雷射分子束外延沉積儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:雷射分子束外延沉積儀
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2017年11月28日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 機加工工藝實驗設備
雷射分子束外延沉積儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月28日啟用。
雷射分子束外延沉積儀是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標系統真空度優於5*10-8mbar,加熱器最高加熱溫度900°C,加熱器為插拔型,基片尺寸1英寸,靶台容納4個1英寸...
雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月6日啟用。技術指標 超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar雷射能量 700mJ,頻率 100 Hz。主要功能 雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能...
這兩項新技術是把MBE和目前發展很快的金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)技術相結合,進一步改進了MBE的生長和控制能力。把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子...
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上一個較小的面積,利用雷射的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離,使其能夠脫離...
雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結合,使得系統能夠實現類似於MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發,它是使用脈衝雷射的高能量使材料蒸發甚至電離,因此被稱作LaserMBE(雷射分子束...
分子束外延沉積系統 分子束外延沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年7月9日啟用。技術指標 超真空度:10^-10Torr;原子尺度內可控生長HgCdTe(MCT)基單晶薄膜、異質結和量子阱等;原子層尺度監測材料的生長;納米級超薄膜製備等。主要功能 薄膜材料製備。
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低(6 K)的四探針SPM系統;配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM;四探針測試平台可外加磁場(1.0 T);超高真空變溫四探針SPM具有單探針SPM的所有功能,每一根探針不僅可以精確地...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
雷射分子束外延真空腔體是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月17日啟用。技術指標 外延室: 直徑500mm不鏽鋼球形腔體,裝配有靶組件、基片台等部件及多種視窗/觀察窗、接口、樣品傳遞(磁傳送桿) 外延室背底真空度:2 x 10-8Pa以上 靶組件:最大可裝25.4mm(1英寸)*5mm靶材4塊,可...
這兩項新技術是把MBE和發展很快的金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)技術相結合,進一步改進了MBE的生長和控制能力。把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易實現對蒸發過程精確的控制,顯示了比常規分子束外延更加廣闊的套用前景。分子束...
套用 分子束外延不僅可用來製備現有的大部分器件,而且也可以製備許多新器件,包括其它方法難以實現的,如藉助原子尺度膜厚控制而製備的超晶格結構高電子遷移率電晶體和多量子阱型雷射二極體等。我們在公車上看到的車站預告板,在體育場看到的超大顯示屏,其發光元件就是由分子束外延製造的。
長期以來,人們發明了多種制膜技術和方法:真空蒸發沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。上述方法各有特點,並在一些領域得到套用。但由於其各有局限性,仍然不能滿足薄膜研究的發展及多種薄膜製備的需要。隨著雷射技術和設備的發展,特別是高功率脈衝雷射技術的發展,...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面...
材料力學試驗機:摩擦磨損試驗機,耐磨試驗機,真空試驗機,電化學腐蝕試驗機,疲勞試驗機,彎曲扭轉試驗機,微納劃痕儀、壓痕儀,高溫微米壓痕儀等 材料表面分析 :三維形貌儀,白光干涉儀,雷射共聚焦顯微鏡,原子力顯微鏡等 半導體設備/CMP :原子層沉積系統(ALD),MBE分子束外延系統,雷射脈衝沉積(PLD),物理氣相...
高通量磁控濺射組合材料晶片製備系統等材料基因組工程專用實驗裝備10餘台,同時具備超高真空掃描隧道-分子束外延(MBE&SPM)聯合系統、TRAL光電探測器測試系統、高性能計算伺服器、高解析度衍射儀、量子效率-光譜回響/光電轉換效率測試系統、準分子雷射分子束外延薄膜沉積系統、光致螢光譜測試儀、高通量微區電化學測試系統...
自2022年公司成立,公司完全自主設計製造分子束外延設備(MBE)、全自動磁控濺射設備、電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與電漿增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中試線;採用熱絲法,設計製造金剛石薄膜製備設備;設計製造高真空電阻熱蒸發鍍膜機...
致力於高端科研儀器裝備的自主研製和開發,帶領團隊從共性技術和核心關鍵部件著手,開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件,並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套,包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。完成的系統多台已...
首先用脈衝雷射沉積方法生長兩種材料的外延薄膜,通過製備不同摻雜濃度和不同厚度的薄膜,探索生長高品質薄膜的各種工藝參數如襯底溫度、氣壓和靶距等,並對外延薄膜的形貌、晶向、能級特徵、電輸運和磁性質等進行研究。在生長薄膜成功的基礎上,用雷射分子束外延設備製備全龐磁電阻鈣鈦礦氧化物異質結。進一步最佳化製備條...
