《ZnO納米線電注入紫外雷射器陣列的研究》是依託吉林大學，由馬艷擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：ZnO納米線電注入紫外雷射器陣列的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：馬艷
- 依託單位：吉林大學
- 批准號：60877020
- 申請代碼：F0502
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：35（萬元）
項目摘要
短波長光學器件的巨大套用潛力，使採用新興紫外光電材料ZnO製作藍色、紫外光電器件成為熱門研究課題。但是非常完整的ZnO單晶薄膜很難獲得，由於晶粒邊界和缺陷的存在，大大增加了非輻射複合躍遷幾率，加之p型摻雜技術還並不成熟，ZnO基紫外雷射器仍無法實現。本課題提出，利用納米結構材料晶體完整等獨特優勢，採用ZnO納米線製作電注入納米雷射器陣列。通過我們自行發明研究的摻雜夾層薄膜p型摻雜方法生長ZnO納米線，這種工藝方法既能實現ZnO納米線的誘導生長，又能解決p型摻雜問題，同時利用矽油類有機物實現納米線側表面鈍化及線間良好的絕緣填充，研製ZnO納米雷射器陣列原型器件。為ZnO紫外雷射器的研製開闢一條新的途徑，促進ZnO材料在光電子學研究領域的快速發展和廣泛套用。
