ZnO基透明薄膜電晶體的研製

《ZnO基透明薄膜電晶體的研製》是依託大連理工大學,由杜國同擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：ZnO基透明薄膜電晶體的研製
• 依託單位：大連理工大學
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：杜國同
• 批准號：60576054
• 申請代碼：F0404
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
• 支持經費：28（萬元）

項目摘要

提出了全MOCVD（金屬有機物化學氣相外延）法製造ZnO基（及其多元氧化物）透明薄膜電晶體（Transparent Thin Film Transistors, TTFT），研究其材料生長、器件結構及製造工藝。全MOCVD製造ZnO-TTFT工藝簡單、均勻性好、器件製造過程沾污小、器件可靠。採用ZnO-TTFT可提高LCD、OLED顯示屏開口率，提高顯示品質，並且ZnO-TTFT對可見光無反應，不需要遮光層，簡化工藝；ZnO-TTFT結合ZnO透明電極技術還可以製造透明積體電路，將在偽三維立體顯示屏、汽車智慧型顯示、航空頭盔顯示等平面顯示、光學信息處理、宇航、軍事領域有廣泛套用前景。