張賀秋：大連理工大學物理與光電工程學院教師
個人簡介
1993.9-1997.7 大連理工大學 物理系 本科生
1997.9-2000.7 大連理工大學 物理系 碩士生
2000.9-2003.12 北京大學 微電子研究院 博士生
2003.12 獲得博士學位
2004.4至今 大連理工大學 物理與光電工程學院 工作
1997.9-2000.7 大連理工大學 物理系 碩士生
2000.9-2003.12 北京大學 微電子研究院 博士生
2003.12 獲得博士學位
2004.4至今 大連理工大學 物理與光電工程學院 工作
研究領域（研究課題）
主要從事半導體材料的生長、表征；半導體器件工作機理及半導體器件可靠性方面的工作。目前所研究的課題是ZnO半導體材料特性方面的工作。
碩博研究方向
半導體器件製造
半導體器件工作機理
半導體材料生長等
出版著作和論文
1. 張賀秋，毛凌鋒，許銘真，譚長華，“超薄氧化層中的中性陷阱對隧穿電流的影響和應變誘導漏電流（英文），”半導體學報，23卷，4期，2002：367-372
2. 張賀秋，許銘真，譚長華，“超薄柵氧化物pMOSFET器件在軟擊穿後的特性(英文)，” 半導體學報，24卷，11期，2003：1149-1153
3. 張賀秋，許銘真，譚長華，“不同厚度超薄柵氧化物MOSFET的應力誘導漏電流(英文)，” 半導體學報，25卷，3期，2004：257-261
4. Zhang Heqiu,Xu Mingzhen and Tan Changhua, “An Empirical Direct Tunneling Current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs,” Chinese Journal of Semiconductors, Vol.25, No.5, 2004:516-519
5. Zhao Jie, Hu Lizhong, Wang Zhaoyang, Wang Zhijun, Zhang Heqiu, Zhao Yu, and Liang Xiuping. Epitaxial growth of ZnO thin films on Si substrates by PLD technique. Journal of Crystal Growth. 2005, 280,(3-4): 455–461.
6. 趙傑, 胡禮中, 王兆陽, 李銀麗, 王志俊, 張賀秋, 趙宇. PLD方法生長ZnO/Si異質外延薄膜的研究. 功能材料, 2005, 36,(12):1879-1882.
7. Wang Zhaoyang, Hu Lizhong, Zhao Jie, Zhang Heqiu, and Wang Zhijun. The fabrication of ZnO/MgO multilayer films on Si (111) by PLD. Vacuum, (accepted).
8. Mao Lingfeng, Zhang Heqiu, Tan Changhua, Xu Mingzhen, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures,” Microelectronics Reliability, Vol.42, No.2, 2002:175-181
9. Lingfeng Mao, Yao Yang, Jian-Ling Wei, Heqiu Zhang, Ming-Zhen Xu, Chang-Hua Tan,”Effect of SiO2/Si interface roughness on gate current”, Microelectronics Reliability 41(2001),1903-1907
10. L. F. Mao, H. Q. Zhang, J.L. Wei, C. H. Tan and M. Z. Xu“Estimation of Interface Roughness using Tunneling Current in Ultrathin MOSFET”ICSICT
11. Lingfeng Mao*, Heqiu Zhang, Changhua Tan and Mingzhen Xu, “The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler-Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures”, Microelectronic reliability V.42, No.2, 2002 p 175-181
12. 毛凌鋒 譚長華 許銘真 衛建林 穆甫臣 張賀秋 “粗糙界面對超薄柵MOS結構的直接隧穿電流的影響,” 半導體學報, 2001，第22卷第9期，pp.1143-1146
