《用離子束研究稀磁半導體的形成、微結構和物理特性》是依託北京大學，由姚淑德擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：用離子束研究稀磁半導體的形成、微結構和物理特性
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：姚淑德
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10575007
- 申請代碼：A30
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：40（萬元）
項目摘要
長期以來，半導體技術是利用電子的電荷性質，電子的自旋被用於數據存儲。最近大量研究投入到如何把電子的自旋和電荷性質相結合形成稀磁半導體，它把半導體與磁性材料的優點集一身，有不可估量的套用前景。最近的理論和實驗證明，摻有3%-5%Mn元素的寬禁帶半導體如GaN、ZnO，居里溫度可以高於室溫。如何實現替位摻雜是形成稀磁半導體的關鍵和難點，生長過程摻雜是一種途徑，但主要障礙是鐵磁離子在半導體中的固溶度太低＜1%；可控離子束注入摻雜並雷射退火是生成稀磁半導體的有效途徑，其優點是注入角度、深度、劑量均可控制，鐵磁離子含量可超出固溶極限；雷射熱退火可最大限度地減小缺陷密度、損傷和彈性應變並促進替位；用離子束研究稀磁半導體的形成、微結構有獨特的優越性，可得到注入元素的分布、含量、替位率、晶格常數和相結構等有關微結構的重要信息，觀察鐵磁有序化並給出微結構與鐵磁性的關係。本課題將大大推進稀磁半導體研究的進程。
