《ZnO稀磁半導體中複合缺陷誘發的磁學性能》是依託浙江大學，由劉恩佐擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：ZnO稀磁半導體中複合缺陷誘發的磁學性能
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：劉恩佐
- 項目類別：青年科學基金項目
- 批准號：10804096
- 申請代碼：A20
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：17（萬元）
項目摘要
稀磁半導體材料是當前先進材料中最活躍的前沿科學研究領域之一，有望給新一代微電子器件工業帶來一場革命。弄清楚稀磁半導體材料的鐵磁性來源，提高稀磁半導體材料的居里溫度，是目前迫切需要解決的科學基本問題。稀磁半導體中的缺陷與其鐵磁性是密切相關的。但是目前實驗上和理論上對ZnO稀磁半導體材料的磁性來源的解釋具有強烈的爭議。本項目將採用第一性原理計算方法系統的研究Co摻雜以及（Co，Ga）共摻等ZnO稀磁氧化物中的複合缺陷（n型或p型摻雜與ZnO中的本徵缺陷等）對ZnO稀磁半導體磁學性能的影響。通過研究複合缺陷影響ZnCoO體系磁學性能的微觀機制，從原子層次上揭示稀磁半導體的磁性來源問題。進一步結合實驗探索研製開發新型高溫稀磁半導體材料。
