離子束注入是通過電場加速離子注入到固體中,造成物理、化學,特別是電屬性改變的一種材料加工過程,也稱為離子束加工。
基本介紹
- 中文名:離子束注入
- 外文名:Ion beam implantation
離子束注入是通過電場加速離子注入到固體中,造成物理、化學,特別是電屬性改變的一種材料加工過程,也稱為離子束加工。
離子束注入是通過電場加速離子注入到固體中,造成物理、化學,特別是電屬性改變的一種材料加工過程,也稱為離子束加工。離子束注入用於半導體器件製造、金屬拋光以及各種材料科學研究中。如果注入離子與靶材料不同,停止在靶中的注入離子...
離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時,離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面,這個現象叫做濺射;而當離子束射到固體材料時,從固體材料表面彈了回來,或者穿出固體材料而去,這些現象叫做散射;另外有一種現象...
不同類型的離子源用於產生各種強度的離子束;質量分析器用來除去不需要的雜質離子;束流掃描裝置用來保證大面積注入的均勻性;靶室用來安裝需要注入的樣品或元器件,對不同的對象和不同的注入條件要求可選用不同構造的靶室。基本特點 離子...
離子注入機是高壓小型加速器中的一種,套用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子,經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,用做半導體材料、大規模積體電路和器件的離子注入,還用於金屬材料表面改性和制膜等。2021年,中國電科離子...
離子束注入可以分為高能離子束和低能離子束兩種。20世紀60年代,日本、美國、法國和德國等就開始了高能重離子注入的生物學研究。20世紀80年代,我國科學家將低能離子束套用於植物誘變遺傳育種。與Χ射線、電子束、雷射等誘變因素相比,離子...
離子注入摻雜工藝是將加速到一定高能量的離子束注入固體材料表面層內,以改變表面層物理和化學性質的工藝。正文 在半導體中注入相應的雜質原子(如在矽中注入硼、磷或砷等),可改變其表面電導率或形成PN結。離子注入需要有適用的離子注入...
離子摻雜與離子束改性 ①離子摻雜與離子束改性。從20世紀60年代開始,人們將一定能量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中,形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制;摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的...
多功能離子注入與離子束濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2009年6月23日啟用。技術指標 清洗源燈絲電源0~20 V20A 引出電源0~1.5KV50mA,濺射源燈絲電源0~20 V20A 引出電源0~3KV100mA,氣體源燈絲電源0~20 ...
連續離子注入 連續離子注入是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用連續(直流)離子束進行的離子注入過程。出處 《材料科學技術名詞》。
《離子束注入對狐米草誘變的生物學效應及其機制的研究》是依託南京大學,由李寬鈺擔任項目負責人的青年科學基金項目。 項目摘要 利用N+、Zn2+、Ar+、H+離子束注入狐米草不同組織,性狀上達到改良遺傳品質的目的;細瞎鄄燉胱郵...
首次在國內取得脈衝化離子注入的下列研究成果;1.從脈衝離子束能量澱積和瞬態溫度分布及熱激波效應三方面實現模擬計算,建立了脈衝化離子注入理論框架;2.完成強脈衝離子束注入實驗,給出比普通離子通注入作用區深得多、使表面結構與力學...
用一定能量的離子轟擊固體表面,使固體近表面層物理、化學性質發生變化的工藝技術,包括離子注入、離子束混合、離子濺射、離子刻蝕等技術。離子注入是將某種離子“打進”固體,改變固體近表面層的化學成分和固體結構。離子注入技術用於半導體...
在納米磁性結構的構建中,離子束技術具有獨特的優勢,可以起著重要的調控和修飾作用。用可控離子束注入可以準確有效地生成和控制納米磁性顆粒的大小、形狀、取向和分布,可以實現磁/非磁耦合結構、鐵磁/反鐵磁交換偏置系統的產生,並理想地...
離線法是利用反應堆輻照( 或其它方法)材料產生感興趣的放射性核素,置入離子源中產生放射性離子,再注入加速器中加速。次級放射性束流線的研製 次級放射性束流線安裝在 HI-13 串列加速器上,由初級反應靶室、二極分析磁鐵、磁四極...