自2021年公司成立,公司完全自主設計製造分子束外延設備(MBE)、全自動磁控濺射設備、電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與電漿增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中試線;採用熱絲法,設計製造金剛石薄膜製備設備;設計製造高真空電阻熱蒸發鍍膜機...
光電信息採集體系包括飛秒、皮秒和納秒雷射器並配置了調諧雷射器等光源,以及飛秒螢光光譜系統、多通道光譜分析儀等多種光譜、光電信息採集設備。薄膜材料製備體系設備包括雷射分子束外延設備、電漿增強CVD 系統、雷射濺射沉積和磁控濺射系統等,以及穩態\ 瞬態\ 顯微螢光光譜儀、掃描探針顯微鏡等材料特性表征設備。開放...
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇,其中重點、系統地介紹了...
我們與德國亞琛工業大學、德國明斯特大學、德國斯圖加特大學、德國卡爾斯魯爾納米中心及德國Max-Planck研究所等知名科研院所有著緊密的合作,並系統地代理了德國MBE-Komponenten (分子束外延系統)、 Raith(電子束光刻系統)、Novocontrol(寬頻介電阻抗譜儀)、荷蘭TSST(脈衝雷射沉積系統)等多家國際知名高新技術企業產品。
巾幗建功標兵”1人。實驗設施 實驗室擁有雷射分子束外延設備、X射線衍射儀、單晶X射線衍射儀、Nd:YAG雷射器、高精度高溫燒結爐、高功率微波燒結系統、精密劃片機、鈷-60輻射源、電子加速器、氣質聯用儀、液質聯用儀、光譜儀、原子吸收光譜儀、傅立葉紅外光譜儀等大型關鍵設備115套,總價值2778萬元。
電路設計平台擁有多台Sun、Dell工作站及微波電路設計與仿真軟體;薄膜製備與處理工藝平台包括射頻/直流磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統(PLD)、雷射分子束外延系統(L-MBE)、蒸發系統以及退火爐、快速晶化爐等;微細加工平台擁有1000級超淨間、4~6英寸基片0.56微米和1.2微米光刻機、反應離子刻蝕機等,可完成各種薄膜...
實驗室有分子束外延設備、有機金屬氣相沉積設備、液相外延等供光電器件和集成光電器件用異質結材料、量子阱超薄層材料生長的設備,有精密光刻機、反應離子刻蝕機、真空鍍膜機等光電器件製造的工藝設備,有單色儀、半導體雷射器常規參數測試系統、半導體雷射器熱阻測量儀、超短脈衝測...
3.2.3 分子束外延(MBE) 52 3.2.4 金屬有機物氣相沉積(MOCVD) 52 3.2.5 脈衝雷射沉積(PLD) 53 3.2.6 真空蒸發(VE) 53 3.2.7 電子束蒸發(E-beam evaporation) 54 3.2.8 離子束輔助沉積(IBAD) 55 3.2.9 濺射法 55 3.3 濺射鍍膜的基本原理 56 3.3.1 輝光放電和濺射機理 56 3.3.2 ...
第4章 化學氣相沉積 第5章 脈衝雷射沉積 第6章 分子束外延 第7章 液相外延 第8章 濕化學製備方法 第9章 半導體超晶格和量子阱 第10章 半導體器件製備技術 參考文獻 ……作者簡介 葉志鎮,男,1955年5月生於浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位;畢業後留校工作,1990~1992年留學美國麻省理工學院(...
實驗室擁有固態源分子束外延、氣態源分子束外延、氣相沉積、超高真空電子束鍍膜、準分子雷射沉積等大型薄膜材料製備系統,還有X射線四晶衍射、低溫傅立葉變換光譜、光柵光譜、霍爾測試、電化學C-V測試、原子力顯微鏡、半導體器件參數測試儀、雷射器參數測試儀等完整配套的分析測試儀器和器件...
高性能鐵電薄膜在半導體上的外延生長。3.多功能複合的新型器件的套用研究。研究條件:1.Lambda physik compex 201雷射器(Laser),能量0~500 mJ可調。2. 雷射分子束外延(L-MBE),配有原位RHEED,可以研究氧化物薄膜的生長動力學規律。3.脈衝雷射沉積(PLD)2套,配有霍爾離子源,用於複雜氧化物薄膜製備。4....
集中和系統研究高質量KBNNO薄膜的製備,特別是單晶薄膜的製備規律和實現在原子層尺度上可控的、可重複的KBNNO薄膜的雷射分子束外延製備關鍵技術的突破,以及探索研究低成本溶膠-凝膠法KBNNO薄膜製備技術;研究極化材料的電疇結構、取向等與光電壓、光電流的關係,及其開路電壓不受光吸收帶隙限制的新效應等基礎科學問題;...