原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:原位分子束外延系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2014年12月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。
原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。技術指標LAB-10/VT AFM 25。1主要功能真空度優於10-8bar,最高加熱溫度1500K。1...
雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結合,使得系統能夠實現類似於MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發...
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
ZnO材料基本性質研究和材料生長動力學分析變得更加重要和緊迫,但當前ZnO生長動力學的原位分析不足且精細程度不高。本項目將採用分子束外延生長(MBE)和掃描探針(SPM)聯合系統,研究矽(Si)襯底上ZnO的MBE生長動力學。通過最佳化生長條件和材料...
整個系統不僅在各項指標上達到了國際先進水平,同時極大提高了我們對樣品調控的自由度。在這套系統中,我們將原位樣品調控系統、分子束外延生長系統和最新一代的角分辨光電子能譜系統緊密結合在了一起。利用這一系統,我們取得了多個研究...
本項目利用大科學裝置-北京同步輻射裝置的光電子能譜線站的集成分子束外延系統研究了NiO-ZnO的界面耦合行為,在具有六方纖鋅礦結構的半導體氧化鋅襯底上外延生長出立方的NiO薄膜,並原位採集了所生長的NiO 薄膜的X射線吸收譜和光電子能譜...
原子級分辨(0.1 nm),光學兼容性:掃描探頭上直接集成高數值孔徑 (N.A.=0.5) 的非球面鏡,磁場: 2特斯拉,原位電子輸運測量:掃描探頭上直接集成6個電極,電極的製備:利用掩膜技術和分子束外延技術在超高真空中原位沉積電極。
我們在現有的角分辨能譜儀上已擴建了先進的過渡金屬氧化物分子束外延系統,通過結合原位生長和測量,將把電子結構研究擴展到了以前無法探測的經典或重要材料中。結合氧化物薄膜和異質結的生長,光電子能譜,輸運性質測量,表面磁學測量和X光...