雷射光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年9月30日啟用。
基本介紹
- 中文名:雷射光刻機
- 外文名:Laser lithography machine
- 用途:電腦晶片光刻錄
- 產地:英國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2017年9月30日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
雷射光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年9月30日啟用。
雷射光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年9月30日啟用。技術指標0.6um、405nm雷射顯示解析度好於0.7um,±100nm誤差;對準結構誤差小於±1um。1主要功能對樣品利用雷射進行微納...
根據光源的不同,可分為紫外光源(UV)、深紫外光源(DUV)、極紫外光源(EUV),光源的波長影響光刻機的工藝。極紫外光刻機,選取了新的方案來進一步提供更短波長的光源。目前主要採用的辦法是將準分子雷射照射在錫滴液發生器上,激發出13.5nm的光子,作為光刻機光源。ASML(阿斯麥) 目前其是全世界唯一一家能夠...
高精雷射直寫光刻機是一種用於交通運輸工程領域的工藝試驗儀器,於2018年4月18日啟用。技術指標 1、 可實現最小線寬 1μm_x000D_ 2、 套刻對準精度 ≤ 0.5 μm_x000D_ 3、 採用360~375nm波段進口半導體固體雷射器,支持SU-8負型光刻膠_x000D_ 4、 真空吸附式裝載夾具,能夠滿足1~6英寸方形基片的...
台式雷射直寫光刻機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年12月03日啟用。技術指標 1. 無需物理掩膜板 2. 解析度:1.0um 3. 直寫速度(mm2/min):3@1um res 4. 邊緣粗糙度:優於200nm 5. 常規對準精度:2um,可視化對準精度:200nm。主要功能 製作圖形電極 製備半導體器件。
雷射直寫光刻機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標 設備採用高功率LED(λ:405nm)光源和全自動對焦、對準技術,長壽命、低功耗。採用專利技術的LED固體光源和高精密光柵尺定位工作平台,可實現0.65um的亞微米解析度光刻及0.6um的套刻精度。主...
小型台式無掩膜光刻機Microwriter ML3,通過雷射直寫在光刻膠上直接曝光製作所需要的圖案,而無需掩膜版,專為實驗室設計開發,適用於各種實驗室桌面。技術特徵 Focus Lock自動對焦 Focus Lock技術是利用自動對焦功能對樣品表面高度進行探測,並通過Z向調整和補償,以保證曝光解析度。直寫前預檢查 軟體可以實時顯微觀測...
高速旋轉雷射直寫光刻機 高速旋轉雷射直寫光刻機是一種用於物理學、材料科學領域的科學儀器,於2014年11月28日啟用。技術指標 雷射波長405 nm,解析度達100nm。主要功能 通過雷射與材料的相互作用,調節樣品台旋轉及X軸運動速度,可以實現類光柵結構點線陣列、任意圖形和灰度圖形的雷射刻寫。
雙光子聚合3D光刻機是一種用於生物學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2017年11月10日啟用。技術指標 飛秒雷射光源: 1. 波長:1028±5 nm 2. 平均功率:≥4W @ 1028 nm 3. 重複頻率:1 Hz至200 KHz可調 4. 脈衝寬度:290 fs至10 ps可調 5. 最大脈衝能量:>200μJ 6. 光束直徑:3 ±1 mm...
雷射直寫光刻系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年4月17日啟用。技術指標 雷射波長405納米,最高解析度0.6微米,最大樣品尺寸:8英寸。主要功能 與通過物理掩模板進行光照的傳統工藝不同,雷射直寫是通過電腦控制一系列雷射脈衝的開關,在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。 15個藍光...
世界三 大光刻機 生產商ASML,Nikon和Cannon的第 一 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm乾式光刻機的基礎上改進研製而成,大大降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大,目前193nm ArF準分子雷射光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛套用;...
世界三 大光刻機 生產商ASML,Nikon和Cannon的第 一 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm乾式光刻機的基礎上改進研製而成,大大降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大,193nm ArF準分子雷射光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛套用;ArF...
其中,解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式,光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子雷射器...
等到2002年底浸入式技術迅速成為光刻技術中的新寵,而此前業界並沒有認為浸入式技術有如此大的功效。此技術在原來的193nm乾式光刻技術平台之上,因為此種技術的原理清晰及配合現有的光刻技術變動不大,獲得了人們的極大讚賞。原理 浸沒式光刻技術需要在光刻機投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片上的光刻膠之間充滿高...
高精度光刻系統 高精度光刻系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年09月03日啟用。技術指標 解析度小於0.8μm。主要功能 集成光電器件製造工藝中圖形的掩膜對準、紫外曝光和納米壓印光刻。
1980年IBM公司套用193nm準分子雷射刨光鑽石。1982年IBM將準分子雷射技術套用在半導體光刻工藝中.1986年AT&T貝爾實驗室研製出第一台準分子雷射分步投影光刻機.準分子雷射已廣泛套用在臨床醫學以及科學研究與工業套用方面,如:鑽孔、標記表面處理、雷射化學氣相沉積,物理氣相沉積,磁頭與光學鏡片和矽晶圓的清潔等方面,微...
