高遷移率ZnO基透明薄膜電晶體研究

《高遷移率ZnO基透明薄膜電晶體研究》是依託浙江大學，由吳惠楨擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：高遷移率ZnO基透明薄膜電晶體研究
• 依託單位：浙江大學
• 項目負責人：吳惠楨
• 項目類別：面上項目
• 批准號：60676003
• 申請代碼：F0401
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
• 支持經費：27（萬元）

項目摘要

薄膜電晶體（TFT）占有矽晶片技術的第二大市場，在平板顯示、印表機、複印機和攝像機等中具有重要的套用，目前的TFT 產品都採用非晶Si或多晶Si技術，對可見光吸收、電子遷移率低是Si基TFT的明顯缺點。本項目提出了用六方相ZnO基納米薄膜和立方相ZnMgO納米薄膜構建對可見光透明的TFT，通過深入研究器件結構參數、ZnO基納米薄膜材料的低溫生長機理及其微結構與電學特性的關聯等科學問題，實現高電子遷移率的透明TFT器件。探索在柔性塑膠襯底上研製透明薄膜電晶體和採用具有室溫鐵磁性的ZnCoO納米薄膜做溝道實現磁場和電場控制的薄膜電晶體。