大面積離子注入與沉積設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年4月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:大面積離子注入與沉積設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2013年4月28日
大面積離子注入與沉積設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年4月28日啟用。
大面積離子注入與沉積設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年4月28日啟用。技術指標濺射靶直徑100CM,真空1.0×10-3Pa。1主要功能雙靶中頻磁控濺射。1...
高能離子注入機:高能注入機的能量可高達幾MeV,注入劑量為 。中束流離子注入機:中束流注入機的注入能量在幾百keV範圍內,注入劑量範圍比高能注入機大。套用 離子注入機是積體電路製造前工序中的關鍵設備,離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術,其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規熱...
全方位離子注入與沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 注入元素:非金屬:H+、N+、O+、Ar+、He+、Si+; 金 屬:Ni+、Zr+、Mo+、Fe+。 基體材料:Al基、Ni基、Ti基合金及陶瓷等 注入維度:三維 注入溫度:≤600℃ 注入面積:φ50mm、φ150mm ...
多功能離子注入與沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月20日啟用。技術指標 1真空室:全不鏽鋼結構: 2.真空抽氣系統 3.高能氣體離子源(一套)4.高能金屬離子源(一套)5.低能濺射離子源(一套)6.離子束濺靶 7.供氣系統 8.樣品台 9.電源和控制系統。主要功能 本設備可用於研究開發...
全方位離子注入與沉積設備 我課題組最新研製的用於批量處量的全方位離子注入與沉積設備。該設備主要由真空系統、金屬電漿源、高壓靶台、射頻電漿源、磁控濺射系統等組成。它能夠實現氣體離子注入、金屬離子注入、氣體+金屬離子混合注入、金屬膜沉積、類金剛石膜沉積、化合物沉積以及上述多種工藝的複合。強化效果 ...
《精“芯”打造:積體電路的製造設備》是一本2022年9月1日上海科學普及出版社出版的圖書,作者楊曉峰。內容簡介 本書主要介紹積體電路製造的各種設備,以青少年熟悉的“武林高手”的形式介紹主要積體電路製造設備,如被稱為積體電路製造的“四大金剛”離子注入機、光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備。從這些設備在積體電路...