中文名稱 | 離子注入摻雜 |
英文名稱 | ion implantation doping |
定 義 | 採用離子注入方式達到摻雜的目的。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
基本介紹
- 中文名:離子注入摻雜
- 外文名:ion implantation doping
- 一級學科:材料科學技術
- 二級學科:半導體材料
- 定 義
- 採用離子注入方式達到摻雜的目的。
中文名稱 | 離子注入摻雜 |
英文名稱 | ion implantation doping |
定 義 | 採用離子注入方式達到摻雜的目的。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
定義 採用離子注入方式達到摻雜的目的。 ...... 定義 採用離子注入方式達到摻雜的目的。詞條標籤: 科學 V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:2次歷史版...
將加速到一定高能量的離子束注入固體材料表面層內,以改變表面層物理和化學性質的工藝。在半導體中注入相應的雜質原子(如在矽中注入硼、磷或砷等),可改變其表面...
離子注入技術:把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方法。簡單地說,離子注入的過程,就是在真空系統中,用經過加速的,要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,...
離子摻雜與離子束改性①離子摻雜與離子束改性。從20世紀60年代開始,人們將一定能量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中,形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子...
離子源(英文名稱:Ion source)是使中性原子或分子電離,並從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕...
為克服這些缺點,已研製出若干種改進形式的IL邏輯電路,如自對準IL電路、離子注入摻雜工藝IL電路、等平面隔離IL電路、肖特基IL電路、上擴散IL電路和襯底饋電邏輯電路等...
8.3 離子注入摻雜 (418)8.3.1 概述 (418)8.3.2 離子注入設備 (419)8.3.3 離子注入過程 (421)8.3.4 離子注入的溝道效應 (424)...
砷化鎵材料也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路,儘管由砷化鎵取代矽、鍺的構想尚未實現,但它在雷射、發光和微波等方面已顯示出優異的性能。砷化鎵外延技術還有...
採用離子注入摻雜工藝的雜質側向擴散更小,用它代替矽柵工藝中的熱擴散工藝,能進一步減小柵對源和漏的覆蓋電容。此外,在鋁柵工藝中,即使鋁柵電極比溝道短,也可...
6.ZnO中離子注入摻雜引入缺陷及其對電學和磁學性能的影響 國家自然科學基金 45萬元 主持 順利結題 7.材料缺陷結構三維分布的正電子顯像 973預研 38萬元 主持 順...
鄧金祥,陳浩, 劉鈞鍇,田凌,張岩,周濤,何斌,陳光華,王波,嚴輝,“氮化硼薄膜的製備和離子注入摻雜研究”,半導體學報,2006,27(增刊),127-130...
雙增強型CMOS/SOS工藝兩種溝道的 MOS管均為增強型,故要求兩種類型的矽外延膜用離子注入摻雜工藝形成。深耗盡型CMOS/SOS工藝中的深耗盡型MOS管,對矽膜厚度和摻雜...
與超精細光刻技術配合的超微加工技術還有自對準技術、離子注入摻雜、雷射澱積布線。今後的微細加工方向,將是對這些裝置進行改良,開發分辨能力更高的抗蝕劑,以及採用...
93離子注入 931離子注入原理 932離子注入的重要參數 933離子注入摻雜工藝與擴散 摻雜工藝的比較 94離子注入機 941離子注入機的組成及工作 原理 942離子注入工藝及操作...
例如,擴散摻雜改用離子注入摻雜工藝;紫外光常規光刻發展到一整套微細加工技術,如採用電子束曝光製版、等離子刻蝕、反應離子銑等;外延生長又採用超高真空分子束外延...