基本介紹
- 中文名：高等學校專業英語教材:微電子專業英語
- 作者：呂紅亮 李聰
- 出版日期：2012年9月1日
- 語種：簡體中文, 英語
- ISBN：7121177609, 9787121177606
- 外文名：English for Microelectronics
- 出版社：電子工業出版社
- 頁數：326頁
- 開本：16
- 品牌：電子工業出版社
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
圖書目錄
Session 1 Introduction to Semiconductor
1. 1 What is Semiconductor
1. 2 Classification of Semiconductor
Reading Materials
Session 2 Crystal Structure
2.1 Primitive Cell and Crystal Plane
2.2 Atomic Bonding
Reading Materials
Session 3 Band Model
3.1 Introduction to Quantum Mechanics
3.2 Band
3.3 Effective Mass Theory
Reading Materials
Session 4 The Semiconductor in Equilibrium
4. 1 Charge Carriers in Semiconductor
4. 2 Intrinsic Semiconductor
4. 3 Extrinsic Semiconductor
Reading Materials
Session 5 Carrier Transport
5.1 Overview of Carrier Transport
5.2 Low Field Transport
5.3 High Field Transport
5.4 Diffusion Current
Session 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor
6.1 Recombination
6.2 Minority Cartier Lifetime
6.3 Ambipolar Transport
Reading Materials
Session 7 The pn Junction (Ⅰ)
7.1 Introduction
7.2 Basic Structure of the pn Junction
7.3 Energy Bands for a pn Junction
7.4 Ideal Current-Voltage Relationship
7.5 Characteristics of a Practical Diode
Reading Materials
Session 8 The pn Junction (Ⅱ)
8.1 Breakdown in pn Junction
8.2 Small-Signal Diffusion Resistance of the pn Junction
8.3 Junction Capacitance
8.4 Diffusion or Storage Capacitance
8.5 Diode Transients
8.6 Circuit Models for Junction Diodes
Reading Materials
Session 9 Metal-Semiconductor Contacts
9.1 Schottky Contacts
9.2 Ohmic Contacts
Reading Materials
Session 10 Heterojunctions
10.1 Strain and Stress at Heterointerfaces
10.2 Heterojunction Materials
10.3 Energy-Band Diagrams
Reading Materials.
Session 11 The Bipolar Junction Transistor (Ⅰ)
11.1 The Bipolar Junction Transistor Construction
11.2 Transistor Action
11.3 Nonideal Effects
11.4 Base Resistance
Reading Materials
Session 12 The Bipolar Junction Transistor (Ⅱ)
12.1 Breakdown Voltage
12.2 Frequency Limits of BJT
12.3 The Schottky-Clamped Transistor
12.4 Small-signal Transistor Model
Reading Materials
Session 13 Basics of MOSFETs
13.1 Introduction
13.2 General Characteristics of a MOSFET
13.3 MOS System
13.4 Work Function Differences
13.5 Flat-Band Voltage
13.6 Threshold Voltage
Reading Materials
Session 14 Nonideal Effects of MOSFETs
14.1 Introduction
14.2 Effective Mobility
14.3 Velocity Saturation
14.4 Channel-length Modulation
14.5 DIBL
14.6 Hot-carrier Effect
14.7 GIDL
Reading Materials
Session 15 Advanced MOSFET Devices
15.1 Introduction
15.2 Channel Doping Profile
15. 3 Gate Stack
15.4 Source/Drain Design
15. 5 Sohottky-Barrier Source/Drain
15.6 Raised Souree/Drain
15.7 SOI
15. 8 Three Dimensional Structure
Reading Materials
Session 16 Introduction to Integrated Circuits
16. 1 Introduction
16. 2 Size and Complexity of Integrated Circuits
