗2.7模板電化學沉積法製備鐵納米線 實驗2.8Hummer法合成石墨烯 實驗2.9水熱法製備ZnO低維納米材料 實驗2.10液相法合成LaxAg1-xMnO3（LAMO）龐磁電阻材料 實驗2.11固相反應法製備過渡金屬摻雜ZnO稀磁半導體 實驗2.12靜電紡絲製備LiCoO2納米...
該化合物具有面心立方最密堆積的拓撲結構，成為最高連線的配位聚合物；在磁記錄材料研究中，採用低層誘導和摻雜等方法製備出了超高密度FePt和CoPt磁記錄薄膜；在稀磁半導體研究中，以ZnO為基摻雜3d過渡金屬元素Co，Mn等，製備出居里溫度高於室溫，磁化強度大的ZnO為基稀磁半導體薄膜，為ZnO基稀磁半導體在未來自旋電子...
同時深入理解了上述幾類稀磁半導體材料中磁性起源特徵和相關耦合機制，揭示了其自旋器件的潛在套用。除此之外，還研究了ZnO、(La,Sr)MnO3、LaMnO3、LaAlO3、Fe3O4和YIG等自旋氧化物薄膜的外延生長，研究了石墨烯表面綴飾納米粒子後的奇異量子輸運行為，並深入研究了新型拓撲狄拉克半金屬量子材料（如ZrSiS和Cd2As3）...
1.6.4 稀磁半導體 14 1.6.5 發光器件 14 1.6.6 氣敏感測器 14 1.6.7 壓敏器件 15 1.6.8 透明電極 15 1.6.9 緩衝層 15 1.6.10 ZnO基LED 16 1.7 ZnO的本徵缺陷 17 1.7.1 ZnO的本徵點缺陷 18 1.7.2 ZnO薄膜的能級 18 1.8 ZnO的摻雜 19 1.8.1控制本徵缺陷製備p型ZnO 19 1.8....
1、透明室溫鐵磁半導體Zn1-xErxO的製備及磁性機理研究（國家自然科學基金，主持）；2、ZnO基阻變存儲器製備、特性及機理研究（中央高校科研業務費，主持）；3、稀磁半導體材料ZnLaO的阻變存儲特性研究（磁學與磁性材料教育部重點實驗室開放課題項目，主持）；4、過渡金屬摻雜矽基稀磁半導體薄膜材料的製備及特性研究（省...
主要研究磁性功能薄膜材料的結構、磁學與輸運性質，包括：摻雜鍺矽碳IV 族半導體的結構與性質；Si（Ge）納米晶磁有序形成與機理研究；載流子摻雜ZnO 基稀磁半導體的結構與性質；3 、低維凝聚態理論研究。主要研究低維體系中的物理現象，發現新的物理規律，發展相應的物理理論，指導設計與開發新的功能材料和器件。研究...
（9）國家自然科學基金項目“高性能垂直膜面各向異性永磁厚膜材料的研究”（50571043）；（10）教育部高等學校博士學科點專項科研基金新教師項目“尺寸可調、摻雜量可控的ZnO基稀磁半導體納米線陣列的研究”（070331B2）；（11）安徽省“十五”科技攻關項目“用精鐵礦粉和四氧化三錳製備功率軟磁錳鋅氧體”（01202001）；...
講授主要課程：力學、工程圖學、高等數學、量子力學、大學物理學、模擬電子技術 科研方向：稀磁半導體的研究和物理教學研究 科研和學術成果：1. Zn0.96Mn0.04O薄膜的製備及結構、磁性分析（《河北師範大學學報》）2. MnxGe1−x薄膜結構磁性和輸運特性的研究（《半導體技術》）3. Co摻雜ZnO稀磁半導體的微觀結構...
[15] 陳釗，陳長樂，溫曉莉，實時觀察法在金屬凝固中的研究進展，材料導報，2008，22（7）：65-67。[16] 陳釗，陳長樂，溫曉莉，高國棉，龐磁電阻薄膜La0.7Ca0.3MnO3的製備和輸運特性，材料研究學報，2006，20（6）：587-590。[17] 溫曉莉,陳釗，陳長樂. Co摻雜量對ZnO薄膜結構及光學特性的影響，功能材料，...
整體可見光下的轉換效率提高了5倍，進一步的，製備出ZnO@S摻雜ZnO類核/殼納米複合材料，提出表面層摻入S原子產生俘獲空穴的能級，抑制了光生電子-空穴複合，從而提高了能量轉化率達8倍左右。③在研究稀磁半導體中，首次採用XAFS結合第一性原理的方法研究其磁性金屬離子在晶格中的分布情況及其磁性來源；近期，利用量子...
7.湖南省自然科學基金，無鉛鐵電薄膜的製備及其在微電子學中的套用，經費：4萬元，主持（編號：05JJ30126）2005.01-2006.12 8.湖南省教育廳青年項目，BLT和BNT薄膜的製備及相關物理性能，經費：4萬元，主持（編號：04B061）2005.01-2006.12 9.湘潭大學交叉學科項目，ZnO稀磁半導體薄膜的製備及鐵磁、光電性能研...