離子束輔助沉積(lon Beam Assisted Deposition 或Ion Beam Enhanced Deposition,簡稱IBAD或IBED)，是把離子束注入與氣相沉積鍍膜技術相結合的複合表面離子處理技術，也是離子束表面處理最佳化的新技術。這種複合沉積技術是在離子注入材料表面改性過程中，使膜與基體在界面上由注入離子引發的級聯碰撞造成混合，產生過渡層而牢固結合。因此在沉積薄膜的同時，進行離子束轟擊便應運而生。因此它是離子束改性技術的重要發展，也是離子注入與鍍膜技術相結合的表面複合離子處理新技術。
基本介紹
- 中文名：離子束輔助沉積技術
- 外文名：lon Beam Assisted Deposition
Ion Beam Enhanced Deposition
技術套用
優點：
1.離子束輔助沉積不需在真空工作室中進行氣體放電以產生電漿，可以在＜ 10Pa
中鍍膜，氣體污染減少。
2.基本工藝參數(離子束能量、離子束密度) 為參數，一般不需控制氣體流量等一些非電參數，可方便地控制膜層的生長、調整膜的組成、結構和工藝重複性。
3.可在低溫條件下(＜200元) 給工件表面鍍覆上與基體完全不同而且厚度不受轟擊離子能量限制的薄膜。比較適用於電子功能膜、冷加工精密模具，低溫回火結構鋼的表面處理。
4.離子束輔助沉積是一種在室溫下控制的非平衡過程。可在室溫得到高溫相、亞穩相、非晶態合金等新型功能薄膜。
缺點：
1.因離子束具有直射特性，難以處理表面形狀複雜的工作。
2.因離子束流尺寸限制，難以處理大型的、大面積的工件。
3.離子束輔助沉積技術，是一種新的複合處理技術，雖然研究工作已做了很多，但一些工作尚處在與套用密切相關的基礎性研究階段，工業規模的套用還不多，僅有少數付諸實用。