16. 3 Semiconductor Device for Integrated Circuits
16. 4 IC Design Process
Reading Materials
Session 17 Analog Integrated Circuits Design
17. 1 Introduction
17. 2 Analog Signal Processing
17. 3 CMOS Technology
17.4 Amplifiers
17.5 Differential Amplifiers
17. 6 Operational Amplifiers
17. 7 Characterization of Op Amps
Reading Materials
Session 18 Digital Integrated Circuits Design
18. 1 Introduction
18. 2 The Static CMOS Inverter
18. 3 Designing Combinational Logic Gates in CMOS
Reading Materials
Session 19 Radio Frequency Integrated Circuits Design
19. 1 Introduction
19. 2 RF System Performance Metrics
19. 3 RF Transceiver Architectures
19. 4 RF Passive Component
19. 5 Receiver
19. 6 Frequency Synthesizer
19. 7 Transmitter
Reading Materials
Session 20 Shnulation and Verification
20. 1 Introduction
20. 2 SPICE Circuit Simulator
20. 3 Circuit Design Automation with Verilog
20. 4 Verification
Reading Materials
Session 21 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅰ)
21.1 The Development of Semiconductor Technology
21.2 Wafer Fabrication
Reading Materials
Session 22 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅱ)
22. 1 Assembly
22. 2 Metrulogy
Reading Materials
Session 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process
23. 1 Bipolar Technology
23.2 GaAs Digital Logic Process
Reading Materials
Session 24 CMOS Technology
24. 1 CMOS Fabrication Sequence
24. 2 Twin Well and Retrograde Well
24. 3 Isolation
24. 4 Structures that Reduce the Drain Field
24. 5 Gate Engineering
Reading Materials
Session 25 Reliability
25. 1 Introduction
25.2 Failure Modes
Reading Materials
參考譯文
第1講半導體概述
1.1什麼是半導體
1.2半導體的分類
第2講晶體結構
2.1原胞和晶面
2.2原子價鍵
第3講能帶模型
3.1量子力學簡介
3.2能帶
3.3有效質量理論
第4講平衡半導體
4.1半導體中的帶電載流子
4.2本徵半導體
4.3非本徵半導體
第5講載流子輸運
5.1載流子輸運概要
5.2低場輸運
5.3強場輸運
5.4擴散電流
第6講半導體中的非平衡過剩載流子
6.1複合
6.2少數載流子壽命
6.3雙極輸運
第7講pn結（Ⅰ）
7.1概述
7.2pn結的基本結構
7.3pn結的能帶圖
7.4理想電流電壓關係
7.5實際二極體特性
第8講pn結（II）
8.1pn結擊穿
8.2pn結的小信號擴散電阻
8.3結電容
8.4擴散電容（存儲電容）
8.5二極體瞬態特性
8.6pn結二極體的電路模型
第9講金屬—半導體接觸
9.1肖特基接觸
9.2歐姆接觸
第10講異質結
10.1異質界面的應變與應力
10.2異質結材料
10.3能帶圖
第11講雙極電晶體（I）
11.1雙極電晶體結構
11.2電晶體作用
11.3非理想效應
11.4基區電阻
第12講雙極電晶體（II）
12.1擊穿電壓
12.2雙極電晶體的頻率特性
12.3肖特基鉗位電晶體
12.4電晶體的小信號模型
第13講MOSFET基礎
13.1引言
13.2MOSFET的一般特徵
13.3MOS系統
13.4功函式差
13.5平帶電壓
13.6閾值電壓
第14講MOSFET的非理想效應
14.1引言
14.2有效遷移率
14.3速度飽和
14.4溝道調製效應
14.5漏致勢壘降低
14.6熱電子效應
14.7柵感應漏極泄漏
第15講先進的MOSFET器件
15.1引言
15.2溝道摻雜分布
15.3柵疊層
15.4源/漏設計
15.5肖特基源/漏
15.6提升的源/漏
15.7SOI（絕緣層上的矽）
15.8三維結構
第16講積體電路簡介
16.1概述
16.2積體電路的面積和複雜度
16.3積體電路中的半導體器件
16.4積體電路設計過程
第17講模擬積體電路設計
17.1概述
17.2模擬信號處理
17.3CMOS工藝
17.4放大器
17.5差分放大器
17.6運算放大器
17.7運放的特點
第18講數字積體電路
18.1介紹
18.2靜態CMOS反相器
18.3CMOS組合邏輯門的設計
第19講射頻積體電路設計
19.1概述
19.2射頻系統的性能指標
19.3射頻收發機的結構
19.4無源射頻元件
19.5低噪聲放大器
19.6頻率合成器
19.7發射機
第20講仿真與驗證
20.1簡介
20.2SPICE電路仿真器
20.3使用Verilog進行電路的自動設計
20.4驗證
第21講半導體技術簡介（Ⅰ）
21.1半導體技術的發展
21.2晶片製造
第22講半導體技術簡介（Ⅱ）
22.1組裝
