北京師範大學射線束技術與材料改性教育部重點實驗室，是1994年經原國家教委批准，依託北京師範大學低能核物理研究所暨北京市輻射中心成立的一個由教育部領導和支持的開放實驗室。重點實驗室現任主任是周宏余教授，學術委員會主任由中國原子能研究院的王乃彥院士擔任，固定人員36人，其中高職11人，副高職15人，中級職稱或以下10人。
基本介紹
- 中文名：北京師範大學射線束技術與材料改性教育部重點實驗室
- 時間：1994年
- 批准單位：原國家教委
- 依託：北京師範大學
研究內容,研究成果,
研究內容
近五年來重點實驗室共審批對外開放課題82項，先後吸收8名博士後在博士後流動站工作，培養博士生18名，碩士生42名。共承擔國家及省部級科研項目50項、橫向項目100多項，總經費3000萬元，發表被SCI收錄的論文120餘篇，出版專著5部，獲國家級獎3項，省部級以上獎 12項，申請國外專利3項，國內專利13項。 實驗室的主要研究方向為射線束與材料的相互作用機理和射線束材料表面改性。強調“開放、流動、聯合、競爭”的運行機制，著重搞好對外開放，致力於進行合作研究。擁有MEVVA源強流離子注入機、400KeV離子注入機、ASR100/C型擴展電阻儀、UTT400型超高真空鍍膜機、BF－5電子直線加速器、400kV高壓倍加器、高能（MeV）離子注入系統、質子激發X螢光分析、整體X光透鏡系統、電漿微弧氧化裝置、磁過濾真空弧沉積和注入系統以及Ru-200B型X射線衍射儀等大型設備，可以提供各種金屬及非金屬離子束、強流金屬離子束、高能電子束、γ射線及強聚焦X射線、中子束等，可以開展離子注入、材料表面改性、新型半導體器件研製、電子束輻照效應、脈衝輻解、輻射育種、中子活化分析、質子激發X螢光分析（PIXE）、微束斑X螢光分析、X光衍射、電漿微弧氧化等方面的研究。
研究成果
（1）“整體X光透鏡的研製及其套用”。該成果系統並卓有成效地進行了導管X光學研究、X光學透鏡的研製及其在微束X射線螢光分析、X射線衍射和深亞微米X射線光刻領域的套用開發，在提高X射線功率密度、有效利用X光源方面獨具特色，提供了一種嶄新的X光元件，是下一世紀X光設備儀器更新換代的關鍵部件，套用前景廣闊。該成果榮獲1997年度國家教委科技進步一等獎及1998年度國家科技進步二等獎。擁有國家發明專利1項，實用新型專利3項，擁有美國、荷蘭和德國實用新型專利各1項。
（2）“MEVVA源金屬離子注入技術及工業套用”。該成果為國家“863”計畫項目，在MEVVA源技術、金屬離子注入材料表面改性的基礎研究及工業套用研究方面得到國家“863”計畫新材料領域專家委員會的多次好評，取得了包括MEVVA II A-H離子源，MEVVA50型離子注入設備在內的多項達到國際先進水平的研究成果，並且成功地推向了市場。該技術能夠明顯改善許多工模具和零部件的抗磨損、抗腐蝕、抗疲勞及降低摩擦係數等性能，大大提高其使用壽命。近年來先後向香港、台灣及國內的大學、研究所和企業輸出了7套MEVVA源和MEVAA源注入裝置，另外3套MEVVA源裝置即送用戶使用。由於MEVVA源技術性能好，得到各個用戶的好評。
（3）“鋁合金微弧氧化技術”。該成果為國家“863”計畫項目，主要利用鋁合金材料通過微弧氧化在表面生長一層具有很高硬度的緻密的陶瓷氧化膜，以提高材料表面的硬度，改善它的耐磨、耐蝕、耐壓絕緣及抗高溫衝擊特性。鋁合金微弧氧化技術在航天航空、軍事、紡織、機械、汽車、化工、電子、醫療及民用產品上有廣闊的套用前景，被北京市科學技術研究院評為1997年十大科技成果之一。目前實驗室已能生產 40kW和100kW成套微弧氧化設備。
