場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。
基本介紹
- 中文名:場發射透射電鏡
- 外文名:field emission transmission electron microscope
- 所屬學科:生物物理學
- 公布時間:2018年
場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。
場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。定義一種配有場發射電子槍的透射電子顯微鏡。可獲得優於鎢燈絲透射電鏡的相干性...
2024年1月20日,由生物島實驗室領銜研製,擁有自主智慧財產權的首台國產場發射透射電子顯微鏡TH-F120在廣州市黃埔區正式發布。主要功能 2.利用微區電子衍射、會聚束電子衍射及元素分析可對小至0.5nm尺度的物質進行結構和成分分析,因而特別適用於普通透射電鏡難以分析的微細析出相,界面和疇等極小區域內成分、結構的...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;信息解析度≤0.15nm。主要功能 可對金屬、無機非金屬材料、陶瓷材料和各種納米...
場發射透射電鏡和掃描電鏡是一種用於物理學、化學工程領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1、點解析度:0.24nm 2、線解析度:0.102nm 3、信息解析度:0.14nm。主要功能 透射電鏡功能及套用範圍: 1、高性能的透射電子成像、掃描透射成像和納米分析 2、所有的先進分析技術集成於一體: TEM、HR-TEM、...
場發射槍分析透射電鏡 場發射槍分析透射電鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2012年10月31日啟用。技術指標 合金、鋼鐵、納米材料、有機聚合物。主要功能 可以對各種固體和液體樣品進行形態觀察和元素定性定量分析,對部分溶液進行相變過程觀察。
場發射透射電鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月10日啟用。技術指標 1.點解析度:≤0.24nm;信息解析度:≤0.14nm;能量解析度: ≤0.7eV; 2.最小放大倍數: 80× 最大放大倍數: 1,000,000×; 3.樣品移動 X:≥2mm;Y: ≥2mm;Z:≥±0.2mm (最高可以達到±0.4mm) ; 4....
300KV場發射透射電鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2016年10月1日啟用。技術指標 1.燈絲類型:ZrO/W (100) Schottky field emission gun (S-FEG)2.1. 物鏡類型:C-Twin3. 點解析度:0.25nm4. 信息分辨極限:0.14nm5. 加速電壓:80kV - 300kV6. 放大倍數:40×– 740k×7. 最大樣品傾角:±71...
場發射透射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年12月1日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm。最大傾轉角:X=±35°,Y=±30° 。最小束斑尺寸: 0.5nm。主要功能 2010F是涵蓋能量過濾,場發射分析的TEM/STEM儀器,並帶有HAADF STEM,它利用微區電子衍射、會聚束電子衍射及元素分析可對小至0....
材料型場發射透射電鏡是一種用於水利工程、材料科學、礦山工程技術、動力與電氣工程領域的分析儀器,於2019年12月23日啟用。技術指標 加速電壓: 200 KV 電子槍:肖特基熱場發射 TEM點解析度:0.25nm TEM信息解析度: 0.12 nm STEM解析度: 0.16 nm 樣品傾斜角度X/Y:±30o 能譜能量解析度:136 ev 元素檢測範圍...
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。主要功能 TEM像、高分辨像、STEM像、選區電子衍射、HAADF像、暗場像、微區元素成分...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點解析度:0.248nm;線解析度:0.102nm;加速電壓 :200KV 能譜儀:能量解析度136...
熱場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2009年12月20日啟用。技術指標 加速電壓:200kv;電子槍:場發射;信息解析度:<0.14nm ;點解析度:<0.24nm;STEM解析度<0.3nm;EELS解析度:<0.7ev;配有EELS、STEM探頭、EDS探頭。主要功能 對材料內部微觀結構,組織成分,...
200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。技術指標 儀器配置:X-FEG場發射型電子槍 加速電壓:200 kV,160 kV, 80 kV 點解析度0.23 nm,信息極限可達0.14 nm;二級聚光鏡照明系統;高襯度物鏡系統,物鏡球差係數(Cs)為2.7 mm;配有低溫(液氮溫區)樣品載物台...
透射電鏡的總體工作原理是:由電子槍發射出來的電子束,在真空通道中沿著鏡體光軸穿越聚光鏡,通過聚光鏡將之會聚成一束尖細、明亮而又均勻的光斑,照射在樣品室內的樣品上;透過樣品後的電子束攜帶有樣品內部的結構信息,樣品內緻密處透過的電子量少,稀疏處透過的電子量多;經過物鏡的會聚調焦和初級放大後,電子束...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲12個冷凍樣品 自動液氮灌注系統可長時間自動維持。主要功能 Titan Krios 主要用於...