22.2測量
第23講雙極技術和砷化鎵數字邏輯工藝
23.1雙極技術
23.2砷化鎵數字邏輯工藝
第24講CMOS工藝
24.1CMOS製造流程
24.2雙阱和倒摻雜阱
24.3隔離
24.4降低漏端電場的結構
24.5柵工程
第25講可靠性
25.1概述
25.2失效模型
參考文獻
1. 1 What is Semiconductor
1. 2 Classification of Semiconductor
Reading Materials
Session 2 Crystal Structure
2.1 Primitive Cell and Crystal Plane
2.2 Atomic Bonding
Reading Materials
Session 3 Band Model
3.1 Introduction to Quantum Mechanics
3.2 Band
3.3 Effective Mass Theory
Reading Materials
Session 4 The Semiconductor in Equilibrium
4. 1 Charge Carriers in Semiconductor
4. 2 Intrinsic Semiconductor
4. 3 Extrinsic Semiconductor
Reading Materials
Session 5 Carrier Transport
5.1 Overview of Carrier Transport
5.2 Low Field Transport
5.3 High Field Transport
5.4 Diffusion Current
Session 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor
6.1 Recombination
6.2 Minority Cartier Lifetime
6.3 Ambipolar Transport
Reading Materials
Session 7 The pn Junction (Ⅰ)
7.1 Introduction
7.2 Basic Structure of the pn Junction
7.3 Energy Bands for a pn Junction
7.4 Ideal Current-Voltage Relationship
7.5 Characteristics of a Practical Diode
Reading Materials
Session 8 The pn Junction (Ⅱ)
8.1 Breakdown in pn Junction
8.2 Small-Signal Diffusion Resistance of the pn Junction
8.3 Junction Capacitance
8.4 Diffusion or Storage Capacitance
8.5 Diode Transients
8.6 Circuit Models for Junction Diodes
Reading Materials
Session 9 Metal-Semiconductor Contacts
9.1 Schottky Contacts
9.2 Ohmic Contacts
Reading Materials
Session 10 Heterojunctions
10.1 Strain and Stress at Heterointerfaces
10.2 Heterojunction Materials
10.3 Energy-Band Diagrams
Reading Materials.
Session 11 The Bipolar Junction Transistor (Ⅰ)
11.1 The Bipolar Junction Transistor Construction
11.2 Transistor Action
11.3 Nonideal Effects
11.4 Base Resistance
Reading Materials
Session 12 The Bipolar Junction Transistor (Ⅱ)
12.1 Breakdown Voltage
12.2 Frequency Limits of BJT
12.3 The Schottky-Clamped Transistor
12.4 Small-signal Transistor Model
Reading Materials
Session 13 Basics of MOSFETs
13.1 Introduction
13.2 General Characteristics of a MOSFET
13.3 MOS System
13.4 Work Function Differences
13.5 Flat-Band Voltage
13.6 Threshold Voltage
Reading Materials
Session 14 Nonideal Effects of MOSFETs
14.1 Introduction
14.2 Effective Mobility
14.3 Velocity Saturation
14.4 Channel-length Modulation
14.5 DIBL
14.6 Hot-carrier Effect
14.7 GIDL
Reading Materials
Session 15 Advanced MOSFET Devices
15.1 Introduction
15.2 Channel Doping Profile
15. 3 Gate Stack
15.4 Source/Drain Design
15. 5 Sohottky-Barrier Source/Drain
15.6 Raised Souree/Drain
15.7 SOI
15. 8 Three Dimensional Structure
Reading Materials
Session 16 Introduction to Integrated Circuits
16. 1 Introduction
16. 2 Size and Complexity of Integrated Circuits
16. 3 Semiconductor Device for Integrated Circuits
16. 4 IC Design Process
Reading Materials
Session 17 Analog Integrated Circuits Design
