極紫外掩模清洗

極紫外掩模需要定期清洗，去除表面的顆粒和污斑，包括吸附的碳、氧化的斑痕、有機物等。

基本介紹

• 中文名：極紫外掩模清洗
• 外文名：EUV mask cleaning

EUV掩模在使用中會有外來顆粒的吸附和沾污；在EUV光子的作用下，掩模表面會氧化生成污斑，導致反射率的下降。與193nm掩模一樣，EUV掩模也需要定期清洗。EUV掩模的清洗工藝不能對掩模的結構造成傷害，也不能有有害化學成分殘留。

掩模傳統的清洗方法的化學清洗劑對多層膜表面有損傷，清洗後掩模表面粗糙度增大、反射率下降。因此清洗工藝需要小心的選擇配方和參數，既要保證一定的清洗效率，又不能對掩模性能造成較大的損傷。