離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:離子注入與沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年1月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月1日啟用。
離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月1日啟用。技術指標金屬、氣體離子注入以及濺射沉積。1主要功能精密工件表面改性,提高硬度、導電性能、耐腐蝕性能等。1...
多功能離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月20日啟用。技術指標 1真空室:全不鏽鋼結構: 2.真空抽氣系統 3.高能氣體離子源(一套)4.高能金屬離子源(一套)5.低能濺射離子源(一套)6.離子束濺...
《電漿浸泡式離子注入與沉積技術》是2012年國防工業出版社出版的圖書,作者是湯玉寅、王浪平。內容簡介 本書主要論述用於非半導體材料表面改性的PlIl、PIIID技術相關物理與技術問題,關鍵部件及處理工藝問題。本書的主要內容包括PIIID技術...
大面積離子注入與沉積設備 大面積離子注入與沉積設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年4月28日啟用。技術指標 濺射靶直徑100CM,真空1.0×10-3Pa。主要功能 雙靶中頻磁控濺射。
我課題組最新研製的用於批量處量的全方位離子注入與沉積設備。該設備主要由真空系統、金屬電漿源、高壓靶台、射頻電漿源、磁控濺射系統等組成。它能夠實現氣體離子注入、金屬離子注入、氣體+金屬離子混合注入、金屬膜沉積、類金剛石...
離子注入機由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔組成,可以根據實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或...
從這個意義上講,三極型的PIII離子注入是粗糙版本的離子注入,因其不含有過剩的組分如離子束流控制,束聚焦,附加的格線加速器等。工作 在傳統的浸沒型PIII系統(也稱為二極型結構)中,晶片保持負電位,正電性電漿中的帶正電荷的...
《1keV/atom以下的團簇離子注入固體極淺表面的過程研究》是依託南京大學,由宋鳳麒擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 荷能1keV/atom以下的團簇離子透入固體深度在幾納米以內。在這一尺度中精確測量注入離子的質量分布十分困難,這限制了...
第6章電漿浸沒離子注入與沉積 6.1電漿浸沒離子注人原理 6.1.1電漿浸沒離子注入原理 6.1.2動態鞘層擴展模型 6.1.3PIII的優缺點 6.2PIII設備 6.2.1真空系統 6.2.2電漿源 6.2.3高壓系統 6.2.4供氣系統 6...
用雷射脈衝沉積法製備了BiSe和BiFeSe膜層,結構測試表明膜層的主要結構為Bi2Se3:Fe,其中Fe的含量為5-8 at.%,用XRD, XPS和內轉換電子穆斯堡爾譜(CEMS)對材料的結構、Fe原子價態、超精細結構及沉積溫度的影響進行了系統研究,測...
全方位離子注入/沉積系統、汽車零部件專用鍍膜機、車燈保護膜鍍膜機、磁控濺射鍍膜機、多弧離子鍍膜機、非平衡磁控濺射鍍膜機、工模具離子鍍膜機、柔性基材卷繞鍍膜機、多功能複合鍍膜系統、直流射頻等離子炬及廢物焚燒系統、射頻電漿球化...
4.3 直流電漿化學氣相沉積 4.4 射頻電漿化學氣相沉積 4.5 微波電漿CVD沉積(MPCVD)4.6 雷射化學氣相沉積(LCVD)4.7 金屬有機化合物CVD沉積(MOCVD) 5 離子注入與離子輔助沉積技術 5.1 離子注入概述 5.2 離子注入...
整體X光透鏡系統、電漿微弧氧化裝置、磁過濾真空弧沉積和注入系統以及Ru-200B型X射線衍射儀等大型設備,可以提供各種金屬及非金屬離子束、強流金屬離子束、高能電子束、γ射線及強聚焦X射線、中子束等,可以開展離子注入、材料表面改性...