17. 1 Introduction
17. 2 Analog Signal Processing
17. 3 CMOS Technology
17.4 Amplifiers
17.5 Differential Amplifiers
17. 6 Operational Amplifiers
17. 7 Characterization of Op Amps
Reading Materials
Session 18 Digital Integrated Circuits Design
18. 1 Introduction
18. 2 The Static CMOS Inverter
18. 3 Designing Combinational Logic Gates in CMOS
Reading Materials
Session 19 Radio Frequency Integrated Circuits Design
19. 1 Introduction
19. 2 RF System Performance Metrics
19. 3 RF Transceiver Architectures
19. 4 RF Passive Component
19. 5 Receiver
19. 6 Frequency Synthesizer
19. 7 Transmitter
Reading Materials
Session 20 Shnulation and Verification
20. 1 Introduction
20. 2 SPICE Circuit Simulator
20. 3 Circuit Design Automation with Verilog
20. 4 Verification
Reading Materials
Session 21 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅰ)
21.1 The Development of Semiconductor Technology
21.2 Wafer Fabrication
Reading Materials
Session 22 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅱ)
22. 1 Assembly
22. 2 Metrulogy
Reading Materials
Session 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process
23. 1 Bipolar Technology
23.2 GaAs Digital Logic Process
Reading Materials
Session 24 CMOS Technology
24. 1 CMOS Fabrication Sequence
24. 2 Twin Well and Retrograde Well
24. 3 Isolation
24. 4 Structures that Reduce the Drain Field
24. 5 Gate Engineering
Reading Materials
Session 25 Reliability
25. 1 Introduction
25.2 Failure Modes
Reading Materials
參考譯文
第1講半導體概述
1.1什麼是半導體
1.2半導體的分類
第2講晶體結構
2.1原胞和晶面
2.2原子價鍵
第3講能帶模型
3.1量子力學簡介
3.2能帶
3.3有效質量理論
第4講平衡半導體
4.1半導體中的帶電載流子
4.2本徵半導體
4.3非本徵半導體
第5講載流子輸運
5.1載流子輸運概要
5.2低場輸運
5.3強場輸運
5.4擴散電流
第6講半導體中的非平衡過剩載流子
6.1複合
6.2少數載流子壽命
6.3雙極輸運
第7講pn結（Ⅰ）
7.1概述
7.2pn結的基本結構
7.3pn結的能帶圖
7.4理想電流電壓關係
7.5實際二極體特性
第8講pn結（II）
8.1pn結擊穿
8.2pn結的小信號擴散電阻
8.3結電容
8.4擴散電容（存儲電容）
8.5二極體瞬態特性
8.6pn結二極體的電路模型
第9講金屬—半導體接觸
9.1肖特基接觸
9.2歐姆接觸
第10講異質結
10.1異質界面的應變與應力
10.2異質結材料
10.3能帶圖
第11講雙極電晶體（I）
11.1雙極電晶體結構
11.2電晶體作用
11.3非理想效應
11.4基區電阻
第12講雙極電晶體（II）
12.1擊穿電壓
12.2雙極電晶體的頻率特性
12.3肖特基鉗位電晶體
12.4電晶體的小信號模型
第13講MOSFET基礎
13.1引言
13.2MOSFET的一般特徵
13.3MOS系統
13.4功函式差
13.5平帶電壓
13.6閾值電壓
第14講MOSFET的非理想效應
14.1引言
14.2有效遷移率
14.3速度飽和
14.4溝道調製效應
14.5漏致勢壘降低
14.6熱電子效應
14.7柵感應漏極泄漏
第15講先進的MOSFET器件
15.1引言
15.2溝道摻雜分布
15.3柵疊層
15.4源/漏設計
15.5肖特基源/漏
15.6提升的源/漏
15.7SOI（絕緣層上的矽）
15.8三維結構
第16講積體電路簡介
16.1概述
16.2積體電路的面積和複雜度
16.3積體電路中的半導體器件
16.4積體電路設計過程
第17講模擬積體電路設計
17.1概述
17.2模擬信號處理
17.3CMOS工藝
17.4放大器
17.5差分放大器
17.6運算放大器
17.7運放的特點
第18講數字積體電路
18.1介紹
18.2靜態CMOS反相器
18.3CMOS組合邏輯門的設計
第19講射頻積體電路設計
19.1概述
19.2射頻系統的性能指標
19.3射頻收發機的結構
19.4無源射頻元件
19.5低噪聲放大器
19.6頻率合成器
19.7發射機
第20講仿真與驗證
20.1簡介
20.2SPICE電路仿真器
20.3使用Verilog進行電路的自動設計
20.4驗證
第21講半導體技術簡介（Ⅰ）
21.1半導體技術的發展
21.2晶片製造
第22講半導體技術簡介（Ⅱ）
22.1組裝
22.2測量
第23講雙極技術和砷化鎵數字邏輯工藝
23.1雙極技術
23.2砷化鎵數字邏輯工藝
第24講CMOS工藝
24.1CMOS製造流程
24.2雙阱和倒摻雜阱
24.3隔離
24.4降低漏端電場的結構
24.5柵工程
第25講可靠性
25.1概述
25.2失效模型
參考文獻
