阿布來提·阿布力孜，男，維吾爾族，1986年1月出生於新疆伽師縣。2009年7月本科畢業於喀什大學物理系，獲理學學士學位；2014年6月碩士畢業於新疆大學物理科學與技術學院，獲理學碩士學位；2017年6月在武漢大學獲凝聚態物理理學博士學位。2017年7月進入新疆大學物理科學與技術學院任教，主要研究方向是高性能薄膜電晶體及其相關問題研究，重點研究氧化物薄膜電晶體以及電晶體在感測器中的套用。目前主持國家自然科學基金一項，省部級項目一項，廳級項目一項。從事科研工作以來在ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction Electron Devices,Applied Surface Science 等頂級期刊上已發表SCI學術論文20篇，其中第一作者或通訊作者SCI論文6篇，國家發明專利一項。
基本介紹
- 中文名：阿布來提·阿布力孜
- 國籍：中國
- 畢業院校：武漢大學
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：凝聚態物理
科研項目,代表論文,授權專利,獲獎紀錄,
科研項目
[1]高性能氧化鋅基薄膜電晶體的研製及相關問題的研究（No.61804131）， 國家自然科學基金青年項目， 2019.1-2021.12， 25.0萬， 項目負責人；
[2]高性能ZnO基氧化物薄膜電晶體製備及機理研究（No.2018D01C078）， 新疆維吾爾自治區自然科學基金青年項目，2018.7-2021.6， 7.0萬， 項目負責人；
[3]基於ZnO透明薄膜場效應電晶體的製備及其性能研究，（No.111001/40008001）新疆維吾爾自治區百名優秀博士引進計畫（天池博士）人才項目，10.0萬，項目負責人；
[4]金屬氧化物薄膜電晶體的製備和電學性能研究，新疆大學博士科研啟動基金項目，10.0萬元，項目負責人.
代表論文
(1) Ablat Abliz, L. Xu, D. Wan, H. Duan, J. Wang, C. Wang, S. Luo, C. Liu, Effects of Yttrium Doping on the Electrical Performances and Stability of ZnO Thin-Film Transistors,Applied Surface Science,475 (2019) 565-570.
(2) Ablat Abliz*, D. Wan, L. Yang, M.Mamat, H. Chen, L. Xu, C. Wang, H. Duan*, Investigation on the Electrical Performancesand Stability of W-doped ZnO Thin-Film Transistors, Materials Science in Semiconductor Processing, 95 (2019) 54-58.
(3) Ablat Abliz, Da Wan, Jui-Yuan Chen, Lei Xu, Jiawei He, Yanbing Yang, Haiming Duan,Chuansheng Liu, Changzhong Jiang, Huipeng Chen,Tailiang Guo, Lei Liao*,“Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer”, IEEE Trans. Electron Devices, 65 (2018) 2844-2849.
(4) Ablat Abliz, Qingguo Gao, Da Wan, Xingqiang Liu, Lei Xu, Lei Liao*，Chuansheng Liu*, Changzhong Jiang, Xuefei Li, Huipeng Chen, Tailiang Guo, “Effects of nitrogen and hydrogen codoping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 10798-10804.
(5) Ablat Abliz, Chun-Wei Huang, Jingli Wang, Lei Xu, Lei Liao*, Xiangheng Xiao, Wen-Wei Wu, Zhiyong Fan, Changzhong Jiang, Jinchai Li, Shishang Guo, Chuansheng Liu,Tailiang Guo, “Rational design of ZnO:H/ZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016) 7862-7868.
(6) Ablat Abliz, Ablat Abliz, Jingli Wang,Lei Xu,Da Wan, Lei Liao*, Cong Ye, Chuansheng Liu, Changzhong Jiang, Huipeng Chen, Tailiang Guo, “Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnO:H layer”, Appl. Phys. Lett.,108 (2016) 213501.
(7) Guoli Li, Ablat Abliz, Lei Xu, Nicolas Andre, Xingqiang Liu, Yun Zeng, Denis Flandre, Lei Liao*, “Understanding hydrogen and nitrogen doping on active defects in amorphous InGaZnO thin film transistors”,Appl. Phys. Lett., 112(2018) 253504.
(8) Da Wan, Xingqiang Liu, Ablat Abliz, Chuansheng Liu, Yanbing Yang, Wei Wu, Guoli Li, Jinchai Li, Huipeng Chen, Tailiang Guo, Lei Liao*,“Design of highly stable tungsten dopedIZOthin film transistorswith enhanced performance”, IEEE Trans. Electron Device, 65 (2018) 1018-1023.
(9) Da Wan, Ablat Abliz, Meng Su, Chuangsheng Liu, Changzhong Jiang, Guoli Li, Huipeng Chen, Tailiang Guo, Xingqiang Liu, and Lei Liao*, “Low frequency noise analyses in high mobility a-InGaZnO/InSnO nano wire compositethin filmtransistors”, IEEE Electron Devices Lett., 32 (2017) 1540-1542.
(10) Lei Xu,Chun-Wei Huang, Ablat Abliz, Yang Hua, Lei Liao*, Wen-Wei Wu,Xiangheng Xiao, Changzhong Jiang, Wei Liu, Jinchai Li1, “The different roles of contact materials between oxidation inter-layer and doping effect for high performance ZnO thin film transistors”, Appl. Phys. Lett., 106 (2015) 051607.
(11) Zhe Li, Lei Xu, Ablat Abliz, Yang Hua, Jinchai Li, Ying Shi, Wei Liu, Lei Liao*,“Electrical properties in group IV elements doped ZnO th in film transistors”, J. Disp. Technol., 8 (2015) 670-673.
授權專利
[1]廖蕾（導師），阿布來提·阿布力孜，劉傳勝. 一種氫鈍化氧化鋅基雙溝道層高性能薄膜電晶體及其製備方法：中國，授權發明專利，專利號：ZL201510866302.1
獲獎紀錄
[1] 2017年，武漢大學“研究生學術創新獎”二等獎；
[2] 2017年，武漢大學優秀博士畢業生；
[3] 2016年，武漢大學博士研究生國家獎學金；
[4] 2016年，武漢大學優秀研究生.
