本書以英文的形式介紹了微電子學和積體電路設計的相關技術。全書共分四部分：第一部分為半導體物理基礎知識，包括晶格結構、能帶結構、載流子濃度和輸運等；第二部分介紹半導體器件物理基礎理論，包括pn結、肖特基二極體、異質結二極體、雙極型電晶體和場效應電晶體；第三部分簡要闡述半導體積體電路的設計過程和設計方法；第四部分介紹 半導體積體電路的製造工藝。
基本介紹
- 書名：微電子專業英語
- 作者：呂紅亮,李聰 等
- ISBN：9787121177606
- 出版社：電子工業出版社
- 出版時間：2012-09-01
圖書內容,目 錄,
圖書內容
本書以英文的形式介紹了微電子學和積體電路設計的相關技術。全書共分四部分：第一部分為半導體物理基礎知識，包括晶格結構、能帶結構、載流子濃度和輸運等；第二部分介紹半導體器件物理基礎理論，包括pn結、肖特基二極體、異質結二極體、雙極型電晶體和場效應電晶體；第三部分簡要闡述半導體積體電路的設計過程和設計方法；第四部分介紹 半導體積體電路的製造工藝。
本書可作為高等學校微電子學、積體電路設計及相關專業的“專業英語”課程的教材，也可作為從事微電子和積體電路相關科研和工程技術人員的參考書。
目 錄
Session 1 Introduction to Semiconductor
1.1 What is Semiconductor
1.2 Classification of Semiconductor
Reading Materials
Session 2 Crystal Structure
2.1 Primitive Cell and Crystal Plane
2.2 Atomic Bonding
Reading Materials
Session 3 Band Model
3.1 Introduction to Quantum Mechanics
3.2 Band
3.3 Effective Mass Theory
Reading Materials
Session 4 The Semiconductor in Equilibrium
4.1 Charge Carriers in Semiconductor
4.2 Intrinsic Semiconductor
4.3 Extrinsic Semiconductor
Reading Materials
Session 5 Carrier Transport
5.1 Overview of Carrier Transport
5.2 Low Field Transport
5.3 High Field Transport
5.4 Diffusion Current
Session 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor
6.1 Recombination
6.2 Minority Carrier Lifetime
6.3 Ambipolar Transport
Reading Materials
Session 7 The pn Junction （ Ⅰ ）
7.1 Introduction
7.2 Basic Structure of the pn Junction
7.3 Energy Bands for a pn Junction
7.4 Ideal CurrentVoltage Relationship
7.5 Characteristics of a Practical Diode
Reading Materials
Session 8 The pn Junction（ Ⅱ ）
8.1 Breakdown in pn Junction
8.2 SmallSignal Diffusion Resistance of the pn Junction
8.3 Junction Capacitance
8.4 Diffusion or Storage Capacitance
8.5 Diode Transients
8.6 Circuit Models for Junction Diodes
Reading Materials
Session 9 MetalSemiconductor Contacts
9.1 Schottky Contacts
9.2 歐姆接觸
第10講 異質結
10.1 異質界面的應變與應力
10.2 異質結材料
10.3 能帶圖
第11講 雙極電晶體（I）
11.1 雙極電晶體結構
11.2 電晶體作用
11.3 非理想效應
11.4 基區電阻
第12講 雙極電晶體(II)
12.1 擊穿電壓
12.2 雙極電晶體的頻率特性
12.3 肖特基鉗位電晶體
12.4 電晶體的小信號模型
第13講 MOSFET基礎
13.1 引言
13.2 MOSFET的一般特徵
13.3 MOS系統
13.4 功函式差
13.5 平帶電壓
13.6 閾值電壓
第14講 MOSFET的非理想效應
14.1 引言
14.2 有效遷移率
14.3 速度飽和
14.4 溝道調製效應
14.5 漏致勢壘降低
14.6 熱電子效應
14.7 柵感應漏極泄漏
第15講 先進的MOSFET器件
15.1 引言
15.2 溝道摻雜分布
15.3 柵疊層
15.4 源/漏設計
15.5 肖特基源/漏
15.6 提升的源/漏
15.7 SOI（絕緣層上的矽）
15.8 三維結構
第16講 積體電路簡介
16.1 概述
16.2 積體電路的面積和複雜度
16.3 積體電路中的半導體器件
16.4 積體電路設計過程
第17講 模擬積體電路設計
17.1 概述
17.2 模擬信號處理
17.3 CMOS工藝
17.4 放大器
17.5 差分放大器
17.6 運算放大器
17.7 運放的特點
第18講 數字積體電路
18.1 介紹
18.2 靜態CMOS反相器
18.3 CMOS組合邏輯門的設計
第19講 射頻積體電路設計
19.1 概述
19.2 射頻系統的性能指標
19.3 射頻收發機的結構
19.4 無源射頻元件
19.5 低噪聲放大器
19.6 頻率合成器
19.7 發射機
第20講 仿真與驗證
20.1 簡介
20.2 SPICE電路仿真器
20.3 使用Verilog進行電路的自動設計
20.4 驗證
第21講 半導體技術簡介(Ⅰ)
21.1 半導體技術的發展
21.2 晶片製造
第22講 半導體技術簡介(Ⅱ)
22.1 組裝
22.2 測量
第23講 雙極技術和砷化鎵數字邏輯工藝
23.1 雙極技術
23.2 砷化鎵數字邏輯工藝
第24講 CMOS工藝
24.1 CMOS製造流程
24.2 雙阱和倒摻雜阱
24.3 隔離
24.4 降低漏端電場的結構
24.5 柵工程
第25講 可靠性
25.1 概述
25.2 失效模型
參考文獻