(1) 掌握紫外高速雷射直寫光刻機的基本工作原理和直寫操作方法。(2)熟練掌握紫外高速雷射直寫光刻工藝的全過程。(3) 掌握無掩膜光刻實驗過程中的安全事項和關鍵參數設定,為真實的光刻實驗提供最佳化的參數,指導實際的實驗操作,實現虛實結合。(4) 通過虛擬仿真實驗平台,提供給需要光刻的多學科學生和科研人員學習,...
光刻系統 光刻系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 用於半導體器件的光刻工藝。精度為1微米。是各種高性能半導體光電子和微電子器件製備所必須的工藝設備。主要功能 光刻。
為了提高解析度,光學曝光機的波長不斷縮小,從436mm、365mm的近紫外(NUV)進入到246 mm、193mm的深紫外(DUV)。246nm的KrF準分子雷射,首先用於0.25μm的曝光,後來Nikon公司推出NSR-S204B,用KrF,使用變形照明(MBI)可做到0.15μm的曝光。ASML公司也推出PAS.5500/750E,用KrF,使用該公司的AERILALⅡ...
濟南百斯特雷射設備有限公司是一家集雷射、精密機械、數控、軟體開發及現代化管理為一體,專業從事中小功率雷射設備的研發、銷售並致力於為全球用戶提供中小功率雷射加工解決方案的雷射切割機廠,公司位於中國山東-泉城濟南 濟南百斯特雷射設備有限公司依託成熟的軟體開發優勢和多年的穩步發展,專注於中小功率雷射切割領域,...
全固態可調諧摻鈦藍寶石雷射通過頻率變換可將調諧範圍擴展到藍光、紫外和深紫外波段,是紫外動態光譜學和納米級微機械加工中的重要調諧光源 ,其倍頻產生的193 nm雷射將成為最新一代光刻機使用的對準光源 。自 Maker 等首次報導雷射二極體抽運的摻鈦藍寶石雷射器(Ti∶ sapphire)以來 ,以各種方式運轉的摻鈦藍寶石雷射...
光刻機的對準系統(alignment)負責把掩模上存在的圖形與晶圓上已有的圖形進行對準,對準精度(Alignment Precision,AP)則為掩模上與晶圓上圖形對準時套刻的精度。圖1是主流光刻機ASML中對準系統示意圖,對準系統使用He-Ne雷射,雷射束經鏡子反射後,照射在晶圓表面。對準系統的主要功能就是將工件台上矽片的標記與...
投影透鏡是指對準光線透過曝光系統的透鏡,用於對準的雷射束照在晶圓上,其反射束經過曝光系統的透鏡,匯聚在掩模上成像。圖1是主流光刻機(ASML)中對準系統的示意圖。對準系統使用He-Ne雷射(633nm),雷射束經鏡子反射後,照射在晶圓表面。雷射的束斑很大,照射在對準標識上。對準標識是刻蝕在晶圓上的一組平行線...
雷射脈衝非常精準地擊射在由液態錫滴產生器所產生的液態錫滴上。具有高度激發物質的等離子前導波在二氧化碳雷射脈衝與液態錫滴作用的區域輻射出13.5nm光子超紫外線。專為13.5nm波長所設計的多層鍍膜反射鏡集光器收集背向輻射光源,並將光源導向位於光源輸出端的中間焦點位置,以做為掃描式光刻機曝光光源。套用 雖然...
ASML於2012年10月宣布收購美國Cymer公司,以加快EUV的研發進度。Cymer公司是世界領先的準分子雷射源提供商,發明了如今半導體製造中最關鍵的光刻技術所需的深紫外(DUV)光源。產品主要特性是:頻寬窄,運行速度高,可靠性強。Cymer光源在批量生產符合特定規格的的世上最先進的半導體晶片時起著決定性的作用。上調營收...
雷射脈衝非常精準地擊射在由液態錫滴產生器所產生的液態錫滴上。具有高度激發物質的等離子前導波在二氧化碳雷射脈衝與液態錫滴作用的區域輻射出13.5nm光子超紫外線。專為13.5nm波長所設計的多層鍍膜反射鏡集光器收集背向輻射光源,並將光源導向位於光源輸出端的中間焦點位置,以做為掃描式光刻機曝光光源。套用 雖然...
2023年10月13日,據證監會網站,上市公司蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司發布關於公司“光刻機”生產銷售的不實信息,導致股價異動,引發市場質疑。證監會立即部署,迅速立案,查明事實,嚴肅懲處,已向上市公司及相關責任人送達了《行政處罰事先告知書》。經查,蘇大維格生產的光刻機實際為“雷射直寫光刻設備”,與...
1981年,光電所研製成功中國首台光刻機,該光刻機於1983年榮獲中國科學院科技進步一等獎。1985年,中國首台具有雷射、紅外和電視三種自動跟蹤和測量手段的778光電經緯儀研製成功,並成為獲得國家科技進步特等獎的重要子項目,這是中國第四代經緯儀的代表,標誌中國光電跟蹤測量設備躋身世界先進水平。隨後,778的跟蹤測量...
常見的對準方式如早期採用的離軸對準有雙目顯微鏡對準;共軸對準有TTL(Through The Lens)對準和雙光束逐場對準;明場對準有雷射掃描視頻圖像對準、場像對準;暗場對準有雷射步進對準;光柵對準有莫爾條紋對準、雷射外差干涉對準、全息對準等。不同型號的光刻機可能使用不同的對準標識。這裡就幾種主要的對準標識進行討論...