電漿浸泡式離子注入與沉積技術

本書主要論述用於非半導體材料表面改性的PlIl、PIIID技術相關物理與技術問題，關鍵部件及處理工藝問題。本書的主要內容包括PIIID技術發展概況，基礎理論，PIIID設備關鍵部件設計，PIIID鞘層動力學計算機數值模擬與套用以及機械零件的PIIID複合、批量處理工藝與套用等。

基本介紹

• 書名：電漿浸泡式離子注入與沉積技術
• 作者：湯玉寅，王浪平
• ISBN：9787118078923
• 頁數：238
• 出版社：國防工業出版社
• 出版時間：2012-1-1
• 開本：16開

圖書信息

作　者：湯玉寅，王浪平　編著

出 版 社：國防工業出版社

出版時間：2012-1-1

版　次：1

頁　數：238

字　數：276000

印刷時間：2012-1-1

開　本：16開

紙　張：膠版

紙印　次：1

I S B N：9787118078923

包　裝：精裝

內容簡介

為了清楚PlIl與PIIID概念之間的區別，書中提到的PlIl一般是指採用氣體電漿的PlIl技術，在PlIl過程中，離子注入是材料表面改性的主要因素；書中提到的PIIID一般是指採用金屬電漿與氣體電漿相結合的PIIID技術，在PIIID過程中，離子注入與薄膜沉積相結合的處理是材料表面改性的主要因素。本書稱PIII

目錄

1．1離子注入技術

1．1．1 離子注入技術的發展

1．1．2束線離子注入(IBII)的局限性

1．2電漿浸泡式離子注入技術

1．2．1 電漿浸泡式離子注入技術原理

1．2．2 電漿浸泡式離子注入技術與離子滲氮技術的區別

1．2．3電漿浸泡式離子注入技術與沉積(PIIID)技術

1．3 束線離子注入與電漿浸泡式離子注入技術的比較

1．3．1 PIIl與IBIl技術的比較

1．3．2兩種離子注入技術要素的比較

1．3．3 IBIl和PIIl各自的優勢及套用領域

1．4電漿浸泡式離子注入與沉積技術研究現狀

1．4．1 PIIl過程鞘層動力學計算機理論數值模擬技術

1．4．2脈衝寬度可調、大面積、強流陰極弧金屬電漿源