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數:20k~40k倍 點解析度:0.23nm 條紋解析度:0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
300KV場發射透射電子顯微鏡 300KV場發射透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2016年3月9日啟用。技術指標 TEM點解析度 80 pm STEM解析度 70 pm。主要功能 納米材料形貌、結構以及成分分析。
Tecnai Arctica是在Tecnai F20的基礎上發展的一款透射電鏡。高穩定的場發射電子槍使照明光源的相干性和亮度大大提高。其配備革命性的冷凍技術,可以一次裝入最多達12個樣品,並連續自動使樣品處於液氮溫度。Phase plate可以大大提高圖像的襯度。高速數字相機(SmartCam)代替傳統螢光屏使得用戶可以利用其嶄新的數位化操作...
200kV冷凍透射電鏡是一種用於生物學、藥學領域的分析儀器,於2013年6月6日啟用。技術指標 Tecnai G2 F20 200kV場發射透射電鏡一台,配備有4K x 4K 的Eagle CCD相機和電子斷層掃描操作程式包以及Gatan626、CT3500冷凍樣品桿。 200kV場髮式透射電鏡目前世界上使用最廣泛,在單顆粒重構、電子晶體學和電子斷層重構等三...
低壓小型透射電鏡主要包括LVEM5和LVEM25兩個型號,其主要特徵如下:LVEM5(電子加速電壓:5kV)LVME5小型低壓透射電鏡是桌面型透射電鏡。其主要特點如下:1、體積遠小於傳統大型透射電鏡,台式設計,可放置在任意實驗室桌面;2、Schottky場發射電子槍:高亮度、高對比度;3、多種成像模式:透射電鏡(TEM)、電子衍射(...
場發射電子顯微鏡系統 場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面掃描分析。
冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡 冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月14日啟用。技術指標 解析度0.078nm。主要功能 材料微結構分析。
超高分辨熱場發射掃描電鏡 超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察和成分分析。
2. 利用掃描透射模式時物鏡的強激勵,可以實現微區衍射。3. 利用後接能量分析器的方法可以分別收集和處理彈性散射和非彈性散射電子。4. 進行高分辨分析、成像及生物大分子分析。工作原理 STEM成像不同於一般的平行電子束TEM, EDS 成像,它是利用會聚的電子束在樣品上掃描來完成的。在掃描模式下,場發射電子源發射...
透射電鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須製備更薄的超薄切片(通常為50~100nm)。透射式電子顯微鏡鏡筒頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發射出、通過第一,第二兩個聚光鏡使電子束聚焦。電子束通過樣品後由物鏡成像於中間鏡上,再通過中間鏡和...
場發射高分辨電子顯微鏡 場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
高分辨透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年11月20日啟用。技術指標 點解析度:0.19nm; 線解析度:0.14nm; TEM解析度:0.20nm;放大倍率: 2000-1,500,000 X ;加速電壓:200kV ; 傾斜角:±25°;能譜儀:4Be ~ 92U。主要功能 1.高亮度場發射電子槍; 2.束斑尺寸小於0.5nm;...
TH-F120,是中國首台國產商業場發射透射電子顯微鏡,由生物島實驗室領銜研製,擁有自主智慧財產權,將打破國內透射電鏡100%依賴進口的局面,標誌著中國已掌握透射電鏡用的電子槍等核心技術,並具備量產透射電鏡整機產品的能力。2024年1月20日,TH-F120在廣州市黃埔區正式發布。此次廣州慧炬科技有限公司推出的首款透射電鏡...
超高壓電鏡分辨本領高、對試樣的穿透能力強(1MV時約為100kV的3倍),但價格昂貴,需要專門建造高大的實驗室,很難推廣。6.中等電壓電子顯微鏡中等電壓200kV\,300kV電鏡的穿透能力分別為100kV的1.6和2.2倍,成本較低、效益/投入比高,因而得到了很大的發展。場發射透射電鏡已日益成熟。TEM上常配有鋰漂移矽Si(Li...
《微米-納米級超高壓礦物的電子顯微學研究》是陳晶為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。科研成果 項目摘要 利用最先進的科學儀器場發射透射電鏡(FTEM)、場發射掃描電鏡(FSEM)、聚焦離子束(FIB)和雷射拉曼(Raman),對大別-蘇魯超高壓變質帶和中國大陸科學鑽孔(CCSD)中的超高壓高壓變質岩石進行深入細緻的...