極紫外掩模

幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有較強的吸收，因此極紫外光刻的掩模式反射式的。掩模表面反射的光包含由掩模上的圖形信息，實現曝光。

基本介紹

• 中文名：極紫外掩模
• 外文名：EUV Mask

EUV掩模式反射式的，其結構如圖1所示。襯底是6.35mm厚的低熱膨脹係數材料（low thermal expansion material,LTEM），一般要求其熱膨脹係數小於5ppb/K。最常使用的是摻Ti的石英玻璃。在襯底表面沉積有40~50周期的2.8nmMo/Si多層膜，多層膜上有11nm的Si覆蓋或4nm 的Ru覆蓋。然後是10nm的SiO2緩衝層和67nm夫人TaN吸收層。在襯底的背面還與一層60nm 左右的Cr導電層，這個導電層是為將來掩模安裝在工件台上準備的。