《背照式ZnO基紫外焦平面成像陣列的基礎研究》是依託西安交通大學，由張景文擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：背照式ZnO基紫外焦平面成像陣列的基礎研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張景文
- 依託單位：西安交通大學
- 批准號：60876042
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：43（萬元）
中文摘要
本課題旨在研究一種新型抗輻照的、可靠性高、壽命長、成本低、單片集成的背照式ZnO基寬禁帶半導體固態焦平面陣列紫外成像器件。將研究基於ZnO基多層單晶薄膜和納米線的焦平面成像陣列的微製造技術，及ZnO基納米線的定生長工藝和鈍化技術。利用敏感層納米線的大比表面特性增加對紫外光的吸收，提高器件光回響的靈敏度；經過表面鈍化的納米線具有更好的載流子遷移特性和時間回響特性。研究ZnO基日盲紫外FPA成像陣列的光譜回響和瞬態紫外光電回響特性。研究ZnO基日盲紫外FPA成像陣列與有源CMOS讀出電路之間的銦凸點互連技術，研製出原型ZnO基焦平面陣列紫外成像器件：256 x 256，單元像素30μm x 30μm，回響時間優於納秒，靈敏度優於2000A/W（UV-C波段），明暗對比優於8000，不均勻性優於±5%。為我國新型焦平面陣列紫外成像器件的研製奠定基礎。
