基本介紹
內容簡介,目錄,
內容簡介
《成像光譜技術導論》圍繞成像光譜遙感技術的原理和成像光譜儀的設計，以色散型成像光譜儀為主，介紹成像光譜技術的物理基礎、探測器選擇、系統整體設計、光學設計、電子學設計、系統標定和檢測、數據定量化處理、成像光譜技術的套用等內容。全書共分10章。第1章敘述成像光譜技術的物理基礎、基本原理和發展歷史；第2章介紹光電感測器的物理基礎、類型指標；第3章介紹成像系統和分光系統的設計；第4章介紹成像光譜儀的電子學設計；第5章介紹成像光譜儀輻射和幾何兩方面的定量化技術；第6章介紹系統評價技術；第7章介紹系統整體設計方法，並詳細介紹兩個成像光譜儀的實際設計案例；第8章以預處理為主介紹成像光譜數據處理技術；第9章舉例介紹成像光譜遙感的典型套用內容；第10章簡要介紹現有的典型成像光譜儀及其國內外發展趨勢。
目錄
序
前言
第1章 引言
1.1 成像光譜技術的基本原理
1.1.1 成像光譜技術的物理基礎
1.1.2 成像光譜儀的實現原理
1.2 成像光譜技術的發展
1.2.1 成像光譜技術的國外研究
1.2.2 成像光譜技術的國內研究
參考文獻
第2章 成像光譜技術中的光電感測器
2.1 光電感測器基本原理
2.1.1 光電導感測器
2.1.2 光伏感測器
2.2 矽感測器
2.2.1 CCD的物理基礎
2.2.2 矽線列CCD
2.2.3 矽面陣CCD感測器
2.3 InSb感測器
2.3.1 InSb感測器簡介
2.3.2 InSb測器陣列的製備和性能
2.3.3 InSb直接混成式焦平面陣列器件的工作原理及研製
2.3.4 InSb探測器性能
2.3.5 InSb大型焦平面陣列器件技術
2.4 HgCdTe感測器
2.4.1 HgCdTe感測器簡介
2.4.2 HgCdTe物理特性
2.4.3 HgCdTe探測器結構
2.4.4 HgCdTe探測器性能
2.4.5 HgCdTe感測器的未來發展
2.5 InGaAs感測器
2.5.1 InGaAs感測器簡介
2.5.2 InGaAs物理特性
2.5.3 InGaAs探測器結構
2.5.4 InGaAs/PIN光電探測器性能
2.5.5 InGaAs光電探測器現狀與發展趨勢
2.6 面陣感測器最新技術進展
2.6.1 高速幀轉移背照面陣CCD感測器
2.6.2 背照式減薄面陣CMOS感測器
2.6.3 SiPIN焦平面混成陣列
2.6.4 寬譜回響HgCdTe焦平面
2.6.5 量子阱紅外焦平面
2.7 小結
參考文獻
第3章 光學系統的設計
3.1 成像光譜儀的成像方式
3.1.1 光機掃描成像方式
3.1.2 推帚成像方式
3.1.3 凝視成像方式
3.1.4 成像光譜儀成像方式的特點
3.2 成像光學系統
3.2.1 光機掃描部件
3.2.2 反射式成像系統
3.2.3 折射式成像系統
3.2.4 折－反射式成像系統
3.2.5 成像光學系統的特點
3.3 分光方式
3.3.1 稜鏡分光
3.3.2 光柵分光
3.3.3 傅立葉變換分光
3.3.4 AOTF分光
……
第4章 電子學設計
第5章 成像光譜定量化技術
第6章 成像光譜儀的系統評價技術
第7章 成像光譜儀的陶系統設計
第8章 成像光譜數據的信息處理技術
第9章 成像光譜數據的套用
第10章 國內外主要成像光譜儀概覽及發展趨勢
參考文獻