《離子注入製備BiFeO3/ZnO/graphene多鐵性器件》是依託武漢大學,由付德君擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用串列加速器的銫濺射離子源產生C10團簇負離子束,注入Ni/SiO2/Si,輔以退火、電漿刻蝕及化學腐蝕,除去Ni表面graphene和Ni...
脈衝離子注入 脈衝離子注入是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用脈衝離子束進行的離子注入過程。出處 《材料科學技術名詞》。
4.2 超低能負團簇離子束系統及其在製備少層石墨烯中的套用 4.3 採用團簇離子束注入合成高質量石墨烯 4.4 C2-C6團簇離子注入製備少層石墨烯的拉曼光譜研究 4.5 通過離子注人法在SiO2/Si上直接合成石墨烯 4.6 探索團簇離子...
由於離子束轟擊材料是逐層去除原子,所以可以達到納米級的加工精度。離子束加工按其工藝原理和目的的不同可以分為三種:用於從工件上去除材料的刻蝕加工、用於給工件表面塗覆的鍍層加工以及用於表面改性的離子注入加工。由於電子束和離子束...
《離子束表面工程技術與套用》是2005年機械工業出版社出版的圖書,作者是張通和,吳瑜光。內容簡介 《離子束表面工程技術與套用》內容系統全面,實用性強。內容主要包括離子束注入技術、離子束增強沉積技術、磁過濾離子束沉積技術、全方位...
首套中性束注入器的工程總裝工作於6月前開始。中性束注入加熱系統廣泛涉及電漿物理、強流離子束、精密機械製造、低溫真空、高電壓及隔離、遠程測控以及輻射防護等多學科技術領域。中性束注入系統團隊不畏高溫酷暑,順利完成了束線總裝、...
真空多弧離子鍍及離子注入設備是一種用於物理學、材料科學、冶金工程技術、機械工程領域的物理性能測試儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 考夫曼離子源:柵網口徑:6cm,離子能量:100-600eV,離子束流:100mA,不均勻性:±15%,...
金屬離子注入 金屬離子注入是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 將離子源產生的金屬離子加速注入工件的過程。出處 《材料科學技術名詞》。
發現離子注入後材料表面腐蝕電位的變化在Zeta電位上有明顯的表現,利用這種腐蝕電位的變化製備了超細矽納米線。掌握了載能離子束材料表面理化改性規律,發展離子注入輔助材料表面正反圖形化工藝。本課題的開展有助於拓展離子注入材料改性的研究...
如何實現替位摻雜是形成稀磁半導體的關鍵和難點,生長過程摻雜是一種途徑,但主要障礙是鐵磁離子在半導體中的固溶度太低<1%;可控離子束注入摻雜並雷射退火是生成稀磁半導體的有效途徑,其優點是注入角度、深度、劑量均可控制,鐵磁離子...
全方位離子注入與沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 注入元素:非金屬:H+、N+、O+、Ar+、He+、Si+; 金 屬:Ni+、Zr+、Mo+、Fe+。 基體材料:Al基、Ni基、Ti基...
離子注入與沉積系統 離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月1日啟用。技術指標 金屬、氣體離子注入以及濺射沉積。主要功能 精密工件表面改性,提高硬度、導電性能、耐腐蝕性能等。
1.1離子注入技術 1.1.1 離子注入技術的發展 1.1.2束線離子注入(IBII)的局限性 1.2電漿浸泡式離子注入技術 1.2.1 電漿浸泡式離子注入技術原理 1.2.2 電漿浸泡式離子注入技術與離子滲氮技術的區別 1.2....
《離子束表面處理提高陶瓷力學性能的研究》是依託清華大學,由張濟忠擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用金屬離子注入和離子束輔助沉積對氧化鋁、氮化矽進行了表面改性研究。研究了注入離子與基體材料相互作用機理,不同的注入參數對試樣...
離子注入摻雜 離子注入摻雜是採用離子注入方式達到摻雜的目的。定 義 採用離子注入方式達到摻雜的目的。