小型分子束外延系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2011年5月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:小型分子束外延系統
- 產地:芬蘭
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2011年5月1日
小型分子束外延系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2011年5月1日啟用。
小型分子束外延系統 小型分子束外延系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 三個液態源,兩個固態源,兩路氣態源。主要功能 可以高保形型,原子層厚度逐層生長薄膜材料。
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
矽鍺分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2018年04月20日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,生長IV族材料。主要功能 具有IV族生長腔的MBE系統,適用於外延生長IV族半導體低維量子材料,如...
分子束外延掃描探針顯微系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年12月7日啟用。技術指標 快速進樣室:材料為不鏽鋼304,腔體外徑為114mm,內壁電化學拋光處理 真空度:優於1.3�10-5Pa (焙燒前) 安放台:固定在磁力傳送桿上...
氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月31日啟用。技術指標 超高真空:10-9 torr;多個穩定可控蒸發源;樣品台溫度800℃;束流測試精度優於0.01A/s。主要功能 外延生長高...
分子束外延沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年7月9日啟用。技術指標 超真空度:10^-10Torr;原子尺度內可控生長HgCdTe(MCT)基單晶薄膜、異質結和量子阱等;原子層尺度監測材料的生長;納米級超薄膜...
掃描隧道顯微鏡和分子束外延系統 掃描隧道顯微鏡和分子束外延系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 低溫測試:30mk。主要功能 分子束外延。
程控多源變溫分子束外延生長系統 程控多源變溫分子束外延生長系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月25日啟用。技術指標 6個蒸發源/-100~1100℃/STM。主要功能 用於外延生長薄膜樣品。
矽基分子束外延系統 矽基分子束外延系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年12月8日啟用。技術指標 極限真空5×10-9 Pa,最大襯底3英寸,配有RHEED和四極質譜儀。主要功能 矽基外延材料製備。
超高真空分子束外延和線性傳輸系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2018年6月15日啟用。技術指標 超高真空至2*10-10mbar,樣品台溫度控制精度在0.1oC,束流控制精度在0.01埃/s。主要功能 分子束外延法生長薄膜半導體材料設備。
分子束外延薄膜沉積系統 分子束外延薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2014年6月5日啟用。技術指標 基礎真空:1.0*10^(-10)Torr。主要功能 薄膜材料樣品製備。
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超高真空分子束外延系統 超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月2日啟用。技術指標 500 EBV。主要功能 薄膜生長。